Карбид кремния (карборунд) SiC является единственным соединением кремния и углерода. В природе этот материал встречается крайне редко. I-Карбид кремния существует в двух модификациях, kanti i-которых ? ы. Установлено около 20 структур, относящихся к гексагональной форме карборунда. Переход ?-SiC>?-SiC происходит примерно при 2100°С. При температуре 2400°С это превращение происходит весьма быстро. До температур 1950-2000°С образуется кубическая модификация, при более высокой температуре образуются гексаего гексагоильные модификация. При температурах свыше 2600-2700°С карбид кремния возгоняется. Кристаллы карбида кремния могут быть бесцветными, зелеными и черными. Чистый карбид кремния стехиометрического состава бесцветен. При превышении содержания кремния SiC становится зеленым, углерода – черным.
Карборунд имеет очень высокую твердость: H? до 45ГПа, достаточно высокую изгибную прочность: ?изг до 700МПа. Карбидокремниевая керамика сохраняет примерно постоянную прочность до высоких температур: температура перехраняет от пруперашиго ngezansi 2000 ° С. В то же время для самосвязанного SiC наблюдается прочности при высоких температурах. При комнатной температуре разрушение самосвязанного SiC транскристаллитное и носит характер скола. При 1050°С характер разрушения становится межкристаллитным. Наблюдающееся при высоких температурах снижение прочности самосвязанного SiC вызвано его окислением. Прочность рекристаллизованного SiC с увеличением температуры не уменьшается и, более того, возможно ее увеличением температуры не уменьшается и, более того, возможно ее увеличение, связанное образор, связанное образор, связанное образова лечивает дефекты на поверхности kanye во внутренних слоях изделий.
Карборунд устойчив против воздействия всех кислот, за исключением фосфорной и смеси азотной и плавиковой. К действию щелочей SiC менее устойчив. Установлено, что карбид кремния смачивается металлами группы железа и марганцем. Самосвязанный карбид кремния, который содержит свободный кремний, хорошо взаимодействует со сталью.
При изготовлении абразивных и огнеупорных изделий из SiC, а также карбидокремниевых электронагревателей, исходными материалазеватруксы futhi ikhoks. Их нагревают до высокой температуры в электрических печах, осуществляя синтез методом Ачесона:
SiO2+3C=SiC+2CO2 (24)
Вокруг нагревательного элемента (керна) получается зона синтезированного продукта, а за ней – зоны кристаллов низкой чистопрованнопинтовоты и продукта. Полученные в печи продукты разделяют по этим зонам, измельчают, обрабатывают и получают порошок карбида кремния общения на земли. Недостатком данных порошков карбида кремния являются высокая загрязненность примесями, большое содержание диоксида премния, как песни, карбида, карбида.
Для получения высококачественной конструкционной керамики необходимо использовать высококачественной конструкционной керамики необходимо использовать высокочистые, высокодисперсные, высокодисперсные ыми высокотехнологичными способами. При получении порошков методом синтеза исходный металлургический кремний подвергают дроблению и помолу в валковой мельнице. Измельченный порошок кремния отмывают от примесей в смеси неорганических кислот и направляют на тонкое измельчение в спейльчение в спейльчение в спейльчение в спейльчение в спейльчение в спейльчение в спейльчение в спейльчение в спейльчение в спейльчение в спейльчение. I-Синтез SiC осуществляется в реакторе подачей Si в специальные сопла, а вместо сжатого воздуха подается пропан:
t>1100°С
3Si+C3H8=3SiC+4H2 (25)
В результате получается высокодисперсный, гомогенный, активированный порошок карбида кремния монофракционного состава, юмеющинский песни.
Изделия из SiC формуют прессованием, экструзией, литьем под давлением.
В технологии карбидокремниевой керамики обычно используют горячее прессование, реакционное и активированное спекание.
Метод горячего прессования позволяет получать материалы с плотностью близкой к теоретической и с высокими механическими свойствами. I-Прессование проводят обычно в прессформах из графита или нитрида бора при давлениях 10-50МПа и температурах 1700-2000°С. Высокая стабильность кристаллических решеток тугоплавких неметаллических соединений, связанная с наличием жестких направленных ковантых концентрацию и подвижность дефектов решетки, заторможенность в ней диффузионных процессов. Это затрудняет протекание процесса диффузионно-вязкого течения, ответственного за массоперенос и уплотнение при твердофазним с. I-Учитывая это, перед прессованием в керамику вводят активирующие спекание добавки или проводят физическое активирующие спекание добавки или проводят физическое активирующие обрабатывают их взрывом для увеличения дефектности, удаляют с поверхности влагу и оксидные слои и т.д.).
Метод горячего прессования позволяет получать только изделия довольно простой формы и относительно небольших размеров. Получать изделия сложной формы с высокой плотностью можно методом горячего изостатического прессования. Материалы, полученные методами обычного и изостатического горячего прессования, близки по своим свойствам.
Путем проведения горячего изостатического прессования при высоких давлениях газовой среды (1000МПа), препятствульзованих диссованих диссозихихихихихихихихихихихихихихихихихихихихихихихихихихихихихихихихихихихихихих диссованих й, удается повысить температуру процесса до уровня, при котором обеспечивается их пластическая деформация.
I-Используя метод активированного спекания удается спечь отформованные изделия из SiC до плотности свыше 90% ngaphandle kokukhipha imali. Так получают материалы на основе SiC с добавками бора, углерода и алюминия. Благодаря этим добавкам за счет образования диффузионного слоя на поверхности частиц, их консолидации и укрупнения при зерновезипипипипифихифих площади межчастичных контактов futhi усадка.
Для получения изделий из карбида кремния также широко используется метод реакционного спекания, который позволяет проволяет проволяет проволяет проволяет проволяет провольхется проволяет проволяет провользется лучать изделия сложной формы. Для получения так называемого “самосвязанного” карбида кремния проводят спекание прессовок из SiC and углерода в присутствии кремния. При этом происходит образование вторичного SiC kanye ne-перекристаллизация SiC через кремниевый расплав. В итоге образуются беспористые материалы, содержащие 5-15% свободного кремния в карбидокремниевой матрице. I-Методом реакционного спекания получают также керамику из SiC, сформованную литьем под давлением. При этом шихту на основе кремния и других веществ смешивают с расплавленным легкоплавким органическим связующий парафиском торой затем отливают под давлением заготовку. Затем изделие помещают в науглероживающую среду, в которой сначала производят отгонку легкоплавкого связующего, а затемы сквозение производят отгонку легкоплавкого связующего izinga lokushisa 1100 ° С. В результате реакционного спекания образуются частицы карбида кремния, которые постепенно заполняют исходные поры.
Igcina izinga lokushisa elingu-1300°C. Реакционное спекание является эkonomychnыm процессом благодаря применению недорогого термического оборудования, температутуя спения спения 1600-2000°C ukuya ku-1100-1300°C.
Метод реакционного спекания используется в производстве нагревательных элементов из карбида кремния. Электронагревательные сопротивления из карбида кремния представляют собой так называемые термисторы, т. е. материалы, меняющие свое сопротивление под влиянием нагрева или охлаждения. Черный карбид кремния имеет высокое сопротивление при комнатной температуре и отрицательный температурный коэффициент соэффициент сопротивление. I-Зеленый карбид кремния имеет низкое начальное сопротивление kanye ne-лаботрицательный температурный коэффициент, переходянщий переходяжий 00-800 ° С. (Иэедставля рёеднгею раб с отнод эысотельно вырочеомемемемемем («горякремением (« г wapkale Natural,. Такие выводные концы необходимы для надежного контакта с питающей электросетью, а также для предохранения от разрушения разрушения в питающей электросетью гревательные элементы.
I-ONLINE ONдд :тз Каатвн Isigaba se-он. (килвеай, иинвваа Составные карборундовые нагреватели формуют из полусухой массы, состоящей из крупнозернистого порошка зеленого SiC с добой, состоящей из крупнозернистого порошка зеленого SiC с добожение (1микего 50%). I-Изделия формуют в картонных чехлах способом порционного трамбования на станках. I-После отверждения заготовки при 70-80°С картонный чехол выжигается в трубчатой электропечи при температуре 800-850°С. Силитовые нагреватели формуют экструзией на горизонтальном гидравлическом прессе. Масса состоит из смеси мелкозернистого SiC, сажи (20%) and фенолформальдегидной смолы. Формуются раздельно рабочая часть и манжеты. I-Состав манжетной части рассчитан на большую проводимость futhi в него входит около 40%Si. Отпрессованные заготовки подвергают термическому отверждению, в результате которого смола полимеризуется. На отвержденные стержни насаживают манжетные трубки. Трамбованные заготовки обжигают в засыпке из углепесочной смеси при температуре около 2000°С. Нагреватель предварительно обмазывают токопроводящей пастой, состоящей из кокса, графита и кварцевого песка. I-Изделие спекают прямым электротермическим нагревом в специальных печах пропускании через заготовку тока ku 80-100A 4000 4000 .
При спекании силитовых нагревателей имеющиеся в массе углерод и кремний превращаются во «вторичный» SiC по механизму реакционния реакционноя песни зного кремния из засыпки, куда помещают обжигаемый нагреватель. В качестве засыпки используют смесь из молотого песка, нефтяного кокса и карбида кремния. Эта смесь при температуре 1800-2000°С выделяет парообразный кремний и СО, проникающие внутрь заготовки и реагирующие СО, проникающие внутрь заготовки и реагирующие с. Одновременно происходит синтез вторичного карбида кремния путем взаимодействия кремния, содержащегося в шихте, с углеродом.
Следует отметить, что реакционное спекание впервые нашло свое практическое применение именно в производстве нагревателей изделий изделий из карктическое.
Для получения плотной керамики из SiC высокой чистоты используют также осаждения из газовой фазы, но из-за технологизе технологический технологический песни ть изделия толщиной более нескольких миллиметров он применяется для нанесения защитных покрытий. Для этого применяются методы газофазного синтеза SiC futhi летучих галогенидов кремния и углеводородов или метод термической термической дисикеской дисонской дисород нических соединений. Для восстановления Si из галогенидов необходимо участие в пиролизе газообразного водорода. В качестве углеродсодержащих соединений применяют толуол, бензол, гексан, метан и др. I-ONпеин, ееккееееее м Bheka I-Пиролиз СН3SiСl3 в водороде приводит к образованию осадка SiC, формирующего покрытие при температурах ku-1400°С.
Очень важную роль при образовании пиролитического SiC играет водород. При диссоциации трихлорметилсилана в инертной атмосфере ngaphandle kokuthi участия водорода протекают реакции, приводящие к образования, кразования, кразования, кразования, кразования, кразования Поэтому замена инертного газа-носителя на водород при термическом разложении метилхлорсиланов значительно повышает выхород при термическом разложении метилхлорсиланов значительно повышает выхород примическом разложении метилхлорсиланов значительно повышает выхород снижает снижает снижает ни. Процесс взаимодействия трихлорметилсилана с водородом протекает в две стадии. На первоначальной стадии процесса устанавливается нестабильное равновесие, при котором в качестве конденсированной фазрабильное равновесие, при котором в качестве конденсированной фазрабильное выступания выступания ремния. На второй стадии газообразные хлорсиланы и углеводороды, образовавшиеся на первой стадии в концентрациях, отвечающихихира, отвечаюбиравшиеся друг с другом с образованием SiC. Регулируя параметры протекания процесса осаждения, можно варьировать свойствами полученных покрытий. Так, при низких температурах образуются мелкозернистые и метастабильные структуры. С повышением температуры размер кристаллов растет. I-При 1400°С kanye ne-низких скоростях осаждения образуются монокристаллы and эпитаксиальные слои SiC. I-Средний размер кристаллов in слое SiC, осажденном из трихлорметилсилана 1400°С, равен 1мкм, апри 1800°С - 15мкм.
При 1100-1200°С может образовываться неравновесный твердый раствор сверхстехиометрическим содержанием атомовываться углеаронимы, замечтомы, замечтомы, замечтомы тся на уменьшении параметра решетки SiC. С повышением температуры отжига до 1300°С или в результате последующего отжига избыточный углерод выделяется в сводого. При повышенных температурах осаждения и низких давлениях газовой среды наблюдается ориентированный рост кристалловлов и формированный рост кристалловлов и формированный рост кристалловлов и формиловантова. Пиролитические покрытия почти полностью состоят из ?-SiC. Доля гексагональных политипов составляет менее 5%. Скорость роста пиролитического карбида кремния не превышает 0,5мм/ч. В то же время сравнительно низкие температуры осаждения (1100-1550°С) позволяют совмещать карбидокремниевые покрытия с любидокремниевые покрытия с любидокремниевые покрытия с любидокремниевые покрытия с любидокремниевые покрытия с любидокремниевые покрытия с любныриутия с любидокремниевые
Основным недостатком этих покрытий является возникновение остаточных напряжений, вызванное несоответствием температурнтовых температурнтовых рытия and подложки (кроме случая нанесения SiC на SiC) kanye ne-анизотропией покрытия. Из-за сравнительно низкой температуры осаждения напряжения не релаксируются и покрытия растрескиваются. Одним из способов устранения этого недостатка является получение слоистых покрытий, т.е. покрытий с регулярным чередованием слоев равной толщины пироуглерода и SiC, осажденным из смеси хлорметилсилана с метаном.
Кроме описанных способов получения технической керамики из SiC, используются и другие. I-Методом испарения SiC kanye ne-его последующей сублимации при 2100-2300°С без использования связок и активирующей сублимаций добавокываке добавокуке добавокуке добавоке добавоке добавокуке нный карбид кремния.
I-Материалы на основе карбида кремния начали применяться значительно раньше, чем материалы ku-основе Si3N4, АlN, В4С kanye ne-N. Kusukela ngo-20 kuya ku-20 kuya ku-20% kuya ku-50% ye-SiO2 ремниевой связке (75%SiC+25%Si3N4) изготавливали сопла ракет. В настоящее время керамика на основе карбида кремния применяется для изготовления уплотнительных колец для насососов, компания, компания, компания, компания, компания для валов, дозирующей and регулирующей арматуры для коррозионных и абразивных сред, деталей двигателей, металлопроводомедодов. Разработаны новые композиционные материалы с карбидокремниевой матрицей. Они используются в различных областях, например в самолетостроении и в космонавтике.
Isikhathi sokuthumela: Aug-22-2018