סיליציום קאַרבידע איז דיסקאַווערד אין 1893 ווי אַן ינדאַסטריאַל אַברייסיוו פֿאַר גרינדינג ווילז און אָטאַמאָוטיוו בראַקעס. בעערעך האַלב פון די 20 יאָרהונדערט, די נוצן פון SiC ווייפער איז געוואקסן צו געפירט טעכנאָלאָגיע. זינט דעמאָלט, עס האט יקספּאַנדיד אין פילע סעמיקאַנדאַקטער אַפּלאַקיישאַנז רעכט צו זיין אַדוואַנטיידזשאַס גשמיות פּראָפּערטיעס. די פּראָפּערטיעס זענען קענטיק אין זייַן ברייט קייט פון ניצט אין און אַרויס די סעמיקאַנדאַקטער אינדוסטריע. מיט מאָר ס געזעץ צו דערגרייכן זייַן שיעור, פילע קאָמפּאַניעס אין די סעמיקאַנדאַקטער אינדוסטריע זוכן צו סיליציום קאַרבידע ווי די סעמיקאַנדאַקטער מאַטעריאַל פון דער צוקונפֿט. סיק קענען זיין געשאפן מיט קייפל פּאָליטיפּעס פון סיק, כאָטש אין די סעמיקאַנדאַקטער אינדוסטריע, רובֿ סאַבסטרייץ זענען אָדער 4H-SiC, מיט 6H- שיין ווייניקער פּראָסט ווי די סיק מאַרק איז געוואקסן. ווען ריפערינג צו 4H- און 6H- סיליציום קאַרבידע, די H רעפּראַזענץ די סטרוקטור פון די קריסטאַל לאַטאַס. די נומער רעפּראַזענץ די סטאַקינג סיקוואַנס פון די אַטאָמס אין די קריסטאַל סטרוקטור, דאָס איז דיסקרייבד אין די SVM קייפּאַבילאַטיז טשאַרט אונטן. אַדוואַנטאַגעס פון סיליציום קאַרבידע כאַרדנאַס עס זענען פילע אַדוואַנטידזשיז צו נוצן סיליציום קאַרבידע איבער מער טראדיציאנעלן סיליציום סאַבסטרייץ. איינער פון די הויפּט אַדוואַנידזשיז פון דעם מאַטעריאַל איז זייַן כאַרדנאַס. דאָס גיט דעם מאַטעריאַל פילע אַדוואַנטידזשיז, אין הויך גיכקייַט, הויך טעמפּעראַטור און / אָדער הויך וואָולטידזש אַפּלאַקיישאַנז. סיליציום קאַרבידע ווייפערז האָבן הויך טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי, וואָס מיטל זיי קענען אַריבערפירן היץ פון איין פונט צו אנדערן געזונט. דאָס ימפּרוווז זייַן עלעקטריקאַל קאַנדאַקטיוואַטי און לעסאָף מיניאַטוריזאַטיאָן, איינער פון די פּראָסט גאָולז פון סוויטשינג צו SiC ווייפערז. טערמאַל קייפּאַבילאַטיז סיק סאַבסטרייץ אויך האָבן אַ נידעריק קאָואַפישאַנט פֿאַר טערמאַל יקספּאַנשאַן. טערמאַל יקספּאַנשאַן איז די סומע און ריכטונג וואָס אַ מאַטעריאַל יקספּאַנדז אָדער קאַנטראַקץ ווען עס היץ אַרויף אָדער קולז אַראָפּ. די מערסט פּראָסט דערקלערונג איז אייז, כאָטש עס ביכייווז פאַרקערט פון רובֿ מעטאַלס, יקספּאַנדיד ווען עס קילן און שרינגקינג ווען עס היץ אַרויף. די נידעריק קאָואַפישאַנט פון סיליציום קאַרבידע פֿאַר טערמאַל יקספּאַנשאַן מיטל אַז עס טוט נישט טוישן באטייטיק אין גרייס אָדער פאָרעם ווי עס איז העאַטעד אָדער קולד אַראָפּ, וואָס מאכט עס שליימעסדיק פֿאַר פּאַסיק אין קליין דעוויסעס און פּאַקינג מער טראַנזיסטערז אויף אַ איין שפּאָן. אן אנדער הויפּט מייַלע פון די סאַבסטרייץ איז זייער הויך קעגנשטעל צו טערמאַל קלאַפּ. דעם מיטל זיי האָבן די פיייקייט צו טוישן טעמפּעראַטורעס ראַפּאַדלי אָן ברייקינג אָדער קראַקינג. דאָס קריייץ אַ קלאָר מייַלע ווען מאַנופאַקטורינג דעוויסעס, ווייַל עס איז אן אנדער טאַפנאַס קעראַקטעריסטיקס וואָס ימפּרוווז די לעבן און פאָרשטעלונג פון סיליציום קאַרבידע אין פאַרגלייַך מיט טראדיציאנעלן פאַרנעם סיליציום. אויף שפּיץ פון זייַן טערמאַל קייפּאַבילאַטיז, עס איז אַ זייער דוראַבאַל סאַבסטרייט און טוט נישט רעאַגירן מיט אַסאַדז, אַלקאַליס אָדער מאָולטאַן סאָלץ אין טעמפּעראַטורעס אַרויף צו 800 ° סי. דאָס גיט די סאַבסטרייץ ווערסאַטילאַטי אין זייער אַפּלאַקיישאַנז און אַסיס זייער פיייקייט צו דורכפירן פאַרנעם סיליציום אין פילע אַפּלאַקיישאַנז. זייַן שטאַרקייט אין הויך טעמפּעראַטורעס אויך אַלאַוז עס צו בעשאָלעם אַרבעטן אין טעמפּעראַטורעס איבער 1600 ° C. דאָס מאכט עס אַ פּאַסיק סאַבסטרייט פֿאַר כמעט קיין הויך טעמפּעראַטור אַפּלאַקיישאַן.
פּאָסטן צייט: יולי-09-2019