Silicon Carbide có khả năng chống ăn mòn tuyệt vời, độ bền cơ học cao, độ dẫn nhiệt cao, hệ số giãn nở nhiệt rất thấp và khả năng chống sốc nhiệt tốt hơn so với alumincell ở nhiệt độ rất cao. Silicon carbide bao gồm các tứ diện nguyên tử cacbon và silicon có liên kết mạnh trong mạng tinh thể. Điều này tạo ra một vật liệu rất cứng và bền. Silicon carbide không bị tấn công bởi bất kỳ axit hoặc kiềm hoặc muối nóng chảy nào lên đến 800ºC. Trong không khí, SiC tạo thành lớp phủ oxit silic bảo vệ ở 1200ºC và có thể sử dụng ở nhiệt độ lên đến 1600ºC. Độ dẫn nhiệt cao kết hợp với độ giãn nở nhiệt thấp và độ bền cao mang lại cho vật liệu này những đặc tính chống sốc nhiệt đặc biệt. Gốm silicon carbide với ít hoặc không có tạp chất ranh giới hạt vẫn duy trì được độ bền ở nhiệt độ rất cao, đạt tới 1600ºC mà không bị mất độ bền. Độ tinh khiết về mặt hóa học, khả năng chống lại sự tấn công của hóa chất ở nhiệt độ và duy trì độ bền ở nhiệt độ cao đã khiến vật liệu này trở nên rất phổ biến làm giá đỡ khay wafer và mái chèo trong lò nung bán dẫn. Tính dẫn điện của vật liệu này đã dẫn đến việc sử dụng nó trong các bộ phận gia nhiệt điện trở cho lò điện và là thành phần chính trong các điện trở nhiệt (điện trở nhiệt độ thay đổi) và trong các điện trở biến thiên (điện trở điện áp thay đổi). Các ứng dụng khác bao gồm mặt phớt, tấm chịu mài mòn, ổ trục và ống lót.
Thời gian đăng: 05-06-2018