Về cacbua silicon và gốm sic

Carbide silicon có khả năng chống ăn mòn tuyệt vời, cường độ cơ học cao, độ dẫn nhiệt cao, hệ số giãn nở nhiệt rất thấp và khả năng chống sốc nhiệt tốt hơn so với nhiệt độ rất cao. Carbide silicon bao gồm tứ diện của các nguyên tử carbon và silicon với các liên kết mạnh trong mạng tinh thể. Điều này tạo ra một vật liệu rất cứng và mạnh. Carbide silicon không bị tấn công bởi bất kỳ axit hoặc kiềm hoặc muối nóng chảy lên tới 800 CC. Trong không khí, SIC tạo thành một lớp phủ oxit silicon bảo vệ ở 1200 CC và có thể được sử dụng tới 1600 CC. Độ dẫn nhiệt cao kết hợp với sự giãn nở nhiệt thấp và cường độ cao cho chất lượng chống sốc nhiệt đặc biệt vật liệu này. Gốm silicon cacbua với ít hoặc không có tạp chất ranh giới hạt duy trì sức mạnh của chúng đến nhiệt độ rất cao, đạt tới 1600 CC mà không mất sức mạnh. Độ tinh khiết hóa học, khả năng chống tấn công hóa học ở nhiệt độ và khả năng duy trì sức mạnh ở nhiệt độ cao đã làm cho vật liệu này trở nên rất phổ biến khi khay wafer hỗ trợ và mái chèo trong lò bán dẫn. Sự dẫn truyền qua Name của vật liệu đã dẫn đến việc sử dụng nó trong các yếu tố gia nhiệt điện trở cho lò điện, và là thành phần chính trong nhiệt điện trở (điện trở biến nhiệt độ) và trong các biến thể (điện trở biến điện áp). Các ứng dụng khác bao gồm mặt con dấu, tấm đeo, vòng bi và ống lót.