Silikon karbid 1893 yilda g'ildiraklar va avtomobil tormozlarini silliqlash uchun sanoat abraziv sifatida kashf etilgan. Taxminan 20-asrning o'rtalarida SiC gofretidan foydalanish LED texnologiyasiga qo'shildi. O'shandan beri u o'zining foydali jismoniy xususiyatlari tufayli ko'plab yarimo'tkazgich ilovalariga aylandi. Bu xususiyatlar yarimo'tkazgich sanoatida va undan tashqarida keng qo'llanilishida yaqqol namoyon bo'ladi. Mur qonuni o'z chegarasiga yetganday, yarimo'tkazgich sanoatidagi ko'plab kompaniyalar silikon karbidni kelajakning yarim o'tkazgich materiali sifatida qidirmoqda. SiC ni bir nechta SiC politiplari yordamida ishlab chiqarish mumkin, ammo yarimo'tkazgich sanoatida ko'pchilik substratlar 4H-SiC bo'lib, SiC bozori o'sishi bilan 6H kamroq tarqalgan. 4H- va 6H- kremniy karbidiga ishora qilganda, H kristall panjaraning tuzilishini ifodalaydi. Raqam kristall strukturadagi atomlarning stacking ketma-ketligini bildiradi, bu quyidagi SVM imkoniyatlari jadvalida tasvirlangan. Silikon karbid qattiqligining afzalliklari An'anaviy kremniy substratlarga nisbatan kremniy karbiddan foydalanishning ko'plab afzalliklari mavjud. Ushbu materialning asosiy afzalliklaridan biri uning qattiqligidir. Bu materialga yuqori tezlikda, yuqori haroratda va / yoki yuqori kuchlanishli ilovalarda ko'plab afzalliklarni beradi. Silikon karbid gofretlari yuqori issiqlik o'tkazuvchanligiga ega, ya'ni ular issiqlikni bir nuqtadan boshqa quduqqa o'tkazishi mumkin. Bu uning elektr o'tkazuvchanligini va oxir-oqibat miniatyurasini yaxshilaydi, bu SiC gofretlariga o'tishning umumiy maqsadlaridan biridir. Issiqlik imkoniyatlari SiC substratlari ham termal kengayish uchun past koeffitsientga ega. Termal kengayish - bu materialning qizishi yoki sovishi natijasida kengayishi yoki qisqarishi miqdori va yo'nalishi. Eng keng tarqalgan tushuntirish - muz, garchi u ko'pchilik metallarga qarama-qarshi harakat qilsa ham, u soviganida kengayadi va qizdirilganda qisqaradi. Silikon karbidning termal kengayish uchun past koeffitsienti uning qizdirilganda yoki soviganida hajmi yoki shakli sezilarli darajada o'zgarmasligini anglatadi, bu uni kichik qurilmalarga o'rnatish va bitta chipga ko'proq tranzistorlarni o'rash uchun mukammal qiladi. Ushbu substratlarning yana bir muhim afzalligi ularning termal zarbalarga nisbatan yuqori qarshilikidir. Bu shuni anglatadiki, ular haroratni buzmasdan yoki yorilishsiz tez o'zgartirish qobiliyatiga ega. Bu an'anaviy quyma kremniyga nisbatan kremniy karbidning ishlash muddati va ish faoliyatini yaxshilaydigan yana bir mustahkamlik xususiyati bo'lganligi sababli, asboblarni ishlab chiqarishda aniq ustunlik yaratadi. Issiqlik imkoniyatlaridan tashqari, u juda bardoshli substrat bo'lib, 800 ° S gacha bo'lgan haroratlarda kislotalar, gidroksidi yoki erigan tuzlar bilan reaksiyaga kirishmaydi. Bu ushbu substratlarga o'z ilovalarida ko'p qirrali bo'lishni beradi va ko'plab ilovalarda ommaviy kremniyni bajarish qobiliyatiga yordam beradi. Uning yuqori haroratdagi kuchi, shuningdek, 1600 ° C dan yuqori haroratlarda xavfsiz ishlash imkonini beradi. Bu uni deyarli har qanday yuqori haroratli dastur uchun mos substrat qiladi.
Yuborilgan vaqti: 2019-09-09