تېرمىنولوگىيە ئادەتتە كرېمنىي كاربون پىششىقلاپ ئىشلەش بىلەن مۇناسىۋەتلىك

كرېمنىي كاربوننى قايتا ئورناتتى (RXSIC, ReSIC, RSIC, R-SIC). دەسلەپكى خام ئەشيا كرېمنىي كاربون. قويۇقلاشتۇرۇش ئەسۋابى ئىشلىتىلمەيدۇ. ئەڭ ئاخىرقى مۇستەھكەملەش ئۈچۈن يېشىل ئىخچاملار 2200 سېلسىيە گرادۇستىن يۇقىرى قىزىتىلىدۇ. ھاسىل بولغان ماتېرىيالنىڭ تەخمىنەن% 25 قورۇقلىقى بار ، بۇ ئۇنىڭ مېخانىكىلىق خۇسۇسىيىتىنى چەكلەيدۇ. قانداقلا بولمىسۇن ، ماتېرىيال ئىنتايىن ساپ بولىدۇ. بۇ جەريان ناھايىتى تېجەشلىك.
رېئاكسىيە باغلانغان كرېمنىي كاربون (RBSIC). دەسلەپكى خام ئەشيا كرېمنىي كاربون ۋە كاربون. ئاندىن كېيىن يېشىل زاپچاس 1450ºC دىن يۇقىرى ئېرىتىلگەن كرېمنىي بىلەن سىڭىپ كىرىدۇ: SiC + C + Si -> SiC. مىكرو قۇرۇلمىدا ئادەتتە مەلۇم مىقداردا ئارتۇق كرېمنىي بار ، بۇ ئۇنىڭ يۇقىرى تېمپېراتۇرا خۇسۇسىيىتى ۋە چىرىشكە چىدامچانلىقىنى چەكلەيدۇ. بۇ جەرياندا كىچىك ئۆلچەملىك ئۆزگىرىش يۈز بېرىدۇ. قانداقلا بولمىسۇن ، ئاخىرقى بۆلەك يۈزىدە بىر قەۋەت كرېمنىي دائىم كۆرۈلىدۇ. ZPC RBSiC ئىلغار تېخنىكىنى قوللانغان بولۇپ ، ئۇپراشقا چىداملىق سىزىق ، تەخسە ، كاھىش ، سىكلون سىزىقچىسى ، توساق ، تەرتىپسىز زاپچاسلار ۋە ئۇپراش ۋە چىرىشكە چىداملىق FGD ئوق ، ئىسسىقلىق ئالماشتۇرغۇچ ، تۇرۇبا ، تۇرۇبا قاتارلىقلار ئىشلەپچىقىرىلىدۇ.

نىترىد باغلانغان كرېمنىي كاربون (NBSIC, NSIC). دەسلەپكى خام ئەشيا كىرىمنىي كاربون ۋە كرېمنىي تالقىنى. يېشىل ئىخچام ئازوت ئاتموسفېراسىدا ئېتىلىدۇ ، بۇ يەردە SiC + 3Si + 2N2 -> SiC + Si3N4 ئىنكاسى كۆرۈلىدۇ. ئاخىرقى ماتېرىيال بىر تەرەپ قىلىش جەريانىدا ئازراق چوڭ ئۆزگىرىشلەرنى كۆرسىتىدۇ. ماتېرىيال مەلۇم دەرىجىدىكى جاراھەتنى كۆرسىتىدۇ (ئادەتتە% 20).

بىۋاسىتە سىلىندىرلىق كرېمنىي كاربون (SSIC). كرېمنىي كاربون دەسلەپكى خام ئەشيا. قويۇقلاشتۇرۇش ياردەمچىسى بور ۋە كاربون بولۇپ ، قويۇقلىشىش 2200 سېلسىيە گرادۇستىن يۇقىرى قاتتىق ھالەتتىكى ئىنكاس قايتۇرۇش جەريانىدا پەيدا بولىدۇ. ئاشلىق چېگرىسىدا ئەينەك ئىككىنچى باسقۇچ بولمىغاچقا ، ئۇنىڭ يۇقىرى تېمپېراتۇرا خۇسۇسىيىتى ۋە چىرىشكە چىدامچانلىقى ئەۋزەل.

سۇيۇق باسقۇچلۇق كرېمنىي كاربون (LSSIC). كرېمنىي كاربون دەسلەپكى خام ئەشيا. قويۇقلاشتۇرۇش ياردىمى yttrium ئوكسىد ۋە ئاليۇمىن ئوكسىد. قويۇقلىشىش 2100ºC دىن يۇقىرى سۇيۇقلۇق فازا رېئاكسىيەسى ئارقىلىق پەيدا بولىدۇ ۋە ئەينەك ئىككىنچى باسقۇچنى كەلتۈرۈپ چىقىرىدۇ. مېخانىكىلىق خۇسۇسىيەت ئادەتتە SSIC دىن ئۈستۈن تۇرىدۇ ، ئەمما يۇقىرى تېمپېراتۇرا خۇسۇسىيىتى ۋە چىرىشكە چىدامچانلىقى ئۇنچە ياخشى ئەمەس.

قىزىق بېسىملىق كرېمنىي كاربون (HPSIC). كىرىمنىي كاربون پاراشوكى دەسلەپكى خام ئەشيا سۈپىتىدە ئىشلىتىلىدۇ. قويۇقلاشتۇرۇش ياردەمچىسى ئادەتتە بور ۋە كاربون ياكى يترىت ئوكسىد ۋە ئاليۇمىن ئوكسىد قاتارلىقلار. قويۇقلىشىش گرافت ئۆلۈش بوشلۇقى ئىچىدىكى مېخانىكىلىق بېسىم ۋە تېمپېراتۇرىنى بىرلا ۋاقىتتا قوللىنىش ئارقىلىق پەيدا بولىدۇ. شەكلى ئاددىي تەخسە. ئاز مىقداردا گۇناھكار ياردەمچى ئىشلىتىشكە بولىدۇ. قىزىق بېسىلغان ماتېرىياللارنىڭ مېخانىكىلىق خۇسۇسىيىتى باشقا جەريانلار سېلىشتۇرۇلغان ئاساسىي ئۆلچەم سۈپىتىدە ئىشلىتىلىدۇ. قويۇقلاشتۇرۇش ياردەمچىسىنىڭ ئۆزگىرىشى بىلەن ئېلېكتر خۇسۇسىيىتىنى ئۆزگەرتكىلى بولىدۇ.

CVD كىرىمنىي كاربون (CVDSIC). بۇ ماتېرىيال رېئاكسىيەگە چېتىشلىق خىمىيىلىك ھور چۆكۈش (CVD) جەرياندىن شەكىللەنگەن: CH3SiCl3 -> SiC + 3HCl. بۇ ئىنكاس H2 ئاتموسفېراسى ئاستىدا ئېلىپ بېرىلىپ ، SiC گرافت ئاستى ئاستىغا قويۇلدى. بۇ جەريان ناھايىتى يۇقىرى ساپلىقتىكى ماتېرىيالنى كەلتۈرۈپ چىقىرىدۇ. قانداقلا بولمىسۇن ، پەقەت ئاددىي تەخسىلەرنىلا ياسىغىلى بولىدۇ. ئىنكاس ۋاقتى ئاستا بولغاچقا ، بۇ جەريان ئىنتايىن قىممەت.

خىمىيىلىك ھور بىرىكمە كرېمنىي كاربون (CVCSiC). بۇ جەريان گرافىك ھالىتىدىكى تورغا يېقىن شەكىلدە پىششىقلاپ ئىشلەنگەن خاس گرافىك ئالدىنئالا بىلەن باشلىنىدۇ. ئايلاندۇرۇش جەريانى گرافىك قىسمىنى دەل جايىدىكى ھورنىڭ قاتتىق ھالەتتىكى ئىنكاسىغا بويسۇندۇرۇپ ، كۆپ قۇتۇپلۇق ، ستوئىئومېتىرىيەلىك توغرا بولغان SiC ھاسىل قىلىدۇ. قاتتىق كونترول قىلىنىدىغان بۇ جەريان مۇرەككەپ لايىھەلەرنىڭ پۈتۈنلەي بەرداشلىق بېرىش ئىقتىدارى ۋە ساپلىقى يۇقىرى بولغان پۈتۈنلەي ئۆزگەرتىلگەن SiC قىسمىدا ئىشلەپچىقىرىلىشىغا يول قويىدۇ. ئايلاندۇرۇش جەريانى نورمال ئىشلەپچىقىرىش ۋاقتىنى قىسقارتىدۇ ۋە باشقا ئۇسۇللارغا قارىغاندا تەننەرخنى تۆۋەنلىتىدۇ. * مەنبە (تىلغا ئېلىنغانلىرىنى ھېسابقا ئالمىغاندا): Ceradyne Inc.