CVD фильмны каплау өчен сик субстрат

Химик пар

Химик парлар Үсеш процессы түбән температура, чагыштырганда югарырак үсеш темплары барҗылылык оксиды. Ул шулай ук ​​күп нечкә кремницид катламнары җитештерә, чөнки фильм үсә. Бу процесс югары электр каршылыгы белән фильм җитештерә, бу башка кушымталар арасында INC һәм MEST җайланмаларында куллану өчен бик яхшы.

Химик парлы чүплек (CVD) Оксид тышкы катлам кирәк булганда башкарыла, ләкин кремний субстрат оксидлаштыра алмый.

Химик парлы чүп үләне үсеше:

CVD үсеше газ яки пар (прекурсор) түбән температура реакторына кергәндә була, анда вертылылык яки горизонталь рәвештә урнаштырылган очракта. Газ система аша хәрәкәт итә һәм колаклар өслегеннән тигез тарата. Бу провуслылар реорматор аша хәрәкәт иткәндә, бөтерләр аларны үз өсләренә сеңә башлый.

Прокуратория система дәвамында тигез итеп тараткач, химик реакцияләр бүлекчәләр өслегендә башлана. Бу химик реакцияләр утраулар булып башлана, һәм процесс дәвам иткәндә утраулар үсә һәм кирәкле фильм булдыру өчен кушыла. Химик реакцияләр сарык өслегендә икеләтүлекләр ясыйлар, алар чикләр өстендә, чик катламы буйлап таралалар һәм реактордан агып чыгалар, салынган фильмны каплаучылар белән китәләр.

1 нче рәсем

Химик парлардагы өстенлекләр:

• Түбән температураны үстерү процессы.
• Тиз чүплек ставкасы (аеруча APCVD).
• Кремний субстрат булырга тиеш түгел.
• Яхшы адым каплау (аеруча pecvd).

2 нче рәсем
Силикон Диоксид чыганак vs. үсеш

Химик парлы чүплектә яки цитата сорарга күбрәк мәгълүмат алу өчен зинһарSVm белән элемтәгә керергәБүген безнең сату коллективы әгъзасы белән сөйләшү.

CVD төрләре

LPCVD

Түбән басым химия парлары - стандарт химик парлаштыру процессы прессуризациясез. LPCVD һәм башка CVD ысуллары арасындагы төп аерма - чүп-чар температурасы. LPCVD фильмнарны куллану өчен иң югары температураны куллана, гадәттә 600 ° Cдан артык.

Аз басымлы мохит бик бер бердәм фильмны югары чисталыгы, репродуктивлык, әдәплелек белән ясый. Бу 10-1000 па арасында башкарыла, стандарт зал басымы 101,325 па. Температура бу фильмнарның калынлыгын һәм чисталыгын билгели, югалган һәм саф фильмнар нәтиҗәсендә.

• Гомуми фильмнар урнаштырылган:Полисиликон, допед һәм сүндерелгән оксидлар,нитридлар.

PECVD

Плазма көчәйтелгән химия парлары - түбән температура, югары фильм тыгызлык чыганак техникасы. PECVD CVD реакторында плазма өстәү белән уза, ул югары бушлай электрон эчтәлеге белән өлешчә ионлаштырылган газ (~ 50%). Бу 100 ° C - 400 ° C арасында булган түбән температура чүпләү ысулы. PECVD түбән температурада башкарылырга мөмкин, чөнки бушлай электроннардан энергия вафат өслегендә фильм формалаштыру өчен реактив газларны аера.

Бу чүплек ысулы ике төрле плазманы куллана:

1. Салкын (җылылык булмаган): Электроннар нейтраль кисәкчәләргә һәм ионнарга караганда югарырак температурага ия. Бу ысул депутат палатасына басымны үзгәртеп электроннарны энергиясен куллана.
2. Термаль: Электроннар - чүпләү палатасында кисәкчәләр һәм ионнар кебек температура.

Депизат палатасы эчендә радиос-ешлык ватандалыгы Вафин астындагы һәм астындагы электродлар арасында җибәрелә. Бу электроннарны гаепли һәм кирәкле фильмны чыгару өчен дулкынландыргыч хәлдә саклыйлар.

PECVD аша фильмнарны үстерү өчен дүрт адым бар:

1. Саклау палатасы эчендәге электродны электродка урнаштырыгыз.
2. Перактив газларны, чүпләү элементларын палатага кертегез.
3. Плазманы дулкынландыру өчен электродлар белән плазмага җибәрегез.
4. Реактив газ бүленеш һәм нечкә пленка ясау өчен вафе өслеге белән реакцияләр, берпродукцияләр палатадан читкә таралалар.

• Гомуми фильмнар урнаштырылган: кремний оксиды, кремний оффрист, Аморф кремний,кремний оксинитридлар (си_xO_yN_z).

APCVD

Атмосфера басымы химик парлаштыру - түбән температура чыгару техникасы, ул стандарт атмосфера басымында мичтә була. Башка CVD ысуллары кебек, APCVD депутат палатасы эчендә прекурсор газын таләп итә, аннары температура әкренләп вафер өслегендә катализны күтәрә һәм нечкә фильм төшерә. Бу ысулның гадилеге аркасында аның бик югары чүплек ставкасы бар.

• Гомуми фильмнар салынды: Хурланган һәм сүндерелмәгән кремни оксидлар, кремний нитритлары. Шулай ук ​​кулланылааннальинг.

HDP CVD

Highгары Таңлы Плазма химик парлаштыру - югары тыгызлык плазмасын кулланган PECVD версиясе, ул чүп-чар палатасы кысаларында хәтта түбән температурага кадәр (80 ° C-150 ° C арасында). Бу шулай ук ​​зур окоп тутыру мөмкинлекләре белән фильм тудыра.

• Гомуми фильмнар урнаштырылган: кремний газид (сио₂), кремний нитриды (си₃N₄),Кремний Карбид (SIC).

SACVD

Субатмосфера басымы химик парлаштыру башка ысуллардан аерылып тора, чөнки ул стандарт запас басымыннан түбән, һәм Озонны куллана (О.₃) реакцияне катализизацияләү өчен. Чүп процессы LPCVD-тан югары басымда була, ләкин якынча 13,300 па һәм 80,000 па белән түбәндә, ул якынча 490 ° C якын арада арта бара, бу вакытта ул кими башлый.

• Гомуми фильмнар урнаштырылган:BPSG, PSG,Теос.

Шаньг Чжунг махсус керамика К. Sic Techniet Ceamic: MoH-ның катылыгы 9 (яңа Мохның каты булуы 13), эрозиягә һәм коррозиягә яхшы каршылык белән, искиткеч абразия - каршылык һәм анти-оксидлашу. SIC продуктының хезмәт күрсәтү тормышы - 92% Алумина материалдан 4-5 тапкыр озынрак. РБСИКның Морбның 5-7 тапкырга, SNBSC, аны күбрәк катлаулы формада кулланырга мөмкин. Чыгару процессы тиз, тапшыру вәгъдә ителгәнчә, сыйфаты икенче түгел. Без һәрвакыт максатларыбызга каршы торырга һәм йөрәкләребезгә җәмгыятькә кире кайтарабыз.