Кремнион Карбидны торгызу (RXSIC, RSICH, R-SIC). Чимал башлану - Кремикон Карбид. Тикшерү СПИД кулланылмый. Соңгы консолидация өчен яшел компактлар 2200 гә кадәр җылытыла. Нәтиҗә ясалган материалның якынча 25% порозит бар, ул аның механик үзенчәлекләрен чикли; Ләкин, материал бик саф булырга мөмкин. Процесс бик экономияле.
Реакция белән бәйләнгән кремний карбайд (рбсик). Чимал башлану - кремний карбид плюс углерод. Яшел компонент аннары эретелгән кремний белән реакция белән 1450ºк белән бетте: SIC + C + SH -> СИК. Микробтрут, гадәттә, югары температурлык һәм коррозия каршылыгын чикли. Аз үлчәмле үзгәрешләр процесс вакытында була; Ләкин, кремний катламы еш кына финалда өлештә катнаша. ZPC RBSIC алдынгы технологияне кабул итәләр, кием асты өлеше, тәлинкәләр, плиткалар, циклон яки коррозия каршылыклары, җылылык алмашкыч, торба, торбалар, трубалар һ.б.
Нитрид Бәйләнешле кремний карбид (NBSIC, NSIC). Чимал башлану - кремний карбид плюс кремний порошогы. Яшел компакт SIC + 3SI + 2N2 -> SI + SI3N4 килеп чыга торган азотлы атмосферада атыла. Соңгы материал эшкәртү вакытында аз үлчәмәнәк үзгәрешне күрсәтә. Материал ниндидер торбаны экспонат итә (гадәттә якынча 20%).
Туры гөнаһлы кремний карбайд (SSIC). Силикон Карбид - чимал башлану. Тикшерү әсбаплары Борон плюс углерод, һәм денизация 2200ºc өстендә каты дәүләт реакция процессы белән була. Аның югары температурасы һәм коррозия каршылыгы ашлык чикләрендә пыяла икенче этап булмау аркасында өстен.
Сыек этаплы семинарлы кремний карбайд (лисси). Силикон Карбид - чимал башлану. Тикшерү СПИД - YTTRii oldide плюс алюминий оксиды. Тикшерү 2100ºк өстендә сыек-этап реакциясе белән була һәм пыяла икенче этапта нәтиҗәләр. Механик үзенчәлекләр, гадәттә, SSICдан өстенрәк, ләкин югары температура үзенчәлекләре һәм коррозия каршылыгы яхшы түгел.
Кайнар семнион карбайд (HPSIC). Силикон Карбид порошогы чимал башлангыч буларак кулланыла. Терү әсбаплары, гадәттә, бор бор, йорты оксиды плюс алюминий оксиды. Тикшерү графиттагы механик басым һәм температураны бер үк вакытта була. Формалар гади тәлинкәләр. Аз күләмдә гөнаһлы әсбаплар кулланылырга мөмкин. Кайнар конкрет материалларның механик үзлекләре башка процессларның чагыштырганда төп корпус буларак кулланыла. Электр үзлекләренә тыгызлык ярдәмендәге үзгәрешләр белән үзгәртелергә мөмкин.
CVD кремний карбайд (CVDSIC). Бу материалны реакция белән бәйле "CVD) процессы белән формалаша: CH3SICL3 -> SIC + 3HCL. Реакция H2 атмосферасы астында, дистрит субстратына салыну белән. Процесс бик зур чисталык материалга китерә; Ләкин, гади тәлинкәләр генә ясалырга мөмкин. Чүп процесс әкрен реакция вакыты аркасында бик кыйммәт.
Комплекслы химикон карбайд (CVSIC). Бу процесс графит халәтендә чиста җиһазларга салынган милләте белән графит прекурсорыннан башлана. Конверсия процессы предметлары графит өлеше поликристалл чыгару өчен SYCRETRAY-реакторга, стохиометрия дөрес. Бу нык тотылган процесс катлаулы дизайннарга тулысынча үзгәртелгән SIC өлешендә җитештерелергә мөмкинлек бирә, алар толерантлык үзенчәлекләре һәм югары чисталык бар. Конверсия процессы гадәти җитештерү вакытын кыскый һәм башка ысуллардан тора.
Пост вакыты: 16-2018