Генерал.әр сүзнеңРеакцияБәйләнгән SiC
Реакция бәйләнгән SiC механик үзлекләренә һәм оксидлашуга каршы торуга ия. Аның бәясе чагыштырмача түбән. Хәзерге җәмгыятьтә ул төрле тармакларда игътибарны җәлеп итә.
SiC - бик көчле ковалент бәйләнеш. Синтерингта диффузия дәрәҗәсе бик түбән. Шул ук вакытта, кисәкчәләр өслеге еш кына нечкә оксид катламын каплый, ул диффузия барьеры ролен башкара. Чиста SiC синтерлаштырмыйча, синтерланган һәм компакт. Кайнар басу процессы кулланылса да, ул шулай ук яраклы өстәмәләр сайларга тиеш. Бик югары температурада гына, теоретик тыгызлыкка якын инженер тыгызлыгы өчен яраклы материаллар алырга мөмкин, алар 1950 ℃ 2200 the диапазонында булырга тиеш. Шул ук вакытта аның формасы һәм күләме чикләнәчәк. СИК композитларын пар парламенты белән алу мөмкин булса да, ул түбән тыгызлык яки нечкә катлам материаллары әзерләү белән чикләнә. Озын тыныч вакыт булганга, җитештерү бәясе артачак.
Reaction Bonded SiC 1950-нче елларда Поппер тарафыннан уйлап табылган. Төп принцип:
Капиллярлы көч тәэсирендә сыек кремний яки кремний эритмәсе реактив активлык белән углерод булган күзәнәк керамикага үтеп керде һәм реакциядә углерод кремнийы барлыкка килде. Яңа формалашкан кремний карбид ситудагы оригиналь кремний карбид кисәкчәләре белән бәйләнгән, һәм тутыргычтагы калдыклар тыгызлык процессын тәмамлау өчен импрегинацияләүче агент белән тутырылган.
Кремний карбид керамикасының башка процесслары белән чагыштырганда, синтеринг процессы түбәндәге үзенчәлекләргә ия:
Түбән эшкәртү температурасы, кыска эшкәртү вакыты, махсус яки кыйммәт җиһаз кирәк түгел;
Реакция, кыскартылмаган яки зурлыгы үзгәрмәгән бәйләнгән өлешләр;
Диверсификацияләнгән формалаштыру ысуллары (экструзия, инъекция, басу һәм кую)。
Формалаштыру ысуллары күбрәк. Синтеринг вакытында зур күләмле һәм катлаулы продуктлар басымсыз ясалырга мөмкин. Кремний карбидының реакция бәйләнеше технологиясе ярты гасыр дәвамында өйрәнелгән. Бу технология уникаль өстенлекләре аркасында төрле тармакларның игътибар үзәгендә булды.
Пост вакыты: Май-04-2018