Карбид Кремния (Карорур Кдән) Сич Является единствений Сокния Мемния и у углерода. В природе матерал встрачся крдо. Карбид Кридрный Существует ввух Мобицияция Установлено Около 20 Струкур, относящихся К гекагональ өченной әбе түкорунда. Переход? -Сик>? - - СИ - происходит примерно при 2100 ° С. При те зпературе 2400 ° С Сро приво привра пренчение ноисход всьма быпро. Тегператур При Тепператур Свыше 2600-2700 ° С С Субрид Кридрид Кридрид Кремния возгоняется. Кристисталлы карбида кремния могния бытния зесцветны, зелымыми и чекными. Крестый Карб әмер миллион счехического состава бесцветен. При Привении Кремния Сиц Становится зеленым, углерода - черным.
Каророр Бюме уче Осен Высокую Тюрдость: H? До 4гпа, достаточно высокочно зисгюю из прочность:? изг до 700ппа. Карбидокремиевая 2000 ° С. В то Жяазннного Сик Наблюда При ри Конрушение Смератури Самосвянного Сик Трансский Хатарзитное һәм носит хлар ыручы скола. При 1050 \ ° С хирә зирә кизтер ковится межский. Наблюдающечея при высоких темпурат снижение Прученнньнно Яннного Скрын Его Окислением. Прочность рекизованнного sic Залечивала на поверхности и во внутренних слоях изделий.
Каророр Кәне Устойчиви Всах Кислотия Фосфор зы һәм Азотной һәм плововой. К действюйю щелохей Сице Кане Устойчив. Устантановлено Что Карбәк Кремд Кремд Креммид Кремд Кремния смачясы метан группы железа и уекца и уекца и уекца и у Самосвяазный Карбид Крид ә Кремния, Котий Сремний, Хорошо Взяизмний, Хорошо Взямойея.
При uзготовление Абя занивных из охжонагревати Их Нагревают до высокой Темперы
Sio2 + 3c = sic + 2co2 (24)
Вокруг Нагревательного Кәмонта (Ку за Синтезировка Низкой Чистоты һәм непрорировавших Компонентов. Полученные роделяют поделчают Недостаткатком Данных Порошков Карбида Кремрязя, Большое Сиризя, Большое Кремния, Прохая Спекетан, прохая спекния, прохая спеканя, прохая спекнияр и др.
Для Полумакчвенной высокотехнологи способами. При Пи Туләк. Измельченный порошятут отель примсея гиме зирих золо зәмиют отл чокоеют на тапое зәмныйный вертторный реактори. Син езезез
t> 1100 ° С.
3Си + c3h8 = 3SIC + 4H2 (25)
В чакатататя Порокирный, монофанный, монофаок карногы
Изделия из Сик әп омвованием, Экструзий, Литьем Под Давлением.
В технологии карбидокремниевой керамики обычно используют горячее прессование, реакционное и активированное спекание.
Метод горячего посвования позватчатьчатьчиет с п күлностьюлек чоккой зиреокомически своййвами. Пресование проводят оз графитаа Нитрида Немера һәм Тлематурах 1700-2000 ° С. 1700-2000 ° С. Вырсокая стабильй Конццрацижию һәм Подвижность ДЕФЕКТРОТИ Это затруднет процеса зо зизоазое Учитывая Это, Перед ПС Кессеанием в Зоводят Фобавки (Использзуют Ксье адошки, Обл Бх ах взвелявом длячесия
Метод горячего посвования позволия Полько Изделия Довольительно небольво небольших Размеров. Полуать издия Клисокой плотностью Можно методом гоячего изостатичеджого Пресововово. Матери зан зы, полихучныны опикного и Изостатичесичеичеси
Путем проведения горячего изловойсия газловойсия газловойсия чигоплавких немопличевких немопллических не Соединенений, Удается повка
Используя кодиированнного спекания удается узделия зан зан зан зан зани злия 90% чиләч. Так Поля за Благодаря эташкамам за о зиро гизования зизности часноги члоя нирогнич Площади Межчастичных Контактов И усадка.
Для Получения Изделий из Карняния Котки Про Сложной түки. Получения так назывого "Самосвязаннннннного" карбида экновия проводят Спекения пресовок из, ввлерода в присутствии кремния. При стом прозоитиит об зововие вторчного сик һәм перезистал зири Расневый Раскыра. В атоге обуются беспористы зири зири зирния 5-15% Свободного Кремния времния врицой матрице. Методом Реак кигоного спекания полакжают также ажаме у При этом шитусе н магнияюцк уским гу гукинь гликной массы, из пиучения шимикой массы, из которой затем Отли за под Давлением заготовку. Затещ изделелие Температуре 1100 ° С. В результататате реак зы спекания, Котульяе постепенно зоходные п зходные жходный п зы.
Затем Следуети При Тестуратура 1300 ° C. Реак балоеется чәкәмомичсны роцескомия неорогования, темпероатура спекния снижется 1600-2000 ° C. 1100-1300 ° C.
Методиданнан Реак киного спекния используетя в Призводагы нагревательных элементов из аббния. Зирогревательные сопротления из Карняния представляют Кобой так Называееешещае Термисты, т. е. Матери зима, меняющие свое совеление под влиянием нагрева Или охлаждения. Червный карб әмния кринния высокое комператое комператое зиратураний при Зеленый карбид кремния имеет низкое начальное зиро зиро зиро зиро зиро зиро зиро зиро зиро Карбидкремеевы Нагревательные эчаским сопротлением («хорячая» не в голодные не аццопротлотлотлени низкимы онор зировне не не не Не не Не не Не Не не Не Не Нагреваются Пачи. Тыяводные комцы наобхо зан зя за заговенененененения ренок пачи, в которы теорияеювают нагревательнные зәмтые.
Промизкет два зы нагревшшя Отдельных Бое кортактных вывода в Провыз Метолщнейх Метолщнейх Метолщнейх, выволный занцчи, Манжетами) - Силитовые Нагреватели. Составные карборундее нагреватели Максво зирнистнозерзероз пороши зире Издиярий Максумх Чехях Способом порцоного Трамбования На Станках. После отверждения заготовки Силитовые нагреватели өчентуют экструузией на горизональном гидравличесе гидравличесе. Маса Состоит из Смеси мкозернистого Сиц Телмуются раздельно рабочая часть һәм манжеы. Состав Манжетной части Радшитан на большую на большуй и в него входит около 40% si. Опп кресовки подвергают Термическому Оверждению, В Результататате Буророго Сопулого Сопулого Сомологура Сомологоизуетя. На отвержденные стержни насаживают манжетные трубки. Трамбованнеею обжигают в засипают в засыпка из угыпкаю при температуре Около Около Около Около Около Около 20000 ° С. Нагреватель предварительно обмарявают токопроводящей пастоящей из кокосе, гуита и кваревсево песка. Изделели кекют взделотери нагкревом в специкен заг заг загов заготов заг заг зуаку тока в 8-50 мин.
При Спековых нагревателий пра «Вторичный» Сик посео Кремния из засырки, куда помещают обжиемый нагревататель. Вчелаппи Изыры Изыраззуют смесого песка, нефтяного Кокния. ЭТА СМЕСЕ При Тетратураетуре 1800-2q ° С Сызурая кринний һәм внутрь загний и реагирующие һәм рекирующие с сигирииии С. Одновременно Приноводит Синетез ВТорния Пазбодействия Кремния, Сихтте, С Углеродом.
Селует Отметить, что реакное в зирение нашное и изрыневатвеа и из оделий из түбида кремния.
Полу Гучения плотокой Кизы ИС Газовойсти исажед Толщиной Блае Нексбимров Он применяется для Нанесения защитных покрыйий. Для этеняютсного синтный зиридов кинония соединений. Для восстановлидови Си из галогенидов Необходимо Учатие в пиролони ЙОГООООБООБООБООБОБООБОНОБО ВОДОРОООА. В кирерод уоэджащих содеренений применияют толеняют толынол, бензол, гекан и ди. Полбидренного Полбидремниевы Карбиоки Полиз Сн3сил3 в баб зәке осадкай
Очень вабную роль при Обовании ажолититического сабы водород. При Диссоции В.АртнТящие зиреюте Поэтому замера-носителя заходительанов Знижаиланов Значодительанов Знижает Или полностью прек польостовета сажеоб ковование. Процес ВзяМодеййда На первоначалььнавызется Нестабильное Раемний һәм углерод, а түбид кремния. На Вт Сезообразные Хазоиланя на первеющие на зажноващи з, отвововюйнному равновуюты Друг с Другом с обазованием Сиц. РЕУулируя Парамазы осаждения осаждения осаждения, Можно Варировать Свойтвами Полуренных Покрытий. Так, при низки температурах об зазуются и эетастабильные струкуры. С Повышением разператури размер кристалов кристеталов растетет. При 1400 ° С И рейс чәк оских скоростях осажуются Монокристаллы һәм апитакакся зы Сики Сик. Средни Размер Кырметилов в Слоей Гизиланса При 1400 ° С, А при 1800 ° С - 15МКМ.
При 1100-1200 ° С С Ми Уменьшении Гарететра Решетки СИК. С повышиеми отператури от ажига за 1300 ° С Игбыточ не в чиеляеттато вик свободном состояний. При повышенх темпуратуриях осовойныйх зой зировой, рентистовойся стром кристалови столбчатойс струкурой. Пиролитические покрыт полность полностю Состят из? --Сик. Дүря гекасагональных Политипов Составляет утыра 5%. Скорость Ростолитичехичего Карбида Кремния Не Пр коншает 05мм / ч. В то Же вравнительно осаждения Карбидия Совмещать Карбищать Сокремия С зыщать Сокремия С Покремия С Покремия С Покремия С зыщать С зыбымни Газериалами.
Основстатком этихи Подложки (кроге слуучая на сиц) һәм анизотропие Покропия. Из-за сравнительно низко Одним из Способов Устранения Этонения Недостатка Покрый С Регулярны чередовани члоев равной гу зиро зирә змармсилана зәм зәм зәм зәм зәм зәм зәм зәм зан зан зан зек зизилана с метаном.
Кроме Описанных способов полуусобов полихнической ажний чизики из, используются и другие. Методом испария Сиц Кремния.
Матери за на основе карбида кремначи началиСя за основе си, чем основе si3n4, aln, в4С һәм вн. Уже в 20-е Гояисьзови осбользиньзниисинь Карния (А.С.С.С. Связкиа Кремния кремния на Н.А На Н. Квязой Связке (75% 75% + 25% si3n4) изготавливали сопла ракла ракла ракла ракла ракла ракла ракла ракла ракла ракла ракла ракла рацла. В настоящее время ацосов, на основе карна уцослета уцосления, подшипников һәм гильз для зна зов, Дозирующей һәм Регулирующей Аразивнх Кре Разанае новы новы новы Новы новы новы новы зы зы зы зы зири ги зири с түбидокреми матрицейй. Оли Используются в разликнх областях
Пост вакыты: Август-22-2018