SiC'de Seramik – Seramik Seramikte

Karbür krema (karbon) SiC, karbüratörle uyumlu bir krema ve углерода'ya sahiptir. Bu malzemeyi doğru şekilde temizleyin. Карбид кремния существует в двух модификациях, из которых ?-модификация является политипной и представляет ой сложную структуру гексагональной формы. Установлено около 20 структур, относящихся к гексагональной форме karборунда. ?-SiC>?-SiC 2100°С'den itibaren kullanıma uygundur. Sıcaklık 2400°С olup, bu sayede daha iyi bir sıcaklık elde edilebilir. Ortam sıcaklığı 1950-2000°С, ortam şartlarına göre uygun sıcaklıkta hiçbir mod. Sıcaklık 2600-2700°С'dir. Кристаллы карбида кремния могут быть бесцветными, зелеными ve черными. Чистый карбид кремния стехиометрического состава бесцветен. При превышении содержания кремния SiC становится зеленым, углерода – черным.

Карборунд имеет очень высокую твердость: H? 45ГПа'ya kadar, en fazla 700МПа'ya kadar: Гизг. Карбидокремниевая керамика сохраняет примерно постоянную прочность до высоких температур: температура перехода от кого к хрупкопластическому разрушению для нее составляет 2000°С. Bu, SiC'nin sıcak hava koşullarında daha iyi performans göstermesini sağlar. При комнатной температуре разрушение самосвязанного SiC tranскристаллитное ve noсит характер скола. При 1050°С характер разрушения становится межкристаллитным. SiC'nin sıcak hava sıcaklığının çok daha düşük olması nedeniyle sıcaklıklar düşüktür. Прочность рекристализованного SiC с увеличением температуры не уменьшается ve, более того, возможно ее увеличение, вязанное с образованием слоя аморфного SiO2, который залечивает дефекты на поверхностина ve во внутренних слоях .
Карборунд устойчив против воздействия всех кислот, за исключением фосфорной ve смеси азотной ve плавиковой. К действию щелочей SiC çok etkilidir. Gerçekten de, karbür kimyasallar metal gruplarının yanı sıra metallerle kaplıdır. Самосвязанный карбид кремния, который содержит свободный кремний, хорошо взаимодействует со сталью.

При изготовлении абразивных и огнеупорных изделий из SiC, а также карбидокремниевых электронагревателей, ными материалами служат кремнезем (кварцевый песок) ve кокс. Их нагревают до высокой температуры в электрических печах, осуществляя синтез методом Aчесона:

SiO2+3C=SiC+2CO2 (24)

Вокруг нагревательного элемента (керна) получается зона синтезированного продукта, а за ней – зоны кристаллов низкой чистоты ve непрореагировавших компонентов. En iyi ürünler, en iyiler, en iyiler ve en iyiler Kriminya общего назначения. Недостатком данных порошков карбида кремния являются высокая загрязненность примесями, большое содержание диокс ида krem, плохая спекаемость ve др.

Для получения высококачественной конструкционной керамики необходимо использовать высокочистые, гомогенные, окодисперсные порошки SiC, которые получают различными высокотехнологичными способами. При получении порошков методом синтеза исходный metal кремний подвергают дроблению и помолу валковой meльнице. Измельченный порошок отмывают от примесей в смеси неорганических кислот ve направляют на тонкое измельче özel bir elektrikli reaktör değil. SiC, özel bir siparişte SiC'nin satın aldığı ürünle ilgili olarak şunları söylüyor:

t>1100°С

3Si+C3H8=3SiC+4H2 (25)

В результате получается высокодисперсный, гомогенный, активированный порошок карбида кремния монофракционного тава, имеющий высокую степень чистоты.

Изделия из SiC formu прессованием, экструзией, литьем под давлением.

В В технологии karbüratörlü seramik обычно используют горячее прессование, реакционное и активированное спекани e.

Malzemelerin Kullanılması İçin En İyi Yöntem ческими свойствами. 10-50 МПа ve sıcaklık 1700-20 için en uygun fiyat ve en uygun fiyat 00°С. Высокая стабильность кристаллических решеток тугоплавких неметаллических соединений, связанная с наличием ких направленных ковалентных связей, определяет низкую концентрацию ve подвижность дефектов решетки, сть в ней диффузионных процессов. Bu, çok daha iyi ve daha kolay bir şekilde gerçekleştirilebilecek bir çözümdür. вердофазном spекании. Bu, перед прессованием в керамику вводят активирующие спекание добавки veya проводят физическое ие (используют ультрадисперсные порошки, обрабатывают их взрывом для увеличения дефектности, удаляют с поверхност и влагу и оксидные слои и т.д.).

Метод горячего прессования позволяет получать только изделия довольно простой формы ve относительно небольших ров. En iyi yöntem, en uygun yöntemin kullanılmasıdır. Malzemeler, en uygun yöntem ve en iyi şekilde hazırlanma yöntemleri, en iyi şekilde kullanılabilir.

Путем проведения горячего изостатического прессования при высоких давлениях газовой среды (1000МПа), х диссоциации тугоплавких неметаллических соединений, удается повысить температуру процесса до уровня, котором spечивается veya plastik деформация.

90%'e kadar koruma sağlamak için SiC'yi etkin hale getirme yöntemi oжения давления. SiC'nin, çevre dostu ve alüminyum alaşımlı malzemelerde kullanılmasına izin verilir. Благодаря этим добавкам за счет образования диффузионного слоя на поверхности частиц, их консолидации ve укрупн ения при зернограничной диффузии происходит увеличение площади межчастичных контактов ve усадка.

Для получения изделий из карбида кремния также широко используется yöntemi, который позволя ет проводить процесс при более низких температурах ve получать изделия сложной формы. "самосвязанного" kredi kartı ile SiC ve satın alma işlemlerine devam etmek ya da krem. Bu, SiC'nin mükemmel bir şekilde işlenmesini ve SiC'nin kötü amaçlı yazılımdan korunmasını sağlar. В итоге образуются беспористые материалы, содержащие 5-15% свободного кремния в карбидокремниевой матрице. Bu yöntem, her gün için uygun bir ortam olan SiC ve SiC'nin korunmasını sağlar. При этом шихту на основе кремния ve других веществ смешивают с расплавленным легкоплавким органическим ( парафином ) до получения шликерной массы, из которой затем отливают под давлением заготовку. Затем изделие помещают в науглероживающую среду, в которой сначала производят отгонку легкоплавкого о, 1100°С sıcaklığa kadar güvenli bir şekilde ısıtılır. В результате реакционного spекания образуются частицы карбида кремния, которые постепенно заполняют yani.

Cihaz sıcaklığı 1300°C'ye ulaştığında açık kalır. Реакционное спекание является экономичным процессом благодаря применению недорогого термического оборудования, Sıcaklık aralığı 1600-2000°C ile 1100-1300°C arasında değişmektedir.

En iyi özel bakım yöntemi, karbüratör ve karbüratör kremini kullanmaktır. Электронагревательные сопротивления из карбида кремния представляют собой так называемые термисторы, т. e. Malzemeler, en uygun veya en iyi şekilde koruma altına alınabilecek malzemelerdir. Черный карбид кремния имеет высокое сопротивление при комнатной температуре ve отрицательный температурный gerçek bir uyum. Зеленый карбид кремния имеет низкое начальное сопротивление ve слабоотрицательный температурный коэффициент, 500-800°С sıcaklığa kadar hava şartlarında muhafaza edilir. Карбидокремниевые нагревательные элёменты (КНЭ) обычно представляют собой стержень veya трубку, имеющую среднюю рабочую часть с относительно высоким электрическим сопротивлением («горячая» зона) и выводные («холодные) ») Çok küçük bir sorunla karşı karşıya kalabilirsiniz, ancak bu durumda herhangi bir sorun yaşanmaz. Bu, bir gün öncesine kadar elektrik bağlantılarıyla bağlantı kurmanıza yardımcı olacak bir şey değil. разрушения стенок печи, в которые укладывают нагревательные элементы.

Промышленность выпускает два типа нагревательных элементов из karbür kredi: составные нагреватели, е название карборундовые, имеющие рабочий стержень ve два отдельных более коротких вывода в виде metal alaşımları ve metal kaplamalar tel. Составные карборундовые нагреватели формуют из полусухой массы, состоящей из крупнозернистого зеленог о SiC с добавками сажи (%1,5) ve жидкого стекла. Kartpostallar, şehir merkezindeki trafik akışının bozulmasına neden oluyor. 70-80°С sıcaklıktaki elektrik süpürgesi, 800°C sıcaklıktaki elektrik prizine uygundur. 850°С. Силитовые нагреватели формуют экструзией на горизонтальном гидравлическом прессе. Çoğu, çok hafif SiC, çok (%20) ve yumuşak metallerden oluşur. Формуются раздельно рабочая часть ve манжеты. En az %40Si içeren bir miktar temizlenmiş ve temizlenmiş. Отпрессованные заготовки подвергают термическому отверждению, в результате которого смола полимеризуется. Hiçbir şekilde çok fazla sorun yok. Трамбованные заготовки обжигают в засыпке ve углепесочной смеси около 2000°С sıcaklıkta. Нагреватель предварительно обмазывают токопроводящей пастой, состоящей из кокса, graфита и кварцевого песка. Изделие спекают прямым электротермическим нагревом в специальных печах пропускании через заготовку тока 80-100A ve 40-50 dk.

При спекании силитовых нагревателей имеющиеся в массе углерод ve кремний превращаются во «вторичный» SiC по механизму условиях выделения парообразного krema ve засыпки, куда помещают обжигаемый нагревател ü. Bu, yeni bir cilt ve karpuz kreminin yanı sıra yumuşak bir cilt bakımı için de geçerlidir. Bu sıcaklık 1800-2000°С'ye ulaşır ve bu da sıcaklıkları ve sıcaklıkları azaltır. щие с твердыми Si ve С. Ana Sayfa углеродом.

Следует отметить, что реакционное спекание впервые нашло свое практическое применение именно в производстве елей изделий из karbür kremi.

Для получения плотной керамики ve SiC высокой чистоты используют также осаждения из газовой фазы, no из- за технологических трудностей ve невозможности получать изделия толщиной более нескольких миллиметров он я нанесения защитных покрытий. SiC'yi kullanmak için en uygun yöntem ve kredi kartı ve sıcaklık yöntemi ческой диссоциации газообразных кремнийорганических соединений. Для восстановления Si ve галогенидов необходимо участие в пиролизе газообразного водорода. В качестве углеродсодержащих соединений применяют толуол, бензол, гексан, метан и др. Для промышленного получения карбидокремниевых покрытий более удобен yöntemi термической диссоциации иланов, имеющих стехиометрическое соотношение Si:C=1:1. Пиролиз СН3SiСl3, SiC ile temas halindeyken 1400°С'ye kadar sıcaklıkta çalışabilir.

SiC'nin yeniden yapılandırılmasının ardından bu işlemi gerçekleştirin. При диссоциации трихлорметилсилана в инертной атмосфере без участия водорода протекают реакции, приводящие к о бразованию krema ve углерода, не SiC. Sıcak hava şartlarına uygun olarak sıcak hava şartlarına dayanıklı metaller т выход SiC ve снижает или полностью прекращает сажеобразование. Процесс взаимодействия трихлорметилсилана с водородом протекает в две стадии. На первоначальной стадии устанавливается нестабильное равновесие, при котором в качестве конденсированной фаз ы выступают krem ​​ve углерод, а не карбид кремния. На второй стадии газообразные хлорсиланы ve углеводороды, образовавшиеся на первой стадии в концентрациях, ающих метастабильному равновесию, реагируют друг с другом с образованием SiC. Регулируя параметры протекания процесса осаждения, можно варьировать свойствами полученных покрытий. Böylece, düşük sıcaklıklar ve metal yapıları ayarlayabilirsiniz. С повышением температуры размер кристаллов растет. 1400°С ve низких скоростях осаждения образуются монокристалы ve эпитаксиальные SiC ile. SiC'de yüksek sıcaklık, 1400°С'den itibaren 1 metreye ve 1800°С – 15 metreye kadar yüksek sıcaklıklara dayanıklıdır.

При 1100-1200°С может образовываться неравновесный твердый раствор со сверхстехиометрическим угле Bu, замещающих атомы кремния, что сказывается на уменьшении параметра решетки SiC. 1300°С'ye kadar sıcaklık ayarı veya daha düşük sıcaklıkta yeniden ayarlama в свободном состоянии. Sıcak hava sıcaklığı ve düşük sıcaklıklar ов ve формирование столбчатой ​​структуры. Пиролитические покрытия почти полностью состоят из ?-SiC. Kredi faiz oranı %5'e kadar çıkıyor. Скорость Скорость пиролитического карбида кремния asla 0,5 mm/ч ilerleyemez. En uygun sıcaklığın (1100-1550°С) en uygun şekilde ayarlanması için ия конструкционными malzemeler.

Sıcak havanın sıcaklığının düşük olması ратурных коэффициентов линейного расширения покрытия и подложки (кроме случая нанесения SiC на SiC) ve анизотропией покры işte. Из-за сравнительно низкой температуры осаждения напряжения не релаксируются ve покрытия растрескиваются. Одним из способов устранения этого недостатка является получение слоистых покрытий, t.e. покрытий с регулярным чередованием слоев равной толщины пироуглерода ve SiC, осажденным из смеси хлорметилсилана с мет anom.

Кроме описанных способов получения технической керамики из SiC, используются ve другие. Методом испарения SiC ve его последующей сублимации при 2100-2300°С без использования связок ve активирующих вок получают так называемый рекристализационный карбид кремния.

значительно раньше, основе Si3N4, АlN, В4С'deki malzemeler ve ВN. 20 gün boyunca kimyasal maddelerle ve kimyasal maddelerle (%90SiC+10%SiO2) 50 gün boyunca Анитридокремниевой связке (%75SiC+25%Si3N4) ile karıştırılan krediler için uygun bir oran. В настоящее время керамика на основе карбида кремняется для изготовления уплотнительных колец для насосов, прессоров, смесителей, подшипников ve гильз для валов, дозирующей и регулирующей арматуры для коррозионных ve абразив ных сред, деталей двигателей, metalлопроводов для жидких metaller. Karbür malzemelerle ilgili yeni malzemeler. Они используются в различных областях, например в самолетостроении ve в космонавтике.

2345_image_file_copy_5 SiC gömlekleri (1)_副本


Gönderim zamanı: Ağu-22-2018
WhatsApp Çevrimiçi Sohbet!