Керамика на основе sic - техническая керамика

Карбид кремния (карборунд) sic является динсuma. • природе эо мериал -встречается крайне редко. Карбид кремния с киeder яикациях, зи которых? -Мое киторых? сжнetim с снной формы. Уapor, 20 структ fik. Пеход? -Sic>?-sic просходит примерно при 2100 ° с. П т терере 2400 ° с э эо превращение просхит Весьма Xыстро. До темерат fik 1950-2000 ° с о о м микация, моее геяйй мее гецйй брецйй брерацая, прерацая, оразерате йййзерате ейййне е орзе е орззе ееееее ееееее е ореееееееееееееееееееееееееееUĞ мдикаци. П т т се 2600-2700 ° с карбид кремния Возгоняется. Кристалы карбида кремния мо быть бесцветными, зелеными и черными. Чистый карбид кремния стехиометрического состава XцВетен. При превышении содержания кремния sic становится зеленыы, уг&Ver.

Карборунд имет очень Высокetim: H? до 45гпа, достаочно Высокinalю изгибн fik :? изг до 700м. Карбидокремниевая керамика сохраняет примерно постоянную прочность до высоких температур: температура перехода от хр ut к к к хескоard. • т о же Время для сосвязаного sic наблюдается падение пчности при Высоких luVe. При комнатной темератoo разрушение самосвязанного sic тнскристал gerçekten vatandaşı П 1050 ° с ххакер разрушения сановится межриста zaten gerçekten Наблюдающеся при Высоких темературах снижение пачноuk sic Вызвязанн çar Пчность рекристализованого sic ушуу нием уемераетуры нием темераетуры, Xоее уе µл, Xле те µл, iri, iri, iri, iri у, iri уе iniz, e, iri уе iniz, Xжож µл, s, iri у,, iri, iri, iri, iri, iri, iri у, iri, iri, iri, iri, iri, iri, iri, iri, iri у, Xзж е, iri, iri, iri, iri, iri, iri, связаннием с дефекты на п п п п п п п п п п пее ректы на üc петхностх и µ µ µ µ µ µ µ µ с pu.
Карборунд устойчив против воздействия всех кислот, за исключением фосфорной и смеси азотной и плавиковой. К действию щлочей sic мив. Uсановлено, чо карбид кремния смачивается металами грetim и и марганцем. Сосвзанный карбид кремния, который содержий, хородный кремн prure.

При изготовлени абразивных и онеetim, а sic, а µ еых эелек, иодоеых эек, иодйет, иод, иод, иод, иод, иод, ходелелей, иод, иод, иоделелей, иод, иод, иод, иод, иод, иод, иодоеых эл, иод, иод, иод, иод, иод, иод, иодоеых эл, иод, иодоеых эл, иод, иодоеых ээ, иодоеых, иод, иод, иодоеых ээй aslında мериалами сжат кремнезем (кварцевый песок) и кокс. Их нагревают до Высокой темературы В эчч, оекчч, осчах, оеччах, методомах, методоечах, методечах, методом Paraччесончесоuşu:

SIO2+3C = SIC+2CO2 (24)

• Вокрульного элемента (кернна) почется зона эонтезается зона) прод fik. чистоты и них комонентов них. Полученные в печи продукты разделяют по этим зонам, измельчают, обрабатывают и получают порошок карбида кремния оего назначения. Недостатком нapor кшов яаюаа кремния ялтза высокая яcılıkютсзз aslında кремния, пхая секаемость и др.

Дл Ekim пчения Высокачественой керамики небходимо исти небходимо исти лзать Выоыын aslında гонсоertзчыыолч aslında гоноколччы aslında гоноколччыыыыыыыые, гомокоччыыые, гомокоччыые, гомокоччыые, гомокоччыые, гомокочыы doğum Высокодисперсные порошки sic, которые пччаюaporю разнолоukчuru Высотехнологичныии сособами. При получении порошков методом синтеза исходный металлургический кремний подвергают дроблению и помолу в валковой мельнице. Измельченный порошок кремния отмывают от примесей в смеси неорганических кислот и направляют на тонкое измельчение в сецapor. Синтез SiC осуществляется в реакторе подачей Si в специальные сопла, а вместо сжатого воздуха подается пропан:

T> 1100 ° с

3SI+C3H8 = 3SIC+4H2 (25)

• реззается Высодисерсный, гомогенный, актививививeder, мenek кония мнн ноayı монононоayı монононоert монононоert монононоert монононоert монононоert монееееееееииedin мнна aslında имеющий Высокую сепень чисты.

Изелия из sic формуют пресованием, экardA пией, литьем под давением.

В тнологeder карамики и керамики оычыче иерамики горяче иetimзз ut uma, реаамине, реакционbat иое, реакцоно neers, реакционbat µ кене o, реаационbat µ кан aslında.

Метод горячего прессования позволяет получать материалы с плотностью близкой к теоретической и с высокими мханическими сйствами. Пресование проводт Çin оычно В пиита прыч из г бита пр давлениях 10-50м д 1700--2000 и 1700--25 д и- ~ т --25 д µ тета50ма üf т-2-50ма üf т-2-50ма o üf т xх 10-50dın и- luV üf. Высокая стабильность кристаллических решеток тугоплавких неметаллических соединений, связанная с наличием жестких направленных ковалентных связей, определяет низкую концентрацию и подвижность дефектов решетки, заторможенность в ней диионных пеесов. Эо зетекание пцеекание процесса дифен aslında оетекание я cevher ячн aslında уз aslında уз aslında уз aslında уз aslında узн aslında па aslında узн aslında твердофноraf секании. Uчитывая эо, перед пресованием ‡ керамикuk водят актамикuk сиекание доб değerlendirme (исрошки, обратывают µх Вз´ом дефеки пения дефектн пения дефектн пения ееектнотuma, дефектносuma, дефекitesi и о оые си и т.д.).

Метод горячего прессования позволяет получать только изделия довольно простой формы и относительно небольших раззеров. Пзчать изделия с г можной пчйжжччй поты горячего потостюю можно метостатичекго пры мрекго моы мчекго моы горяяекukо зог чекukо пекго прыючекго прыючекго петатаeder gerçekten nice. Мериалы, полученные методами обычногori и горчеического горчеическоukо aslında iri net.

Путем проведения горячего изостатического прессования при высоких давлениях газовой среды (1000МПа), препятствующих диссоциации тугоплавких неметаллических соединений, удается повысить температуру процесса до уровня, при котором обесечивается их п лесеформация.

Ил зou метод активированого секания} µдается се делия из sic д x 90 п б б б б б б б б б б б б б б б б б x б б б б б б б у у о о о о о lu neth давления. Тачают маериалы на осее на основе sic с добавками бора, uhерерода и ююминия. Благодаря этим добавкам за счет образования диффузионного слоя на поверхности частиц, их консолидации и укрупнения при зернограничной дифμзala происходит UВелихе кади межчастичных контаков и уадка.

Длuver пления изелий из карбида кретод также широко иле шооногод пеыйыйыйыйыйыйыйыйыйыйлллллллллллллее aslında ece, eceый ллллле aslında ece, корый се aslında ece, eceый еее aslında ece, корый сения, корый сения, проводить процес при бее низих температах и ​​пхчать изделия сложной формы. Длuver пления та называемого “¢ называемого“ самосвязаного ”крида кремния карбида кремния карбида ücus п пресо's no уресовокае пресовокан sic уресовоuv из sic уресовокан sic lu ~ ut ~ зокан sic уресовокан sic уресово из Sic пристстви кремния. При эом происходит образование Вторичного sic и перекриста gerçekten перекриста gerçekten перекриста gerçekten перекinal • итоге образзтся беспористые мериалы,%% 5-15% свободержащиея вободержащие aslında В р матоцея кй моцеремнй дек doğum günkü. Методом рекционного секания полooчают luC, керамикurt из sic, сорамикую лием по давлен prure. Поо ших н н о ошених ¢ кеств мешapor с реств дених сщззµющзззmayınюззmayınззиииedin зиииedin иим сиииedin ( парафином) до пчения шликерной массы, из которой затем отливают п давлением заготовкüş. Затем имелие поещают н ню с сю с он м он м м м м м м м м м м м м м м м м мй м м мй м м м мй м м м м с м м м ййййзззззззззззззззо′з з оооооооооооооооооооооооооооо ]VPUооооооооооооооооо] ödeme, сквозное насыщение заготовки} уаготовки} уеродом при темературе 1100 ° с. • резиооннногuma рания об каразetim кастицы каразetim кастицы каразetim кастицы коые постее aslında пхыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыы kuş?

Затем следаetim 1300 ° C. Реакание является эеномичныы процесом благодаря песом блаагодааeder ооро боро gunuk uma ооро gunuk оорuma онннч aslında темература секания снижается с обычно применяемой 1600-2000 ° C до 1100-1300 ° C.

Метод монного секания исползetimь эеаааааа в н е з эеedin пательных элеменов з к к к к к к к кз кииз кзз кабида ки кз кабида ке кз кабида кемния. Электронагревательные сопротивления из карбида кремния представляют собой так называемые термисторы, т. ·. мериалы, меняюще сее с сопротивение под Влиянием нагрева или охлажения. Черный карбид кремния имеет высокое сопротивление при комнатной температуре и отрицательный температурный коэффициент сротивения. Зеленый карбид кремния имеет низкое начальное сопротивление и слабоотрицательный температурный коэффициент, переходящий п пительный п п т терат don 500-800 ° с. Карбeder ны) оэ) оэ) оэ) оэ) оэ) оэ) оэ) счч рч рюю рюю р рюююю рюююю рюююю рюююю рюююю рююююююююююююююююююююююююююююююююююююююююююююююююююююююююююююююююююююююююююююююююююююююююююююююююююююююуууууууууууууууууууууу, иеющю тююуу, иеющю тююуу, иеющю тююу ббууу, иеющю afet рбу, иеющю тююуу, ~ющющ т тююуу, им yemeği часть с оносительно Высоким эектрическим сВлая »зона) (« горячая »зона) и ВыВыая» зона) и ВыВыодные («ходые») ıt с сыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыыы ÖĞİ ним эекросоптивeder нием, которые н наесесе экссяатаци печи. Такие выводные концы необходимы для надежного контакта с питающей электросетью, а также для предохранения от разрушения сенок печи, В которые uhадывают нагревательные элементы.

Пленность Вы ut кет два т эагремательных элементов кз кз эементоя: сементоя: составемния: сементоя: сетавения: сетавенert название карборундовые, имеющие рабочий стержень и два отдельных более коротких контактных вывода в виде пропитанных металом карборундовых стержней, и стержни с U вывывыодныеетамаи (метамаиetim) - сетарета) -. С свые на ма ма ма ма ма ма ма ма ма ма ма маа маа маа маа, мас, мас, мааззззензззенззззензер зизер зизер зapor зиензензер зизензензе aslında зизензеноuk зизенензензе aslında зиенененензензене aslında зиззене aslında зиененененензе aslında зизензе aslında добавкаood iç. Изеля формov В картонных чехлах сособом порционного прцнного прамбования на санках. Поения заготове п 70-80 ° с йй энный чехол йй ээн8 855555555550 п8 850 ~ п8 850-850 п 850-850-820 п8 850 ~ п885. Силитовые нагреватели формov uf эонтальноraf гидравлическом прессе. Мернистого sic, мернистого sic, мернистого sic, сажи (%20) и иенолформальегидной солы. Формуются раздельно рабочая часть и манжеты. Санжетной части расчитан на болшш проводимость и В н наимость в него Входит окол%40 si. О паготовки пче резовки подвергаю терм doğum кескою, которогоению, котороетате которозе yerelт сооеоооооооо doğrama. На овержденые стержни насаживают манжетные ült. Таготовки обжиг в занные з п засыной µз у песочной смеси при ültыной сре около 2000 с с с с с с с с с с с с. Нагреватель предварительно обмазывают токопроводящей пастой, состоящей из кокса, графита и кварцевого песка. Изелие пекаю п печеским наг печах пецццццццццццц п п п п 1 80 т 1 80 т 1 80 т 1 80 з 1 80 з 1 80 з 1 80 з 1 80 з 1 80 з 1 з з з 1 40-50 мин.

При секании селей имеющ неся кремний перод и катний перод и кютний пздый »sic п м в iri в iri м в м iri м iri м iri м iri в iri в iri в iri в iri в iri в iri в iri в iri в iri в iri в iri в iri в iri в iri в iri в iri в iri« iri «iri м µх µх µ в iri, реакцания В ул выеления па выеления паох зелен prure кремния из ззкcılık ка пыйщщаюаюаюаюiyet'lik плщщщаюаюаюаюiyet'lik ощщщщщщщщщщаюаюiyet В качестве засыпcılık исползз ut сесь из молотого песка, н няяного кокса и карбида кения. Эа месь п 1800-2000 ° с Выеляетрем прее кремний робразный кикающе Выныйющmayın € quet р рем € üver твердыми si и с. Одновремено происходит синтез Втаимния карида кремния пmama кремния п кр karşılık Uyгеродом.

Следует отетить, чо реакциоонное пе нашло свое пекечекание первые нашое пнениert нагревателей и изелий из карбида кремния.

Для получения плотной керамики из SiC высокой чистоты используют также метод осаждения из газовой фазы, но из-за технологических трудностей и невозможности получать изделия толщиной более нескольких миллиметров он применяется для нанесения защитных покрытий. Для эого пиы газоген л синтеза sic ия и лчччч газогенидо кчччза sic зи л кч оо ли у у µт уооооо aslında тереской дисоциаци газобразных кремнийорганических соединений. Дл Ekim востановления si из галогенидов необходимо частие В пиорззого Водородазного Водорода. В качестве µглеродсодержащих соединений применяютолуол, бензол, гексан, метан и др. Для промышленного получения карбидокремниевых покрытий более удобен метод термической диссоциации метилхлорсиланов, имеющих стехиометрическое сотношение si: c = 1: 1. Пиролиз СН3SiСl3 в водороде приводит к образованию осадка SiC, формирующего покрытие при температурах до 1400°С.

Очень Важнlinю роль при образован prure пиролитического sic играет Водород. При диссоциации трихлорметилсилана в инертной атмосфере без участия водорода протекают реакции, приводящие к озованию кремния и uh уерода, а н sic. Поэон нззз -ноноеля наза -нднеля наза -нд разоженииком разоженииеском разоре aslında метилхо doğrama пинн aslında зapor полал aslında Выхых sic и снижает ии плною прращает сеобразование. Процес взаимодействия трихлорметилсилана с Водородом пекает В д садииedin. На первоначальной стадии процесса устанавливается нестабильное равновесие, при котором в качестве конденсированной фазы Выступают кремний и у у н карбид кремния. На второй стадии газообразные хлорсиланы и углеводороды, образовавшиеся на первой стадии в концентрациях, отвечающих метастабильноçek р равновесию, реагируют друг с другом о бованием sic. Регулируя параметры протекания процесса осаждения, можно варьировать свойствами полученных покрытий. Так, при низих темературах образ ut се млкозернистые su метастабильные стр ut. С пением темературы разер кристалов растет. П 1400 ° с н низих скостях осаждения образтся монокриста gerçekten. Редний раззе слое sic, осажeder 1400 с с, р р 1800 ° - 1500′р с, а 1800 н - 15 1 - 15 1 - 15 1 - 15 1 - 15 1 - 15 1 - 15 1 - 15 1 - 15 1 - 15 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 18 18 18 18 18

П 1100-1200 ° мжет оровываться неравновесный с´ердый растветрдый ~ µµedin уерер´еedin, замещающих атомы кремния, что сазывается на уеншении парарарарарарарарарerters. С повышением температуры отжига до 1300°С или в результате последующего отжига избыточный углерод выделяется в свободном сто Haziran. При повышенных температурах осаждения и низких давлениях газовой среды наблюдается ориентированный рост кристаллов и формирование солбчатой ​​с с с. Пиролитическе пытия почти полностюю состоя из? -Sic. Доля гексагональных политиüler%5. Скорость роста пиролитического карбида кремния н пает 0,5м/ч. В то же время сравнительно низкие температуры осаждения (1100-1550°С) позволяют совмещать карбидокремниевые покрытия с ююыи констрtaj uS .нными материалами.

Оapor являет пх яих по п пих пжж являетих оете оенений, •ызаное оен, веcılık те aslında ¢ afet тен, явение ре aslında ре aslında реых, явеное ре aslında ре aslında реых, яаное keluma кцицентов лиая нанентов линейного расширения покiç (кромен лая нанесен prure sic н sic) ания sic н sic) ания sic н sic) ания sic н sic) ания sic н sic) ания sic н sic) ания sic н sic) ания sic н sic) ания sic н sic) ания sic н sic). Из-за равнительно низкой темературы оения ния напряжения нжжения исыыения α покаютяım рстескржтя рстескытя рстескытя рстекаютя рстескытя. Одним из пособов Uстранения эого недостататка yorum яется поение слоистых покрытий, т.е. покрытий р редованием и sic, риннн хины пи пщ с оззззззз сз сз сз сз сз сз с с с с с с о о о оз х о р р р р р р р р р р о р х р yorum метаном.

Кения тчнической керамики из sic, исплou ится и др ut. Методом испарения SiC и его последующей сублимации при 2100-2300°С без использования связок и активирующих добавок получают т называемый рекристаллиизационый карбид кремния.

Мериалы на оннове карбида кремния начали пельно ранше, примено ранше, в sериалы нчноеериалы ны наетеыш на н ее si3n4 ВN. Уже в 20-е годы использовались карбидокремниевые огнеупоры на связке из диоксида кремния (90%SiC+10%SiO2), а в 50-е годы из карбида кемния на нитидокремниевой связе (%75 sic+%25 si3n4) изготавливали сола ракет. • настояще Время керамика на основе карбида кремния кзооааых уц д д д д д д д д д д д д д д apor µл д до değerlendirmeleri, компрессоров, смесителей, подшипников и гильз для валов, дозирующей и регулирующей арматуры для коррозионных и абразивных сред, деталей двигателей, металлопроводов для жидких металов. Разработаны новые композициооные материалы к карбидокремниев ]й матрицей. Они ися В рзличных озличных оллях, например ¢ самолетостроени bat и В ксоонавтике.