Ang pagtutol ng kaagnasan ng R-SiC at SI3N4-SIC sa aluminyo-silikon na haluang melt

Ang silikon na karbida at silikon nitride ay may mahinang kakayahang umangkop na may tinunaw na metal. Bukod sa pagiging infiltrated ng magnesium, nikel, chromium alloy at hindi kinakalawang na asero, wala silang kakayahang magamit sa iba pang mga metal, kaya mayroon silang mahusay na paglaban sa kaagnasan at malawak na ginagamit sa industriya ng electrolysis ng aluminyo.

Sa papel na ito, ang paglaban ng kaagnasan ng recrystallized silikon na karbid R-SiC at silikon nitride na nakagapos ng silikon na karbida SI3N4-SIC sa mainit na nagpapalipat-lipat na al-haluang melts ay sinisiyasat mula sa maraming mga latitude.

Ayon sa pang-eksperimentong data ng 9 na beses ng thermal cycling ng 1080H sa 495 ° C ~ 620 ° C aluminyo-silikon haluang melt, ang mga sumusunod na resulta ng pagsusuri ay nakuha.

Ang mga sample ng R-SIC at SI3N4-SIC ay nadagdagan sa oras ng kaagnasan at nabawasan ang rate ng kaagnasan. Ang rate ng kaagnasan na tinatanggap ng logarithmic na relasyon ng pagpapalambing. (Larawan 1)

Sa pamamagitan ng pagsusuri ng spectrum ng enerhiya, ang mga sample ng R-SIC at SI3N4-SIC mismo ay walang aluminyo-silikon; Sa pattern ng XRD, ang isang tiyak na halaga ng aluminyo-silikon na rurok ay ang haluang metal na aluminyo na aluminyo na aluminyo. (Larawan 2 - Larawan 5)

Sa pamamagitan ng pagsusuri ng SEM, habang tumataas ang oras ng kaagnasan, ang pangkalahatang istraktura ng R-SIC at SI3N4-SIC sample ay maluwag, ngunit walang malinaw na pinsala. (Larawan 6 - Larawan 7)

Ang pag -igting sa ibabaw σs/l> σs/g ng interface sa pagitan ng likido ng aluminyo at ang ceramic, ang anggulo ng basa θ sa pagitan ng mga interface ay> 90 °, at ang interface sa pagitan ng likido ng aluminyo at ang sheet ceramic material ay hindi basa.

Samakatuwid, ang mga materyales na R-SIC at SI3N4-SIC ay mahusay sa pagtutol ng kaagnasan laban sa aluminyo na natutunaw ng silikon at walang kaunting pagkakaiba. Gayunpaman, ang gastos ng mga materyales na SI3N4-SIC ay medyo mababa at matagumpay na inilapat sa loob ng maraming taon.