Cvd filmi örtükli srik substrat

Himiýa bugynyň depozitasiýasy

Himiki buglylyk (CVD) okiddikleri, egritor gaz gazynyň reaktorda wafli filme ýatan tarapyny ýasaýan çyzykly ösüş prosesi. Ösüş prosesi pes temperatura pes we deňeşdirilende has ýokary ösüş depgini barMalylylyk oksid. Şeýle hem, film ulalmanka has inçe kremkon diixiody gatlaklary öndürýär. Bu proses, beýleki şol programmalarda ýerleşýän köp sanly programma-de ulanýandyklary bolan waycial-da ulanylýan şaýoly öndürýär.

Okust çökgünligi (CVD) Oksid, daşarky gatlak zerur bolanda amala aşyrylýar, ýöne süpekon portrugynyň okislenende bolup bilmezligi mümkindir.

Himiki bugyň işleişi:

CVD ösüşi bir gaz ýa-da bug (deslapky ýa-da bugly pes temperatura reaktoryna çenli bolup geçýär, wertaly ýa-da keseligine ýa-da keseligine ýerleşdirilende pes temperatura reaktoryna girizilende ýüze çykýar. Gaz ulgamdan hereket edýär we wafalyň üstlerinde deň derejede paýlaýar. Bu üstünlikler reaktordan geçýän ýaly, wafli, wafli olary öz üstüne siňdirip başlaýarlar.

Isdersorlarda esasan paýlaşylandan soň, himiki reaksiýalaryň üstünde himiki edilmeleriň üstünde başlaýar. Bu himiki reaksiýalar adalar hökmünde başla, bu prosesi, adalar ösüp, islenýän film döretmek we heläkçilige uçramak üçin birleşýär. Himiýa reyimaty serhet ekin meýdanyndan ýaýrabaly bolup, reaktordan tapawutlanan şaflaryň ýüzünde alnypneçünýädäki deňeşdirilende partlap döredýär we reaktordan akymy goýýan bir haakan örtükleri diňe wafli galdyrýar.

1-nji surat

Himiki bugyň depozitiniň peýdalary:

• Per temperaturanyň ösüşi.
• Çalt düzlük nyrhy (esasanam APCVD).
• Süpekon plitory bolmaly däl.
• Gowy ädim örtmek (esasanam pekwd).

2-nji suratda
Silikon DiOxid depesi vs. ösüşi

Himiki bug dozasy barada has giňişleýin maglumat üçin ýa-da sitatany talap etmek barada has giňişleýin maglumat üçin haýyş ediňSvM bilen habarlaşyňHäzirki wagtda satuw toparymyzyň agzasy bilen gürleşmek üçin.

CVD görnüşleri

Lpcvd

Pes basyş himiki bug düzgüni prokuralaşdyrylmazdan standart himiki himiki budg nokadysy prosesidir. LPCVD we beýleki CVD usullarynyň arasyndaky uly tapawut, dodak temperaturasydyr. LPCVD filmleri goýduk, adatça 600 ° C-den ýokary goýum üçin iň ýokary temperatura ulanýar.

Pes basyşlylaryň pesligi, ýokary arassalanlygy, gazabaýlygy artdyryp, yssylygy bilen örän birmeňzeş film döredýär. Bu 10 - 1000-e pa aralygynda amala aşyrylýar, adaty otag barlyk basga 101,225 p. Temperaturasy, has galyňlyga we has arassa filmlere sebäp bolýar.

• GARŞY film goýuldy:Polissilson, duçar tutulan oksidler,nitrid.

Pekvd

Plazma ýokary himiki bu himiýa programmasyny pes we pes temperaturadyr, ýokary filmiň diktyksyzlygy tehnikasy tehnikasy. Pekvd, beýik mugt elektron mazmuny (~ 50%) bölekleýin organiki taýdan ition satyn almak bilen cpanual gazdan bir CPSD kodtorynda CPSD kodtorynda CPSD kodtorynda bolup geçýär. Bu 100 ° C - 400 ° C-ni boljak pes temperaturanyň düzümi usulydyr. Pekvd pes temperaturada ýerine ýetirilip bilner, sebäbi erkin elektron saýlawçylaryň energiýasy, waffer ýüzünde film döretmek üçin reaktiw gazlar, reaktiw gazlar.

Bu depozit usuly plazma iki dürli görnüşini ulanýar:

1. Sowuk (termiki däl): Elektron bitarap bölejiklerden we ionlardan has ýokary temperatura eýe. Bu usul, DEDEN otagyndaky basyşy üýtgetmek arkaly elektroniki serişdäni ulanýar.
2. Malylylyk: Elektronlar bölejikler we depozit otagyndaky lanslar ýaly temperaturadyr.

Dötümiň daşyndaky palatanyň içinde, ýokary derejeli naprýa naprýa naptage, wafete-de we aşagyndaky elektroletleriň arasynda iberilýär. Bu elektronlary goýýar we islenýän filmi goýmagy üçin tolgundyryjy ýagdaýda saklaýar.

Filmleri PecVD-den artdyrmak üçin dört ädim bar:

1. Birleşdiriş kamerasynyň içindäki elektrodda maksatly wafli goýuň.
2. Puluna reaktiw gazlary we indeks elementlerini girizmek.
3. Elektron baldaklarynyň arasynda plazmany iberiň we plazmany tolgundyrmak üçin naprýa .eniýe iberiň.
4. Reaktiw gaz islegi we inçe filmi döretmek, inçe filmi kesgitlemek, artykmaç film döretmek palat meýdanlaryndan tapawutlanýar.

• GARYLY filmleri goýland: Silikon bitdesin, vilicon nitrid, Amorfus Sorrady, AdymSilikon Oksynitridleri (Si_xO_yN_z).

Apcvd

Atmosfera basyşy himiki ýer himiki üýtgemegi, adaty atmosfera basyşynda ýerleşdirilýän pes temperaturanyň usuly pesdir. Beýleki CVD usullary ýaly APCVD, esasy institutyň çägindäki çaltlyk gazyny talap edýär, şonda temperatura wafil ýerdäki reaksiýalara ýuwaş-ýuwaşdan ýokarlanýar we inçe filmi saklaýar. Bu usulyň ýönekeýligi sebäpli gaty ýokary dozaýlyk nyrhy bar.

• GARŞY filmler goýuldy: duzlanan we gurlan kilikon bitridleri, kripsion nitridleri. Hem ulanylýarannaýat.

HDP CVD

Dentokary gürlik plazmiki bupga himigi, APaferlere-de has pes temperatura (80 ° C-150 °t (80 ° C-150 ° C) bilen ýüzbe-ýüzlige mümkinçilik berýän Venseper sarp edýän Pekistan bilen ulanýan CHAPS-iň wersiýasy PCSPANIPT-görnüşidir. Şeýle hem, uly çukurly gap-aýakly filmli film döredýär.

• Umumy filmler goýlan: Silikon diokside (sio₂), silikon nitriid (si₃N₄),Silikon karbide (SIC).

SakvD

Smatmosferanyň basyşy himiki bugly basyşdan tapawutlanýar, sebäbi adaty otagdan çykarylyşy sebäpli, Ozony ulanýar (O.₃) reaksiýany katalizasiýa etmäge kömek etmek. Düzme iş prosesi LPCVD-den ýokary basyşda, 13,300 p, 80,000-den gowrak wagtdan ýokary derejä düşýär, ýöne Sakwd filmleri 490 ° C-e çenli ýokarlandyrýar.

• GARŞY film goýuldy:Bpsg, PSG,Teos.

Shandong Zhongfeng ýörite keramika CE., LTD Hytaýda iň uly kribiki täze maddy täze maddaly täze maddy täze çözgütlerden biridir. Siç Tehniki SIC önüminiň hyzmaty Durmuşy 92% -den 5 esse ýokary göterilýär. RBS-iň morbasy gümürtik 5-den 7 esse 7-10 esse bolýar, has çylşyrymly şekiller üçin ulanylyp bilner. Drotsiýa prosesi çalt, gowşurmak wada berilýär we hili, ikinji nobatda durulmaýar. Elmydama hemişe çylşyrymlarymyzy kynlaşdyrýarys we ýüregimizi göni jemgyýetimize dolanmaga mejbur edýäris.