CVD film örtügi üçin SiC substraty

Himiki bug çöketligi

Himiki bug çöketligi (CVD) oksidi çyzykly ösüş prosesi bolup, deslapky gaz reaktorda wafli inçe filmi goýýar. Ösüş prosesi pes temperatura bolup, deňeşdirilende has ýokary ösüş depginine eýetermiki oksid. Şeýle hem film has inçe kremniniň dioksid gatlaklaryny öndürýär, sebäbi film ulalman, ýerleşdirilýär. Bu amal, beýleki köp sanly programmalaryň arasynda IC we MEMS enjamlarynda ulanmak üçin ajaýyp ýokary elektrik garşylygy bolan film öndürýär.

Himiki bug çöketligi (CVD) oksidi daşarky gatlak zerur bolanda ýerine ýetirilýär, ýöne kremniniň substraty okislenip bilmez.

Himiki bug çöketliginiň ösüşi:

CVD ösüşi gaz ýa-da bug (deslapky) pes temperatura reaktoryna girizilende ýüze çykýar, bu ýerde wafli dik ýa-da keseligine ýerleşýär. Gaz ulgamyň içinden geçýär we wafliň üstünde deň paýlanýar. Bu deslapky desgalar reaktordan geçip barýarka, wafli olary ýüzüne siňdirip başlaýar.

Öňünden gelýänler ulgamyň hemme ýerinde deň paýlanandan soň, substratlaryň üstünde himiki reaksiýalar başlaýar. Bu himiki reaksiýalar adalar ýaly başlaýar we prosesiň dowam etmegi bilen adalar ösýär we islenýän filmi döretmek üçin birleşýär. Himiki reaksiýalar, araçäk gatlagyna ýaýran we reaktordan çykýan wafleriň üstünde biproduklar döredýär, diňe wafli goýlan film örtügi bilen galdyrýar.

1-nji surat

Himiki buglary goýmagyň peýdalary:

• Pes temperaturanyň ösüşi.
• Çalt depozit derejesi (esasanam APCVD).
• Silikon substrat bolmaly däl.
• Gowy ädim örtügi (esasanam PECVD).

2-nji surat
Silikon dioksidiň çökdürilmegi we ösüşi

Himiki buglaryň çökmegi barada has giňişleýin maglumat ýa-da sitata soramagyňyzy haýyş edýärisSVM bilen habarlaşyňşu gün satuw toparymyzyň agzasy bilen gürleşmek üçin.

CVD görnüşleri

LPCVD

Pes basyşly himiki bug çöketligi, basyşsyz adaty himiki bug çökdürmek prosesi. LPCVD we beýleki CVD usullarynyň arasyndaky esasy tapawut, çöketlik temperaturasydyr. LPCVD, adatça 600 ° C-den ýokary filmleri goýmak üçin iň ýokary temperaturany ulanýar.

Pes basyşly gurşaw, ýokary arassalygy, köpelmegi we birmeňzeşligi bilen gaty birmeňzeş film döredýär. Bu 10 - 1000 Pa aralygynda ýerine ýetirilýär, adaty otag basyşy bolsa 101,325 Pa, temperatura bu filmleriň galyňlygyny we arassalygyny kesgitleýär, has ýokary temperatura galyň we has arassa filmlere sebäp bolýar.

• Goýlan umumy filmler:polisilikon, doped we açylmadyk oksidler,nitridler.

PECVD

Plazmanyň güýçlendirilen himiki bug çökdürilmegi pes temperatura, ýokary dykyzlyk dykyzlyk usulydyr. PECVD, ýokary erkin elektron mazmuny (~ 50%) bolan bölekleýin ionlaşdyrylan gaz bolan plazmanyň goşulmagy bilen CVD reaktorynda bolup geçýär. Bu 100 ° C - 400 ° C arasynda bolup geçýän pes temperatura çöketlik usulydyr. PECVD pes temperaturada ýerine ýetirilip bilner, sebäbi erkin elektronlaryň energiýasy reaktiw gazlary bölüp, wafli üstünde film emele getirýär.

Bu çöketlik usuly iki dürli plazmany ulanýar:

1. Sowuk (termiki däl): elektronlar bitarap bölejiklerden we ionlardan has ýokary temperatura eýe. Bu usul depozit kamerasyndaky basyşy üýtgedip elektronlaryň energiýasyny ulanýar.
2. Malylylyk: elektronlar çöketlik kamerasyndaky bölejikler we ionlar bilen deňdir.

Depozit kamerasynyň içinde, wafliň ýokarsynda we aşagynda elektrodlaryň arasynda radio ýygylyk naprýa .eniýesi iberilýär. Bu, elektronlara zarýad berýär we islenýän filmi goýmak üçin olary tolgundyryjy ýagdaýda saklaýar.

PECVD arkaly filmleri ösdürmek üçin dört ädim bar:

1. Maksatly wafli depozit kamerasynyň içindäki elektroda ýerleşdiriň.
2. Palata reaktiw gazlar we çöketlik elementleri bilen tanyşdyryň.
3. Elektrodlaryň arasynda plazma iberiň we plazmany tolgundyrmak üçin naprýa .eniýäni ulanyň.
4. Reaktiw gaz bölünip, wafli üst bilen reaksiýa edip, inçe film emele getirýär, önümler kameradan ýaýraýar.

• Goýlan umumy filmler: kremniniň oksidleri, kremniý nitrid, amorf kremniý,kremniniň oksinitridleri (Si_xO_yN_z).

APCVD

Atmosfera basyşy himiki bug çökdürilmegi, adaty atmosfera basyşynda peçde bolup geçýän pes temperatura çökdürmek usulydyr. Beýleki CVD usullary ýaly, APCVD depozit kamerasynyň içindäki deslapky gazy talap edýär, soňra wafli üstündäki reaksiýalary katalizlemek we inçe film goýmak üçin temperatura ýuwaş-ýuwaşdan ýokarlanýar. Bu usulyň ýönekeýligi sebäpli, depozit derejesi gaty ýokary.

• Goýlan umumy filmler: dopirlenen we açylmadyk kremniniň oksidleri, kremniý nitridler. Şeýle hem ulanylýarannealing.

HDP CVD

Dokary dykyzlykly plazma himiki bug çöketligi, ýokary dykyzlykly plazmany ulanýan PECVD görnüşidir, bu wafli çöketlik kamerasynyň içinde has pes temperatura (80 ° C-150 ° C) bilen reaksiýa bermäge mümkinçilik berýär. Şeýle hem, uly çukur doldurmak mümkinçiligi bolan film döredýär.

• Goýlan umumy filmler: kremniniň dioksidi (SiO)₂), kremniý nitrit (Si₃N₄),kremniy karbid (SiC).

SACVD

Subatmosfera basyşy himiki bug çökdürilmegi beýleki usullardan tapawutlanýar, sebäbi adaty otag basyşyndan pes bolup, ozon ulanýar (O₃) reaksiýany katalizirlemäge kömek etmek. Depolasiýa prosesi LPCVD-den has ýokary basyşda, ýöne APCVD-den has pes, takmynan 13,300 Pa bilen 80,000 Pa aralygynda bolup geçýär.

• Goýlan umumy filmler:BPSG, PSG,TEOS.

“Shandong Zhongpeng” ýörite keramika kärhanasy, Hytaýdaky iň uly kremniy karbid keramiki täze material çözgütlerinden biridir. SiC tehniki keramika: Mohyň gatylygy 9 (Täze Mohyň gatylygy 13), eroziýa we poslama garşy ajaýyp garşylyk, ajaýyp aşgazan - garşylyk we okislenme. SiC önüminiň hyzmat möhleti, 92% alýumin materialyndan 4-5 esse uzyn. RBSiC MOR SNBSC-den 5-7 esse köp, has çylşyrymly şekillerde ulanylyp bilner. Sitirlemek prosesi çalt, gowşurylyşy wada berlişi ýaly, hili bolsa ikinji ýerde durýar. Maksatlarymyza garşy durmakda elmydama ýüregimizi jemgyýete gaýtaryp berýäris.