"Sypeal" kribisi (RXSSI, RXSI, RSIC, RSI, RSIC, RSIC). Başlangyç çig mal, kilikon karbide. Dykyzlyk resminamalary ulanylmaýar. Greenaşyl ykjamlar gutarnykly birleşdirmek üçin 2200ºC çenli gyzdyrylýar. Alnan material, mehaniki aýratynlyklary çäklendirýän 25% -e çenli dogralan döklük hasaplanýar; Şeýle-de bolsa, material gaty arassa bolup biler. Bu proses gaty tygşytlydyr.
Reaksiýa gämi duralgasy bulaşdy kardinon karbide (RBSIC). Çaga çig mallary küpekon karbidde pluppiddir. "Greenaşyl komponent" soňra reaksiýa bilen 1450ºC-den ýokary derejeli kremnik bilen aradan çykýar: Sik + C + SI -> SIC. Mikrost gurluşy, adatça, ýokary temperaturanyň häsiýetlerini we piriýaly garşylyklaryny çäklendirýän käbir mukdarda artykmaç küpekon bar. Amal wagtynda az ölçegli üýtgeşiklik ýüze çykýar; Şeýle-de bolsa, ar kilikon gatlaklary köplenç jemleýji böleginde bolýar. ZPC RBS geýleri geýýän garşylygy durmuşa geçirýän ösen tehnologiýany kabul edilýär, tertipsiz bölekler, ýylylyk çalşyp, pökzikler, mukam we ş.m. ýapyk öndürýär.
Nitride obligasiýa karbide (nbsiki, nsik). Çaga çig mallary küpekon karbide we silikon tozydyr. Greenaşyl ykjam reaksiýa SIC + 3si + 2si + 2sini + 2sini + Gaýtadan işlemek wagtynda iň soňky materiallary ekspressional üýtgeşmeleri görkezýär. Material käbir konsorsi kesgitleýär (adatça 20% töweregi).
Dideened Ripicon Karbid (SSIC). Silikon karbide başlangyç çig maldyr. Dyklanmak howalary Barlan PLUS uglerod we dykyzlyk 2200ºCK-den ýokary gaty-döwlet reaksiýasy bilen dykyzlykdyr. "Onuň" entemopperPoperoperoperoperoperoperoperopy we koroliýa garşylygy däne araçäginde aýgytly ikinji tapgyryň ýoklugy sebäpli has ýokary derejeli ikinji tapgyryň ýoklugy sebäpli has ýokary derejeli usullar has ýokarydyr.
Suwuk fazanyň daňylan kremikon karbide (lssik). Silikon karbide başlangyç çig maldyr. Dykyzlyk resminamalary Ylifrium Okside Bly-lary Bly-y ulaldýar. Dykyzlyk, suwuklyk-faza reaksiýasy we aýna ikinji tapgyrda netijelerden ýokary galýar. Mehaniki häsiýetleri, adatça sSic-den ýokary, ýöne ýokary temperaturamokary temperatura häsiýetleri we pirjukçylyk garşylygy gowy däl.
Gyzgyn basylan silikde karibrid (HPSICI). Silikon karbide poroşok, başlangyç çig mal hökmünde ulanylýar. Dykyzlyk we ýorgan-düşegi ýa-da ýridrium oksidrue braunid brýumli Dykyzlygy grafit çatrygynyň içindäki mehaniki basyşyň we temperaturanyň bir wagtda ulanylmagy bilen ýüze çykýar. Şekilleri ýönekeý tabakdyr. Siňdirilen siňdiriş gurallary ulanylyp bilner. Gyzykly basyşly materiallaryň mehaniki aýratynlyklary, beýleki prosesiň deňeşdirilende ýetişdirilende kesgitlenen ýaly ulanylýar. Elektrik häsiýetleri dykyzlyk gorunyň üýtgemegi bilen üýtgedilip bilner.
CVD kremikon karbide (CVDSIC). Bu material reaksiýa bilen baglanyşykly himiki bug çyzyklarynyň (CVD) prosesinde emele gelýär: Ch3Scill3 -> S Aziýa + 3hcl. Reaksiýa, SIC-iň graft substratyna goýulýan H2 atmosferasynda amala aşyrylýar. Bu proses gaty ýokary derejede arassalanma materiallykda bolýar; Şeýle-de bolsa, diňe ýönekeý tabak ýasalyp bilner. Bu proses haýal reaksiýa üçin gaty gymmat.
Himiki bu kremo birleşdiriji kremnon karbide (cvcsic). Bu etaby grafit ştatynda net-nji ýagdaýynda nekili grafige grafite hyýanatçylykly tizlik bilen başlaýar. Öwremüş prosesi, polirýatorlar, poliomiýalatrin taýdan dogry ýa-da sikdirilini öndürmek üçin grafit bölegine grafit bölegine subýektiw ýa-da ştit Güýçlendirilen iş, berk çydamlylyk aýratynlyklary we ýokary arassalygyň düýbünden öwrülen bir görnüşinde öndürilen dizaýn-da öndürilen dizaýn-getirmäge mümkinçilik berýär. Görkeziş prosesi adaty önümçilik işiniň gysgaçaadylandygyny we beýleki usullaryň üstünde çykdajylary gysgaldýar. * Daýy (Bellenen çeşmeden başga): "Cheradine Inerslikden" Kosti Mesa "-.
Iberiş wagty: Iýun-16-2018