Silikon karbidi gaýtadan dikeldildi (RXSIC, ReSIC, RSIC, R-SIC). Başlangyç çig mal kremniý karbiddir. Dykyzlandyryş gurallary ulanylmaýar. Greenaşyl kompaktlar soňky jemlemek üçin 2200ºC-den ýokary gyzdyrylýar. Alnan materialyň mehaniki aýratynlyklaryny çäklendirýän takmynan 25% gözenek bar; garamazdan, material gaty arassa bolup biler. Bu proses gaty tygşytly.
Silikon karbidi (RBSIC) bilen baglanyşykly reaksiýa. Başlangyç çig mal kremniy karbid we ugleroddyr. Soňra ýaşyl komponent reaksiýa bilen 1450ºC-den ýokary eredilen kremniý bilen aralaşýar: SiC + C + Si -> SiC. Mikrostruktura, adatça, ýokary temperatura häsiýetlerini we poslama garşylygyny çäklendirýän artykmaç kremniniň mukdaryna eýedir. Amalyň dowamynda az ölçegli üýtgeşiklikler bolýar; Şeýle-de bolsa, ahyrky bölegiň üstünde köplenç kremniniň gatlagy bolýar. ZPC RBSiC könelişme garşy örtük, plitalar, plitkalar, siklon örtükleri, bloklar, tertipsiz bölekler we köýnek we poslama garşylyk FGD burunlary, ýylylyk çalşyjy, turbalar, turbalar we ş.m. öndürýär.
Nitride baglanan kremniy karbidi (NBSIC, NSIC). Başlangyç çig mal kremniy karbid we kremniý tozy. Greenaşyl ykjam SiC + 3Si + 2N2 -> SiC + Si3N4 reaksiýasy ýüze çykýan azot atmosferasynda atylýar. Iň soňky material gaýtadan işlenilende az ölçegli üýtgemeleri görkezýär. Bu material belli bir derejede gözenekliligi görkezýär (adatça 20%).
Göni süzülen kremniy karbid (SSIC). Silikon karbid başlangyç çig maldyr. Dykyzlandyryş gurallary bor we uglerod bolup, dykyzlygy 2200ºC-den ýokary bolan gaty reaksiýa prosesi bilen ýüze çykýar. Dänäniň araçäklerinde äýnekli ikinji tapgyryň ýoklugy sebäpli onuň ýokary temperatura aýratynlyklary we poslama garşylygy has ýokarydyr.
Suwuk faza sintirlenen kremniy karbidi (LSSIC). Silikon karbid başlangyç çig maldyr. Dykyzlaýyş gurallary yttrium oksidi we alýumin oksidi. Dykyzlygy suwuk fazaly reaksiýa bilen 2100ºC-den ýokary bolup, äýnekli ikinji tapgyra çykýar. Mehaniki häsiýetler, adatça, SSIC-den ýokarydyr, ýöne ýokary temperatura häsiýetleri we poslama garşylygy gowy däl.
Gyzgyn basylan kremniy karbidi (HPSIC). Silikon karbid tozy başlangyç çig mal hökmünde ulanylýar. Dykyzlaşdyryş gurallary köplenç bor we uglerod ýa-da ýtrium oksidi we alýumin oksidi. Dykyzlaşma grafit öl boşlugynyň içinde mehaniki basyşyň we temperaturanyň bir wagtda ulanylmagy bilen ýüze çykýar. Şekilleri ýönekeý tabaklar. Az mukdarda sinterleýji gurallar ulanylyp bilner. Gyzgyn basylan materiallaryň mehaniki aýratynlyklary, beýleki amallar deňeşdirilýän esasy hökmünde ulanylýar. Elektrik häsiýetleri dykyzlyk gurallarynyň üýtgemegi bilen üýtgedilip bilner.
CVD kremniy karbidi (CVDSIC). Bu material reaksiýany öz içine alýan himiki bug çökdürilmegi (CVD) prosesi bilen emele gelýär: CH3SiCl3 -> SiC + 3HCl. Reaksiýa H2 atmosferasynda, SiC grafit substratyna goýulýar. Bu proses gaty ýokary arassalyk materialyna getirýär; garamazdan, diňe ýönekeý tabaklar ýasalyp bilner. Amal haýal reaksiýa sebäpli gaty gymmat.
Himiki bug kompozit kremniy karbid (CVCSiC). Bu amal, grafit ýagdaýynda ýakyn şekillere işlenip düzülen grafit prekursory bilen başlaýar. Öwürmek prosesi grafit bölegini polikristally, stoiometrik taýdan dogry SiC öndürmek üçin situ bugda gaty ýagdaý reaksiýasyna tabşyrýar. Gaty gözegçilikde saklanýan bu çylşyrymly çydamlylyk aýratynlyklary we ýokary arassalygy bolan çylşyrymly dizaýnlary doly üýtgedilen SiC böleginde öndürmäge mümkinçilik berýär. Öwürmek prosesi adaty önümçilik wagtyny gysgaldýar we beýleki usullara garanyňda çykdajylary azaldýar. * Çeşme (bellenen ýerlerden başga): Ceradyne Inc., Kosta Mesa, Kalif.
Iş wagty: Iýun-16-2018