Технология

1. АФЗАЛИЯТХОИ КАРБИДИ РЕАКЦИЯИ РЕАКЦИЯИ КРЕМНИЙ

Маҳсулоти Reaction Bonded Silicon Carbide (RBSC ё SiSiC) ба сахтӣ/абразия муқовимати шадид ва устувории барҷастаи кимиёвӣ дар муҳити хашмгин пешниҳод мекунанд. Силикон карбиди як маводи синтетикӣ мебошад, ки дорои хусусиятҳои баланди иҷроиш, аз ҷумла:

лМуқовимати химиявии аъло.

Қуввати RBSC аз қувваи аксари карбидҳои кремнийи нитридӣ тақрибан 50% зиёдтар аст. RBSC муқовимати аъло ба зангзанӣ ва антиоксидант сафолї аст.. Он метавонад ба як гуногуни сопло desulpurization (FGD) ташкил карда мешавад.

лМуқовимати аълои фарсудашавӣ ва таъсир.

Ин баландтарин технологияи сафолии миқёси калон ба абрешим аст. RBSiC сахтии баланд дорад, ки ба алмос наздик мешавад. Барои истифода дар замимаҳо барои шаклҳои калон тарҳрезӣ шудааст, ки дар он дараҷаҳои рефрактори карбиди кремний фарсудашавии абразивӣ ё осеб аз таъсири зарраҳои калон доранд. Муқовимат ба зарбаи мустақими зарраҳои сабук, инчунин зарба ва лағжиши ашёҳои вазнини дорои шламҳо. Он метавонад ба шаклҳои гуногун, аз ҷумла шаклҳои конус ва остин, инчунин қисмҳои мураккаби муҳандисие, ки барои таҷҳизоте, ки дар коркарди ашёи хом иштирок мекунанд, таҳия карда шаванд.

лМуқовимати аълои зарбаи гармӣ.

Компонентҳои карбиди кремний бо реаксия муқовимати барҷастаи зарбаи гармиро таъмин мекунанд, аммо бар хилофи сафолҳои анъанавӣ, онҳо инчунин зичии пастро бо қувваи баланди механикӣ муттаҳид мекунанд.

лҚуввати баланд (дар ҳарорат қувват мегирад).

Карбиди кремнийи реактивӣ қисми зиёди қувваи механикии худро дар ҳарорати баланд нигоҳ медорад ва сатҳи хеле пасти хазандагонро нишон медиҳад, ки онро барои барномаҳои борбардор дар доираи аз 1300ºC то 1650ºC (2400ºC то 3000ºF) интихоби аввал мегардонад.

1. Варақаи маълумоти техникӣ

Варақаи маълумоти техникӣ	Воҳиди	SiSiC (RBSiC)	NbSiC	ReSiC	Синтеризатсияшуда SiC
		Реаксия бонд карбиди кремний	Карбиди кремнийи нитриди басташуда	Карбиди кремнийи дубора кристаллшуда	Карбиди кремнийи синтеронидашуда
Зичии масса	(г.см3)	≧ 3.02	2,75-2,85	2,65 ~ 2,75	2.8
SiC	(%)	83.66	≧ 75	≧ 99	90
Si3N4	(%)	0	≧ 23	0	0
Si	(%)	15.65	0	0	9
Порозияи кушод	(%)	<0,5	10—12	15-18	7~8
Қувваи печидан	Мпа / 20℃	250	160 ~ 180	80-100	500
	Мпа / 1200℃	280	170 ~ 180	90-110	550
Модули чандирӣ	Gpa / 20℃	330	580	300	200
	Gpa / 1200℃	300	~	~	~
Қобилияти гармидиҳӣ	В/(м*к)	45 (1200℃)	19,6 (1200℃)	36,6 (1200℃)	13,5~14,5 (1000℃)
Муваффақияти васеъшавии гармӣ	Кˉ1 * 10ˉ6	4.5	4.7	4.69	3
Ҷадвали сахтии Монс (Сахтӣ)		9.5	~	~	~
Ҳарорати максималии корӣ	℃	1380	1450	1620 (оксид)	1300

1. Ҳодисаи саноатБарои карбиди кремний бо реаксия:

Истеҳсоли нерӯи барқ, истихроҷи маъдан, кимиё, нафту кимиё, танӯр, саноати мошинсозӣ, маъданҳо ва металлургия ва ғайра.