Silicon carbide e ile ea fumanoa ka 1893 e le abrasive ea indasteri bakeng sa ho sila mabili le mariki a likoloi. Hoo e ka bang bohareng ba lekholo la bo20 la lilemo, tšebeliso ea SiC wafer e ile ea hola ho kenyelletsa theknoloji ea LED. Ho tloha ka nako eo, e eketsehile ho ba lits'ebetso tse ngata tsa semiconductor ka lebaka la thepa ea eona e ntle ea 'mele. Thepa ena e bonahala mefuteng e mengata ea ts'ebeliso ea eona kahare le kantle ho indasteri ea semiconductor. Kaha Molao oa Moore o bonahala o fihla pheletsong, lik'hamphani tse ngata ka har'a indasteri ea semiconductor li shebile silicon carbide joalo ka thepa ea semiconductor ea bokamoso. SiC e ka hlahisoa ho sebelisoa li-polytypes tse ngata tsa SiC, le hoja ka har'a indasteri ea semiconductor, li-substrates tse ngata e ka ba 4H-SiC, le 6H- e se e sa tloaelehe ha 'maraka oa SiC o ntse o hōla. Ha ho buuoa ka 4H- le 6H- silicon carbide, H e emela sebopeho sa lesela la kristale. Nomoro e emela tatellano ea stacking ea liathomo ka har'a sebopeho sa kristale, sena se hlalosoa ka chate ea bokhoni ba SVM e ka tlase. Melemo ea Silicon Carbide Hardness Ho na le melemo e mengata ea ho sebelisa silicon carbide ho feta li-substrates tse tloaelehileng tsa silicon. E 'ngoe ea melemo e meholo ea thepa ena ke boima ba eona. Sena se fa thepa melemo e mengata, ka lebelo le phahameng, mocheso o phahameng le / kapa lisebelisoa tse phahameng tsa motlakase. Li-wafers tsa silicon carbide li na le mocheso o phahameng oa mocheso, ho bolelang hore li ka fetisetsa mocheso ho tloha sebakeng se seng ho ea ho se seng. Sena se ntlafatsa conductivity ea eona ea motlakase 'me qetellong e be miniaturization, e' ngoe ea lipakane tse tloaelehileng tsa ho fetohela ho li-wafers tsa SiC. Thermal matla a SiC substrates le tsona li na le coefficient e tlase bakeng sa katoloso ea mocheso. Katoloso ea mocheso ke boholo le tataiso eo thepa e atolohang kapa e etsang likonteraka ha e ntse e futhumala kapa e bata. Tlhaloso e tloaelehileng haholo ke leqhoa, le hoja le itšoara ka tsela e fapaneng le litšepe tse ngata, le ntse le atoloha ha le ntse le pholile le ho fokotseha ha le chesa. Coefficient e tlase ea Silicon carbide bakeng sa katoloso ea mocheso e bolela hore ha e fetohe haholo ka boholo kapa sebopeho kaha e futhumatsoa kapa e pholile, e leng se e etsang hore e be e loketseng ho kenella ka har'a lisebelisoa tse nyane le ho paka li-transistors tse ngata ho chip e le 'ngoe. Molemo o mong o ka sehloohong oa li-substrates tsena ke ho hanyetsa ha tsona ho matla ha mocheso. Sena se bolela hore ba na le bokhoni ba ho fetola mocheso ka potlako ntle le ho robeha kapa ho phunyeha. Sena se hlahisa molemo o hlakileng ha ho etsoa lisebelisoa kaha ke litšobotsi tse ling tse thata tse ntlafatsang bophelo bohle le ts'ebetso ea silicon carbide ha e bapisoa le silicon e ngata ea setso. Ka holim'a matla a eona a mocheso, ke karolo e tšoarellang haholo 'me ha e sebetsane le li-acids, alkalis kapa letsoai le qhibilihisitsoeng mocheso o fihlang ho 800 ° C. Sena se fa li-substrates tsena ho feto-fetoha ha maemo lits'ebetsong tsa tsona mme hape se thusa bokhoni ba tsona ba ho etsa li-silicon tse ngata lits'ebetsong tse ngata. Matla a eona a mocheso o phahameng a boetse a e lumella ho sebetsa ka mokhoa o sireletsehileng mochesong o fetang 1600°C. Sena se etsa hore e be substrate e loketseng bakeng sa ts'ebeliso efe kapa efe ea mocheso o phahameng.
Nako ea poso: Jul-09-2019