Silicon Carbide wuxuu leeyahay iska caabbinta aad u wanaagsan, xoogga farsamada sare, wada-tashiga kuleylka sare, oo ah mid aad u hooseeya oo ah ballaarinta kuleylka, iyo iska caabinta naxdinta kuleylka ee ka fiican ee ka-hortagga kuleylka heerkulka aad u sareeya. Silicon Carbide wuxuu ka kooban yahay Tetrahedra ee kaarboon iyo silikon atom leh oo leh xidhxidh adag oo ku yaal barkadda crystal. Tani waxay soo saartaa waxyaabo aad u adag oo xoog leh. Silicon Carbide looma weeraro wax aashito ah ama alkalis ama cusbo la soo qaado ilaa 800ºC. Hawada, SIC waxay samaysaa silicon silicon okside ah oo ah 1200ºC waana la isticmaali karaa ilaa 1600ºC. Howlaha heerkulka sare ee ay weheliso ballaarinta kuleylka ee hooseeya iyo xoogga sare waxay bixiyaan tayadaan si xun u adkeysi u adkeysi. Digniintii silicon Carbide oo leh wax yar ama xadka hadhuudhka ah ee wasakhda ah ee wasakhda leh ayaa xoog u haysta xooggooda heerkulka aad u sarreeya, oo u soo dhowaanaya 1600ºC oo aan lahayn lumis xoog la'aan. Taab-yar, iska caabbinta weelka kiimikada ee heerkulka, iyo haynta xoogga ee heerkulka sare ayaa ka dhigay aaladdan aad u caan ah sida waxtarka xargaha iyo xargaha xargaha qoryaha semiconductor. Thccell NAMETTRETRICTRECT ee maaddada ayaa horseedaysa isticmaalkeeda ee walxaha kululaynta ee caabbinta ee kululaynta foornada korantada, iyo qayb muhiim ah oo ku jirta kuleylka (isu-taliyayaasha heerkulka) iyo kala-goysyada valistors (cottartage). Codsiyada kale waxaa ka mid ah wejiyada xirxiran, xirtaan taarikada, sida caadiga ah iyo tuubooyinka xariijimaha.
Waqtiga Post: Jun-05-2018