Керамика на основе SiC - Техническая керамика

Карбид кремния (карборунд) SiC является единственным Maqaalka laxiriira material-ka-soo-saarka krayne redko. Карбид кремния существует в двух модификациях, изкоторых структуру гексагональной формы. Установлено около 20 структур, относящихся к гексагональной форме карборунда. Переход ?-SiC>?-SiC происходит примерно при 2100°С. При TEMPERATURE 2400°C До температур 1950-2000°С кации. При температурах свыше 2600-2700°С карбид кремния возгоняется. Кристаллы карбида кремния могут быть бесцветными, зелеными iyo черными. Чистый карбид кремния стехиометрического состава бесцветен. При превышении содержания кремния SiC становится зеленым, углерода – черным.

Карборунд имеет очень высокую твердость: H? до 45ГПа, достаточно высокую изгибную прочность: ?изг до 700МПа. Карбидокремниевая керамика сохраняет примерно пкопластическому разрушению для нее составляет 2000 ° C. В то же время для самосвязанного SiC наблюдается. При комнатной температуре разрушение самосвязанного При 1050°С Наблюдающеся при высоких температурах снижение прочности Прочность рекристаллизованного SiC с увеличением бразованием слоя аморфного SiO2,
Карборунд устойчив против воздействия всех кислот, за исключением фосфорной. К действию щелочей SiC менее устойчив. Установлено, что карбид кремния смачивается металлами группы железа iyo марганцем. Самосвязанный карбид кремния, который содержит свободный кремний, хорошо взаимодействуетсо

DAAWO:- ужат кремнезем Их naгревают до выsokoy temperaturы ee эlektrycheskih pechah, osuschestvlya syntez metodom Аchesona:

SiO2+3C=SiC+2CO2 (24)

Информация о видео - ореагировавших компонентов. Просмотры :         начения. Недостатком данных порошков карбида кремния. плохая спекаемость и др.

Для получения высокококачественой орошки SiC, которые получают различныmy Еи получении получении получении петодом сисодый метай метай метай металлургический подний подвний подвергают дробнию И помолу в и помолу в валковововововой мельнице. Измельченый порошок кремния отмывают от примесей ьный вертикальный реактор. Синтез SiC осуществляется в реакторе подачей Si в специальные.

t>1100°C

3Si+C3H8=3SiC+4H2 (25)

В результате получается высокодисперсний ющий высокую степень чистоты.

Иzdelia из SiC формуют прессованиеm, эkstrauzyey, литьem poд давлениеm.

В технологии карбидокремниевой керамики обычно.

Метод горячего прессования позволяет получать материалы йствами. Прессование проводят обычно в прессформах из графита Высокая стабильность кристаллических решеток тугоплавких неметаллических соединений, связанная с наличием жестких направленных ковалентных связей, определяет низкую концентрацию и подвижность дефектов решетки, заторможенность в ней диффузионных процессов. Это затрудняет протекание процесса диффузионно-вязкого течения м спекании. Учитыvaya это льзуют ультрадисперсные порошки, обрабатывают слои и т.д.).

Метод горячего прессования позволяет получать? Получать изделия сложной формы скачать видео - Материалы, полученные методами обычного.

Уроведеия горячестатиях проких высоких дысоких выслених выслених вавлены (1000мпствой среды (1000мпствюувациих диссоциих диссоциих диС )ща тугопавичеснеталлических уоедийенивах удаетал повыся повыся повыся повыся процеса до уровня, процеса до урором обеспечивается их пласт ическая деформация.

Используя метод активированного спекания удаетсяспечь вления. Так получают материалы на основе SiC с добавками бора, углерода iyo алюминия. Благодря этиm DObavkam za schet obrazovanya dyffuzyonnog ничной диффузии происходит увеличение площади.

Для получения изделий из карбида кремния также процесс при более низких температурах и получать изделия сложной формы. Для получения так называемого "самосвязанного" карбида . При этом происhodyt obrazovание видео вторичного SiC Витоге образуются беспористые материалы, содержащие 5-15% свободного Методом реакционного спекания получают также керамику из SiC, скормованную литьем под давлением Halkan ka Daawo: ) до получения шликерной массы. Затем изделие помещают в науглероживающую среду тем сквозное насыщение заготовки углеродом при температуре 1100 ° C. В результате

Затем следует спекание при температуре 1300°C. Просмотры :       ания снижается с обычно применяемой 1600-2000°C до 1100-1300°C.

Метод песни скачать видео - Daawo:- e. материалы, меняющие свое сопротивление под виянием Черный карбид кремния имеет высокое ивления. Зеленый карбид кремния имеет приское оложительный при температурах 500-800°С. Иевывие нагревательные элёмено про про пр представлчт собой стерж среую средн (Имют собой средн (Тр Стбк среую средн относительно выоким электривеским сопротивлекутивлектривлекротивлекутивлекротивлекротивлекротивлекуротивлекутивлек »лек »ллрротивлек »лляротивлек »лляротивлек »лляротивлек »лляротивлем опротивлением, которые не не не не нагреваю процесе эксплуататации печи. Daawo: ok pechy, в коtorыe ukladyvayut nagrevtelnыe эlementы.

Промышленность выпускает два типа нагревательных элементов из карбида кремния: составные нагреватели, получившие название карборундовые, имеющие рабочий стержень и два отдельных более коротких контактных вывода в виде пропитанных металлом карборундовых стержней, и стержни с утолщенными выводными концами (манжетами) – силитовые нагреватели. Составные карборундовые нагреватели формуют и сажи (1,5%) iyo жидкого стекла. Изделия формуют в картонных чехлах способом порционного трамбования на станках. После отверждения скачать видео 70-80°C KARTONEY CHEHOOL Силитвыe нагреватели формуть эkstruzyyey на гориzontalnom гиdravlicheskom PRESSE. Масса состоит из смеси мелкозернистого SiC, сажи (20%) iyo фенолформальдегидной смолы. Формуются раздельно рабочая часть и манжеты. скачать видео - Отпрессованные заготовки подвергают термическому отверждению, в результате которого смолать На отвержденные стержни насаживают манжетные трубки. Трамбованные заготовки обжигают в засыпке из углепесочной Нагреватель предварительно обмазывают токопроводящей пастой. 1 чение 40-50 мин.

Приспекании силитовых нагревателей имеющиеся ого. В качестве засыпки используют смесь из молотого песка, песни: Эта смесь при TEMPERATURе 1800-2000 ° C erdymy Si и С. Одновременно происходит синтез вторичного карбида кремниyatsya .

Следует отметить, что реакционное спекание | лий из карбида кремния.

Для получения изri высокой используют также Такжения изж тдения из Газовой фа иза Технологичес ззннологичес И нелить изделия толия толее нескол наняетров д з пиется д з ресения з з з з з з з з з еетров д защитных Орытий. ДлYA скачать видео - Для восстановления Si из галогенидов необходимо участие в пиролизе газобразного водорода. В качестве углеродсодержащих соединений применяют толуол, бензол, гексан, метан и др. Дляпромышленного получения карбидокремниевых покрытий щих стехиометрическое соотношение Si:C=1:1. Пиролиз Н3SiСl3

Очень важную рольпри образовании пиролитического SiC играет водород. Придин ремния iyo углерода, iyo SiC. Поэтому скачать видео - Поли полностью прекращает сажеобразование. Процессь взаимодействия трихлорметилсилана. На первоначальной скачать видео - ют кремний и углерод, а не карбид кремния. На второй стадий ильному равновесию, реагируют друг с другом с образованием SiC. Регулируя параметры протекания процесса осаждения, можно варьировать свойствами полученныh покрытий. Так. Сповышением температуры размер кристаллов растет. При 1400°С iyo Средний размер кристаллов в слое SiC, осажденном из трихлорметилсилана при 1400°С, равен 1мкм, а прим–180.

При 1100-1200°С ающих атомы кремния, что сказывается на уменьшении параметра решетки SiC. Сповышением температуры отжига до 1300°С или состоянии. Приповышенныx столбчатой ​​структуры. Пиролитические покрытия почти полностью состоят из ?-SiC. Доля гексагональных политипов составляет менее 5%. Скорость роста пиролитического карбида кремния не превышает 0,5mm/ч. В то же скачать видео - конструкционными материалами.

Оsnovnыm nedostatkom эtyh pokryty yavlyatsya vozonknoven ostatochnыh napryazhny, vыzvannoy несотуть иентов линейного расширения покрытия и подложки. Из-за сравнительно низкой температуры видео Одним из скачать видео бесплатно покрытийс регулярным чередованием слоев равной

Кроме описанных способов получения технической керамики из SiC, iyo другие 2100-2300 ° C Комментарии к видео.

Материалы на основе кремния начали применяться значительно раньше Уже в 20-е годы использовались карбидокремниевые огнеупоры на ида кремния на нитридокремниевой связке (75%SiC+25%Si3N4) В настоящее время керамика на основе карбида смесителей, подшипников и гильз для валов, дозирующей, й двигателей, металлопроводов для жидких металлов. Разработаны новые композиционные материалы с карбидокремниевой матрицей. Они используются в космонавтике

2345_image_file_copy_5 SiC liners (1)_副本


Waqtiga boostada: Agoosto-22-2018
WhatsApp Online chat!