REACTION BONDED SILICON CARBIDE VAAIGA AOAO
Gaoioiga fusifusia silikon carbide, o nisi taimi e taʻua o le siliconized silicon carbide.
O le infiltration e tuʻuina atu ai le meafaitino se tuʻufaʻatasiga tulaga ese o mea faʻainisinia, vevela, ma eletise e mafai ona faʻalogo i le talosaga.
Silicon Carbide o se tasi o mea sili ona faigata o sima, ma tumau le maaa ma le malosi i le maualuga o le vevela, lea e faʻaliliuina i totonu o le sili ona lelei le teteʻeina o laei. E le gata i lea, o le SiC o loʻo i ai le maualuga o le vevela, aemaise ile CVD (chemical vapor deposition) grade, lea e fesoasoani ile teteʻe o le vevela. O le afa foi o le mamafa o le sila.
Faʻavae i luga o lenei tuʻufaʻatasiga o le maaa, tetee i le ofuina, vevela ma le pala, SiC e masani ona faʻamaonia mo faʻamaufaʻailoga mata ma vaega maualuga o pamu.
O le Reaction Bonded SiC o lo'o i ai le tau aupito maualalo o le gaosiga o le gaosiga ma le fua o le kosi. E maua ai sina ma'a'a maualalo ma fa'aoga le vevela, ae maualuga atu le fa'avevela vevela.
Direct Sintered SiC e sili atu le togi nai lo Reaction Bonded ma e masani ona faʻamaonia mo galuega maualuga vevela.
Taimi meli: Tes-03-2019