Rekryštalizovaný karbid kremíka (RXSIC, ReSIC, RSIC, R-SIC). Východiskovou surovinou je karbid kremíka. Nepoužívajú sa žiadne zahusťovacie pomôcky. Zelené výlisky sa zahrejú na viac ako 2200ºC na konečné spevnenie. Výsledný materiál má asi 25% pórovitosť, čo obmedzuje jeho mechanické vlastnosti; materiál však môže byť veľmi čistý. Proces je veľmi ekonomický.
Reaction Bonded Silicon Carbide (RBSIC). Východiskové suroviny sú karbid kremíka plus uhlík. Zelená zložka je potom infiltrovaná roztaveným kremíkom nad 1450 °C s reakciou: SiC + C + Si -> SiC. Mikroštruktúra má vo všeobecnosti určité množstvo prebytočného kremíka, čo obmedzuje jej vysokoteplotné vlastnosti a odolnosť proti korózii. Počas procesu dochádza k malým rozmerovým zmenám; na povrchu finálnej časti je však často prítomná vrstva kremíka. ZPC RBSiC sú prijaté pokročilou technológiou, ktorá vyrába obloženie odolné proti opotrebeniu, dosky, dlaždice, cyklónové obloženie, bloky, nepravidelné časti a dýzy FGD odolné voči opotrebovaniu a korózii, výmenníky tepla, rúry, rúrky atď.
Nitridovo viazaný karbid kremíka (NBSIC, NSIC). Východiskové suroviny sú karbid kremíka plus kremíkový prášok. Zelený výlisok sa vypaľuje v dusíkovej atmosfére, kde dochádza k reakcii SiC + 3Si + 2N2 -> SiC + Si3N4. Konečný materiál vykazuje malú zmenu rozmerov počas spracovania. Materiál vykazuje určitú úroveň pórovitosti (zvyčajne asi 20 %).
Priamy spekaný karbid kremíka (SSIC). Východiskovou surovinou je karbid kremíka. Zahusťovacie pomocné látky sú bór plus uhlík a zahusťovanie prebieha procesom reakcie v tuhom stave nad 2200 °C. Jeho vysokoteplotné vlastnosti a odolnosť proti korózii sú vynikajúce kvôli nedostatku sklovitej druhej fázy na hraniciach zŕn.
Spekaný karbid kremíka v kvapalnej fáze (LSSIC). Východiskovou surovinou je karbid kremíka. Pomocné prostriedky na zahusťovanie sú oxid ytritý plus oxid hlinitý. K zhusteniu dochádza pri teplote nad 2100 °C reakciou v kvapalnej fáze a výsledkom je sklovitá druhá fáza. Mechanické vlastnosti sú vo všeobecnosti lepšie ako SSIC, ale vlastnosti pri vysokej teplote a odolnosť proti korózii nie sú také dobré.
Karbid kremíka lisovaný za tepla (HPSIC). Ako východisková surovina sa používa prášok karbidu kremíka. Zahusťovacími prostriedkami sú vo všeobecnosti bór plus uhlík alebo oxid ytria plus oxid hlinitý. K zhutneniu dochádza súčasnou aplikáciou mechanického tlaku a teploty vo vnútri dutiny grafitovej formy. Tvary sú jednoduché taniere. Môžu sa použiť malé množstvá pomocných prostriedkov na spekanie. Mechanické vlastnosti materiálov lisovaných za tepla sa používajú ako základ, s ktorým sa porovnávajú ostatné procesy. Elektrické vlastnosti môžu byť zmenené zmenami v zahusťovacích pomôckach.
CVD karbid kremíka (CVDSIC). Tento materiál vzniká procesom chemického vylučovania z plynnej fázy (CVD), ktorý zahŕňa reakciu: CH3SiCl3 -> SiC + 3HCl. Reakcia sa uskutočňuje pod atmosférou H2, pričom SiC je nanesený na grafitový substrát. Výsledkom procesu je materiál s veľmi vysokou čistotou; dajú sa však vyrobiť len jednoduché platne. Proces je veľmi drahý kvôli pomalým reakčným časom.
Chemický parný kompozitný karbid kremíka (CVCSiC). Tento proces začína patentovaným grafitovým prekurzorom, ktorý je v grafitovom stave opracovaný do takmer čistých tvarov. Proces konverzie vystaví grafitovú časť in situ reakcii pary v tuhom stave za vzniku polykryštalického, stechiometricky správneho SiC. Tento prísne kontrolovaný proces umožňuje výrobu komplikovaných návrhov v kompletne prerobenej SiC časti, ktorá má vlastnosti tesnej tolerancie a vysokú čistotu. Proces konverzie skracuje bežný výrobný čas a znižuje náklady v porovnaní s inými metódami.* Zdroj (okrem uvedených prípadov): Ceradyne Inc., Costa Mesa, Kalifornia.
Čas odoslania: 16. júna 2018