සල්ෆරයිසින් තුණ්ඩයේ දූවිලි ඉවත් කිරීමේ මූලධර්මය සහ ඔක්සිකරණ ප්‍රතිරෝධය

තුණ්ඩයෙන් සල්ෆරීකරණය කිරීමෙන් දූවිලි ඉවත් කිරීමේ මූලික මූලධර්මය වන්නේ වායුගෝලයෙන් හෝ දුමෙන් දූවිලි අංශු වෙන් කිරීමයි.

පළමුවෙන්ම, අංශු ප්‍රමාණය සහ නිශ්චිත ගුරුත්වාකර්ෂණය වැඩි කිරීම සඳහා දූවිලි අංශු ජල ඉසිනයකින් තෙත් කරනු ලැබේ. එවිට දූවිලි අංශු වායුගෝලයෙන් හෝ දුම් වායුවෙන් වෙන් වේ. සල්ෆරීකරණය කළ තුණ්ඩය කැඩී ගිය විට, අපි තුණ්ඩය පහළට ගත යුතුය. නිශ්චිත ක්‍රියාකාරිත්වය පහත පරිදි වේ:
1) පොරොත්තු කොටස් හෝ අමතර කොටස් නිසි ලෙස තබා ගත යුතුය: සාමාන්‍ය සැපයුම්කරුවන්ට විශේෂ ඇසුරුම් සහ ලේබල් කිරීම ඇත, එනම් ඒවා භාවිතයෙන් තොරව තැබිය යුතුය. ඉවත් කරන ලද ඩෙසල්ෆරයිසින් තුණ්ඩ මලකඩ වැළැක්වීම සඳහා තෙල් (ගෑසොලින්, ඩීසල් තෙල්, ආදිය) පොඟවා ගත යුතුය.
2) භාවිතයේ ඇති සල්ෆරීකරණය කළ තුණ්ඩයේ දෝෂයක් ඇති විට, තුණ්ඩ පරීක්ෂාව බිඳ දැමිය යුතුය. එකලස් කිරීමේ සම්බන්ධතාවය පියවරෙන් පියවර විසුරුවා හැරීමට සහ දිරාපත් කිරීමට පරිශීලකයින් විශේෂ මෙවලම් හෝ සුදුසු මෙවලම් භාවිතා කළ යුතුය.
3) ඉවත් කරන ලද තුණ්ඩ කිසිදු ප්‍රතිකාරයක් වෙනුවට තුණ්ඩ පරීක්ෂණ බංකුව මත වහාම ස්ථාපනය කළ යුතුය. නියමිත වැඩ පීඩනයට අනුව, ප්‍රවාහ ලක්ෂණ, ඉසින කෝණ හඳුනාගැනීම සහ ඉසින ගුණාත්මකභාවය නිරීක්ෂණය කිරීම සිදු කරනු ලැබේ. දෝශ නිරාකරණයේදී මෙය විසඳා ගත හැකිය.

පාරිසරික ආරක්ෂණ අවශ්‍යතා යටතේ ඩෙසල්ෆරීකරණය කිරීමේ තුණ්ඩය මතු වී ඇත. නිෂ්පාදනයේ ප්‍රධාන අරමුණ වන්නේ වායුව ඩෙසල්ෆරීකරණය කිරීමයි. මෙය කාර්මික නිෂ්පාදනය වඩාත් පරිසර හිතකාමී කරයි. ඩෙසල්ෆරීකරණය කිරීමේ තුණ්ඩයේ රසායනික ගුණාංග පහත විස්තර කර ඇති අතර, අපි ඔබට උදව් කිරීමට බලාපොරොත්තු වෙමු.

සල්ෆරයිසින් තුණ්ඩවල ඔක්සිකරණ ප්‍රතිරෝධය
සිලිකන් කාබයිඩ් ද්‍රව්‍ය වාතයේ දී අංශක 1300 දක්වා රත් කළ විට, සිලිකන් කාබයිඩ් ස්ඵටිකයේ මතුපිට සිලිකන් ඩයොක්සයිඩ් ආරක්ෂිත තට්ටුවක් සෑදේ. ආරක්ෂිත ස්ථරයේ ඝණ වීම අභ්‍යන්තර සිලිකන් කාබයිඩ් ඔක්සිකරණය වීම වළක්වයි. මෙය සිලිකන් කාබයිඩ් හොඳ ඔක්සිකරණ ප්‍රතිරෝධයක් ඇති කරයි. උෂ්ණත්වය 1900K (1627 C) ට වඩා වැඩි වූ විට, සිලිකන් ආරක්ෂිත පටලය විනාශ වේ. මෙම අවස්ථාවේදී, සිලිකන් කාබයිඩ් ඔක්සිකරණය උග්‍ර වේ. එබැවින්, ඔක්සිකාරක වායුගෝලයේ සිලිකන් කාබයිඩ්වල ඉහළම ක්‍රියාකාරී උෂ්ණත්වය 1900K වේ.

සල්ෆරයිසින් තුණ්ඩවල අම්ල සහ ක්ෂාරීය ප්‍රතිරෝධය:
අම්ල ප්‍රතිරෝධය, ක්ෂාර ප්‍රතිරෝධය සහ ඔක්සිකරණය යන අංශයන්හි සිලිකන් ඩයොක්සයිඩ් ආරක්ෂිත පටලයේ ක්‍රියාකාරිත්වය මඟින් සිලිකන් කාබයිඩ් වල අම්ල ප්‍රතිරෝධය සහ ක්ෂාර ප්‍රතිරෝධය වැඩි දියුණු කළ හැකිය.