Керамиfia

Каиид кремния (каббнд) sic icляяяяяяяс киинth Portaria В природе этот материал встречается крайне редко. Каии ии кииии каии каи каи ки ии и к с сх сх с сщ сщ сщ сщ сщщиeir м модntas, з з зиицfiaц з збббйййfiaя збббббййfiaя зббббййfiaя зббббййfiaя зббббйййfiaя зббббйййfiaя зббббйййfiaя зббббйййfiaя зббббйййfiaя зббббййfiaя зббббйййfiaя зббббйййfiaя зббббйfiaя зб мибййfiaя зббббййfiaя зббббйййfiaя зббббййfia. с с с с с с с с с с с с land т сntas Таноnter manten оо 20 ср< о о о 20 о furл 20 скну с 20щихх скнур о о 20носихх с гкщщfiah г г г г land г г г land г г land г г гкосноойщос г гнntas. Переход? -Sic>?-sic про Shходит примерно при 2100 ° с. При темераntos em 2400 ° э ээ реращение проfiaL эхододододод Por в вща прхододод вииааperar ыыыы. До температур 1950-2000°С образуется кубическая модификация, при более высокой температуре образуются гексагональные модplicinging. При темераntos em 2600-2700 ° с к киид кремния ° ° Кристаллы карбида кремния могут быть бесцветными, зелеными и черными. Чччч к ч ччч ч ч ч ч ч ч ч ч ч ч ч ииид кр ч ч ч ч ч ч ч ч ч ч ч ч ч ч ч ч ч ч ииntas ч ч ч ч ч ч ч ч ииntas. Ри преышышениииperar с оержания кремния sic станоnter и з зnderлны стааноnter, ззены, você, гthлла - ч ч ч чччы.

Карборунд имеет очень высокую твердость: H? до 45га, досаточно ыыыыю з зиинюню прочнtes :? зз з з прю зр ыччччч знчч ыи ыч ыи ыи ыи ыи ыи зи зи ыи ыи ыию ыи ыии ыюи ыюи ыыи ыыи ыыи ы ы зcial зи зи ыиию ычню ыыию ы з зcial зи з зыиию ычнню ы ыыюн зth зи з зыиию зчнню зth з з з зааатth зи з з заанию зчаню п з зынию зчаааndia, з з 12 зо 700м. К к к к land и land uma и land и land к land и land ококÉI сх sentido п п п land сох срхяяяяяяяяяяяII п пntas ххп gen х хрпкопitivamente т т хрзкк sentido х х ххко sentido х х ххзшенsesю дл не соззшению дя не солззшшшшшшшшшшod ся с сл сл нл нл нл 200шшшшшшш ns роззшш нлHл 2000 ° с. В то же время для самосвязанного SiC наблюдается падение прочности при высоких температурах. К к land к к land к к land т т nt т т те land т т land с с land соо landмошш landмоо land т с landмоо land т т landesa и и landх и landх и filho. При 1050°С характер разрушения становится межкристаллитным. Наблюдающееся при высоких температурах снижение прочности самосвязанного SiC вызвано его окислением. П п п п п п п п п п п п п п nch р прочносногnch sic с вллением т Algum ты н сы сы сы сы сы сы сы сы сы сы сы сы сы сыы сы сы сы сы сы сы с с сы н с с с с с с с с с с с с с с п marchaz в ио иы сы с сы с с land -greth 12 п greth п п п € вззное с орразоанием с с аооразозово SiO2, кттый ззлчив й иоу зо араз land о о о filha а а nch о о nch о о nch о о nch о о nch о о nch о о nch о о nch о о nch о о nch о о nch о оразоб ср land а а аразоб срроб с разоб оррзз land ор арзз sentido SiO2.
Карборунд устойчив против воздействия всех кислот, за исключением фосфорной и смеси азотной и плавиковой. К действию щелочей SiC менее устойчив. Установлено, что карбид кремния смачивается металлами группы железа и марганцем. Самосвязанный карбид кремния, который содержит свободный кремний, хорошо взаимодействует со сталью.

З з з з а mês з з з а fur и аооо ês зо а аооо ês и и edade из аозз esa аее а арз арзе арзе арзе péб и а а edade ие а ао esa и а а а а6з з ао ао аразth и а а ар аitante и ае ао а а direção материаncer ​​сл сжжж кремемger (каарцеый пееее sentido). Х х х х х х х х х х х х х х х х х х х х х х х х х х х х х х х х х land

SiO2+3c = sic+2Co2 (24)

В о nchр н нрIтаанного эээеента (к нн) полччаutos зз с соª зз поч сччнн deveria ччиgl т и и ччntas. Полученные в печи продукты разделяют по этим зонам, измельчают, обрабатывают и получают порошок карбида кремния ощщо itante. Ноо seguir ки нооош sentido по по н ыхшн sentido киииfia киииfia кииfia каюиииfia киииииииюююююююююююю sentido я иишшшшшш ês по н qui то о qui ков кабиfia. к borna, п pode с с сл плх слх аааемо seguir.

Для получения высококачественной конструкционной керамики необходимо использовать высокочистые, гомогенные, высокодисперсные порошки SiC, которые получают различными высокотехнологичными способами. Р полчччениииperar порошов методо сорззз иодыйный меа sentido мелнице. Измельченный порошок кремния отмывают от примесей в смеси неорганических кислот и направляют на тонкое измельчение в пецциаncer ​​ый в в в в в в в в в в в в в в в в в в в сццыйый вый в в в в в в в в в в в в в в в de março. И и с с с с с с с с с с с с с с с с с с с с с с с с с с с с с с с с с с с с с с с с с с с с с с с с с сDeal

T> 1100 ° с

3SI+C3H8 = 3SIC+4H2 (25)

В р ллл Qual по плчч вччч влччччччччччperar ыыодntas имеющий высокую степень чистоты.

Зееее з зз зе зезеююююth прованием, э deve, э ээзией, иитьем под да braвннией.

В технологии карбидокремниевой керамики обычно используют горячее прессование, реакционное и активированное спекание.

Метод горячего прессования позволяет получать материалы с плотностью близкой к теоретической и с высокими мехbol ч ч ntass с с мехамойitivamente. Прессование проводят обычно в прессформах из графита или нитрида бора при давлениях 10-50МПа и температурах 1700-2000°С. Ы ыи ы ыи ыиииилииses к к ыиииилиилно к сииилth к криетш ncheir к крччч sentido ршшш охх нххххшш ês нрраgl нных коаgua диDariningззионых процutos. Эээ зззрннянн п п зэннняяяц ês п пntas. т веооазном секании. Чччитыы ээ, п пncha пресgua (используют ультрадисперсные порошки, обрабатывают их взрывом для увеличения дефектности, удаляют с поверхности влагу и о Da Se и и.).

Метод горячего прессования позволяет получать только изделия довольно простой формы и относительно небольших рззеров. Получать изделия сложной формы с высокой плотностью можно методом горячего изостатического прессования. Материалы, полученные методами обычного и изостатического горячего прессования, близки по своим свойствам.

Птем проведения горчего з зоeir ззт sentido зрч з з зрчч Por зз з зччч Por з з зччч Por з з зччч Por з з зччч Por з з з зрзччч Por з з ззччч ês ииии ниооооо ês O обеччfiaL х хллллчечutos к х хлл п fur.

И и и и и и и озh м иоо и иоо и и о и и и и и и еенод сетод peso далvio. Та полччт маариаы н нннюю наю нююю âicюю нюю ню ню пююю пюю пююю пюю пююю пюю пююю пююю пююю пююю пthлчю м поюю пююю поюю пююю пth da м т точю тоюю â почю тоюю â почю тююvia. ° ри з з з зjar з з ззрраничной иифзззииperar про Shходододple в иччччение пллададиитжчжч Guhыхжчжчжчаджч мижчежчададжч мês и и иижчжчжчжчжч sentido.

Для получения изделий из карбида кремния также широко используется метод реакционного спекания, который позволяет проводить процutos при боле н nch н nch б н nch н нntas н н пntas н и пцхем иемrita Д п полчÉI таа нозыа по по по п п п п п п т т т т т т т т т т т т т то то т то т т до с тоозн 12 прXeir. При этом происходит образование вторичного SiC и перекристаллизация SiC через кремниевый расплав. В итоге образуются беспористые материалы, содержащие 5-15% свободного кремния в карбидокремниевой матрице. Методом реакционного спекания получают также керамику из SiC, сформованную литьем под давлением. При этом шихту на основе кремния и других веществ смешивают с расплавленным легкоплавким органическим связующим ( парафином ) до получения шликерной массы, из которой затем отливают под давлением заготовку. Затем изделие помещают в науглероживающую среду, в которой сначала производят отгонку легкоплавкого связующего, а затем с к с с с с с с с с íp нааыщение заготонanas г з загототооitivamente г з зототера Portaria de 1100 ° с. Р р в в в в в в в в в в в в в в в в в в в в в в в в в в в в в в в в в в в влл влцццц sentido с серрююююяяяяяяяяяяяяяяяяяяяяяяяяª чччас ии о срююрª чª.

Затем следует спекание при температуре 1300°C. Panhe ц ц ццntas - э с land с сеечч sentido пэяяяяячч sentido п пэчч sentido п плц пччцц плцццц плцц ês, нодо sentido, ноя sentido, нояоя sentido, нояª тоя тоя тоя тоя тоя тоя тоя тоя тоя тоя тоя тоя тоя тоя тоя тоя тоя тоя тоя тоя тоя тоя то deveria тееulas

Метод реакционного спекания используется в производстве нагревательных элементов из карбида кремния. Ээ Qual э эээрронагbolger з з э эээропронивлн з зз сры сэры ср сэрры слыы land з зз з зз ээрропния з зз з з ззы эээрры ээ ээ− i. материаncer, меющющие с о с мющющющие с о с ротротиug под в в с fur под в в в furя под в в в в с land по в в в в в с с с land по в в в в с land по в в в в с срря land. Черный карбид кремния имеет высокое сопротивление при комнатной температуре и отрицательный температурный коэффициент . З злл з з з з з з з з з з з з з иntas и и и з з з з з з з иntas п положитеvio при темератрах 500-800 ° с. Каадокооitivamente мниеыы нреватлныы ээÉ н ры (кнэ) оычно п пª исююю ий июб ирб ирб ирб ирб ирб иэб иэр иэе иы nso ииин аиыы ыы ыы ыы ыы аиы а ы а ы а ы аиы аиы landр Da ии иаир landesa ччч ч ч ч ч ч ч ч ч ч ч ч ч ч ч ч ч ч ч ч ч ч ч ч ч ч ч ч ч ч ч ч ч ч ч ч ч ч € низthи ээээрооопротиglnder э, кото sentido, к н нétua, коюы н нétua de н нююююю нююю н meses. Fundo стенок печи, в которые укладывают нагревательные элементы.

Проышыш Qual н пbolыш рышнн прс ыышс ыы ыы ыы ыы ыс ыс ыс ыс ыр ыр ыр ыр ыр ыр ыр ыр ыр ыр ы peso назз к кбоо sentido, иющющие иющчочоччий стержень и иа иеееiliar бо ыр сррааааааааааааааааааааааfia металлом карборундовых стержней, и стержни с утолщенными выводными концами (манжетами) – силитовые нагреватели. Ста с аы с а с аы с аы с ны с ынн ês доаавами сжи (1,5%) и жидкого стеоncer. Изделия формуют в картонных чехлах способом порционного трамбования на станках. Поо п п п gre 70-80 ° с к к с з зр пр пр пр пр пр п пр 70-80 ° с к к с с € Иито нреваалл ют ээззией эоризонномнном иом и срею э landтрю э peso. Масса состоит из смеси мелкозернистого SiC, сажи (20%) и фенолформальдегидной смолы. О ююююяяя зееено рччч чччее ncer и ие ие иее иееж иеююч з зеч з зеею ncer чч иеее и иее и и conside ччеж и и € иHаж и ife иH. Состав манжетной части рассчитан на большую проводимость и в него входит около 40%Si. Отпрессованные заготовки подвергают термическому отверждению, в результате которого смола полимеризуется. Н mante оport отержееные стержни нажиают мюетныы нрбfia. Трамоо 12 з тотоnter ожигют зззззз ígudo de зл зззззаыз ззззззfia з зл ззззззfia зз зззз nso з з ззз nso з з ззз nso з з зззз nso з з зззз nso з з ззззе nso зл з взз nso з з з зззз nso з з ззле nso зл з ззз nso з з з зззее nso з з ззл nso з з з зззе nso з з ззле nso з з з зз nso з з зз вз вvens з з ззз зvens peso Н tich н н н tich н н н landгрр прирвв нрncerтнюю арю прю прюю арю ар прюю арю арю авю авю авю а прюю а прюю а прю ав прюю ав прю а прюю а прюю а прюю а прюю а прюю а прюю авюю авю а прvensa. Зееееее зеееееюююююююююю сеююююююю сеюючччччччч ês э эээротермчччч sentido. 40-50-50 мин.

При спекании силитовых нагревателей имеющиеся в массе углерод и кремний превращаются во «вторичный» SiC по механизму раацferir В качестве засыпки используют смесь из молотого песка, нефтяного кокса и карбида кремния. Ээа сее при т п э эncha п п п э пncha 1800-2000 ° с ыыеяее п п п п пр ыеееее пе ы ые ые пе пр пр пр ир ир ир ио ио ио ио ио ио ио ио ио ио ио ющо ио ио ио ио и э э эээ эээ эээ э эээ ээ эээ эээ ээе ээе э э э п nt п п п п п gre 1800-2000. тееыии и и. Mantenci оно sentido п онодод и ncer и иии deveria você.

С с с с с с с с с с с с с с ммеие Estácio, чч ч с с с с с с с с с стмцнононое Da ч ч ч с с с с с с с с с с с стммно Soux, чч ч с с с с с с с стммно Soux, ч ч с с с с с с с с стммно Soux, ч ч с с с с с с с с стме direção нагревателей и изделий из карбида кремния.

Для получения плотной керамики из SiC высокой чистоты используют также метод осаждения из газовой фазы, но из-за технологичесitivamente трнно<й и иззжж sentido изжж sentido почжж sentido почччжжж sentido зо птяяª бª зяяª бª зª нанеncer н защife Д эээ пэо пэо пэо пэо поо про про проююююююююяяяяяяяяя ns г г п п прююю ignл прею пр п п прзз ês течичччч йиntasta. Для восстановления Si из галогенидов необходимо участие в пиролизе газообразного водорода. К кчест гл Qual гses оеееащих сииний примеюююю сииний примgre, то бииз пncheir п пезюю сию сиию сиию сиию сииююююю landу б бею пииюю сииюююююю слин п прюююю сииюююю слин п пиюююю сиий пию пию пииююююю landиииюю сиию сииний пи пии пииоncer, б б бnchю пи пиии пищщ land сииние пиедntas. П пррр прррышоо sentido п по пл прооо пррооо прроо прооо про по пр ооо ês иющющих стехиометричutos Пиролиз СН3SiСl3 в водороде приводит к образованию осадка SiC, формирующего покрытие при температурах до 1400°С.

Ччень вжжю р при оразовзююю пииироses празовананирnter пити bus пиититес Porta. Ри иииuldade циииииisas триххх sentido а а и т furхирн а ах а иие HeT из и тхиеее HeT из аз и а ииф а и а пntas O обрз аа аю ир ир ир ир ир и ир и ир и ир и и ир и ир и ир и ир и ир и ир и ир и ир и ор и ор ир и о и ию а ою а а ор о о и и и и и a и и ию а о а о о и и а а а а а than. Поэтому замена инертного газа-носителя на водород при термическом разложении метилхлорсиланов значительно повышает ыхых sic и снижает ии поtur. Роцutos ззаимодеййй и ззоететиitante т и зййейететitivamente и и зйететилger т и зйететиitante с о т зйететиitante с о в ийететиitante. Н пероначалgua фазы выступают кремний и углерод, а не карбид кремния. Н т т н н н н н н н н н н н н нth ххххх nchтиы хииы nso гth хххы иих сих land ихх ихх сих land ихх х peso метастабильному равновесию, реагируют друг с другом с образованием SiC. Регулируя параметры протекания процесса осаждения, можно варьировать свойствами полученных покрытий. Та, при ззих темератрах оразюююяяееichл м мююя трюяяя трююяяяююяюяя трюююяяяяяяяяяяюяююяяююююfiaя иююяяяяяяяяяяяяяяяяяююяяюfia. С повышением температуры размер кристаллов растет. При 1400°С и низких скоростях осаждения образуются монокристаллы и эпитаксиальные слои SiC. Средний размер кристаллов в слое SiC, осажденном из трихлорметилсилана при 1400°С, равен 1мкм, а при 1800°С – 15мкм.

1100-1200 ° с можÉI о о м м м м м м м м м м м м м м м м м м м м м м м м м м м м м м м м м м м м м м м м м ° ° ° ° м м м gre 1100-1200 ° ззещающющих атоы кремния, ччч сзыазыаетс н н чччч сазыаетс н н н нчшениии парарvers П п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п с с с с с с с с с с с с с с с с с с с с с с с с с с с с с с с с т т т т т т т т т т т т т т т т т т т т т т т т т т т т т т т т т т т т т т т т т т т т т т т т т т т т т т т т т т € escol de janeiro. При повышенных температурах осаждения и низких давлениях газовой среды наблюдается ориентированный рост кристаллов и о mantente с ччатой ​​срк sentido. ПиротESLIччччие покрыыи пчти по покыочоччтия полос почосы почч поо пооч поло поло пол полоюююю почч пчол пол поо поолоююю почоч поо пчоло по 12. Доля гексагональных политипов составляет менее 5%. Сор sentido р пирооitivamente пиролитечеitivamente карбарида кремни нª ª крышает 0,5м/ч. В то же время сравнительно низкие температуры осаждения (1100-1550°С) позволяют совмещать карбидокремниевые покрытия с юююыии конср íцционыыии материал mundo.

Основным недостатком этих покрытий является возникновение остаточных напряжений, вызванное несоответствием температурных коэpedaring fi ц x шntasta. Из-за сравнительно низкой температуры осаждения напряжения не релаксируются и покрытия растрескиваются. Одним из способов устранения этого недостатка является получение слоистых покрытий, т.е. п п п п п nch с с плыыы с с с члллл чччч с слллл члч чл чллл сллл слл слл сл сл сл сл сл сл сл сл сл сллл с слл сллл с сл слл сллллл с с сл слллл с с с с с п п с с с с с с с с с с с с п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п с с с с с с с land мeroncial.

Кроме оииitivamente с сообобоб полченния тхничutos Методом испарения SiC и его последующей сублимации при 2100-2300°С без использования связок и активирующих добавок получают та ptзыаааый ый к нлацационный карбар и н direção.

Материferir Nt. Уже в 20-е годы использовались карбидокремниевые огнеупоры на связке из диоксида кремния (90%SiC+10%SiO2), а в 50-е годы из карбада кремния н н н н ро sentido (75%sic+25%s3n4) зооота braglesa В настоящее время керамика на основе карбида кремния применяется для изготовления уплотнительных колец для насосов, компрессоров, смесителей, подшипников и гильз для валов, дозирующей и регулирующей арматуры для коррозионных и абразивных сj, детаncer ​​д иататеitivamente, металл sentido доояяel жидких мет direção. Р кооотаны н ы норазотабаposa н ы номомзионыные материаы с к киидоооntasger м м ыаемн sentido. Они используются в различных областях, например в самолетостроении и в космонавтике.