Карбид кремния (карборунд) SiC является единственным соединением кремния и углерода. В природе этот материал встречается крайне редко. Карбид кремния существует в двух модификациях, из которых ?-модификация является политипной и представл яет собой сложную структуру гексагональной формы. Установлено около 20 структур, относящихся к гексагональной форме карборунда. Переход ?-SiC>?-SiC происходит примерно при 2100°С. При температуре 2400°С это превращение происходит весьма быстро. Do температур 1950-2000°С образуется кубическая модификация, при более высокой температуре образуются ге ксагональные модификации. При температурах свыше 2600-2700°С карбид кремния возгоняется. Кристаллы карбида кремния могут быть бесцветными, зелеными и черными. Чистый карбид кремния стехиометрического состава бесцветен. При превышении содержания кремния SiC становится зеленым, углерода – черным.
Карборунд имеет очень высокую твердость: H? до 45ГПа, достаточно высокую изгибную прочность: ?изг до 700МПа. Карбидокремниевая керамика сохраняет примерно постоянную прочность до высоких температур: температура перехода от хрупкого к хрупкопластическому разрушению для нее составляет 2000°С. В то же время для самосвязанного SiC наблюдается падение прочности при высоких температурах. При комнатной температуре разрушение самосвязанного SiC транскристаллитное i носит характер скола. При 1050°С характер разрушения становится межкристаллитным. Наблюдающееся при высоких температурах снижение прочности самосвязанного SiC вызвано его окислением. Прочность рекристаллизованного SiC с увеличением температуры не уменьшается и, более того, возможно еееен tj. связанное с образованием слоя аморфного SiO2, который залечивает дефекты на поверхности и во внутренних ях изделий.
Карборунд устойчив против возйействия вех кисл John К действию selочей SiC менее устойчив. Установлено, что карбид кремния смачивается металлами группы железа и марганцем. Самосвязанный карбид кремния, который содержит свободный кремний, хорошо взаимодействует со сталью.
При изготовлении абразивных и огнеупорных изделий из SiC, а также карбидокремниевых электронагревателей, исходными материалами служат кремнезем (кварцевый песок) и кокс. Их нагревают до высокой температуры в электрических печах, осуществляя синтез методом Ачесона:
SiO2+3C=SiC+2CO2 (24)
Вокруг нагревательного элемента (керна) получается зона синтезированного продукта, а за ней – зоны кристалло в низкой чистоты i непрореагировавших компонентов. Полученные в печи продукты разделяют по этим зонам, измельчают, обрабатывают и получают порошок рбида кремния общего назначения. Недостатком данных порошков карбида кремния являются высокая загрязненность примесями, большое содер жание диоксида кремния, плохая спекаемость и др.
Для получения высококачественной конструкционной керамики необходимо использовать высокочистые, гомогенн ые, высокодисперсные порошки SiC, которые получают различными высокотехнологичными способами. При получении порошков методом синтеза исходный металлургический кремний подвергают дроблению и помолу w валковой мельнице. Измельченный порошок кремния отмывают от примесей в смеси неорганических кислот и направляют на тонкое и зmelьчение в специальный вертикальный реактор. Синтез SiC осуществляется в реакторе подачей Si в специальные сопла, а вместо сжатого воздуха подается an:
t>1100°С
3Si+C3H8=3SiC+4H2 (25)
В результате получается высокодисперсный, гомогенный, aktyвированный порошок карбида кремния монофрак ционного состава, имеющий высокую степень чистоты.
Изделия из SiC формуют прессованием, экструзией, литьем под давлением.
В технологии карбидокремниевой керамики обычно используют горячее прессование, реакционное и активированно е спекание.
Метод горячего прессования позволяет получать материалы с плотностью близкой к теоретической и с окими механическими свойствами. Прессование проводят обычно в прессформах из графита или нитрида бора при давлениях 10-50МПа и температура х 1700-2000°С. Ысокая стабильность кристалических решетет туоплавких неметалических совин ноеит ноеит rozmów ных ковалентных связей, оRstaделяет низкюю концентрацию и подвижность дефекецешешетететa с. Это затрудняет протекание процесса диффузионно-вязкого течения, ответственного за массоперенос и уплотнен iе при твердофазном спекании. Учитывая это, перед прессованием в керамику вводят активирующие спекание добавки iли проводят физическое а ктивирование (используют ультрадисперсные порошки, обрабатывают их взрывом для увеличения дефектности, яют с поверхности влагу и оксидные слои и т.д.).
Метод горячего прессования позволяет получать только изделия довольно простой формы и относительно не больших размеров. Получать изделия сложной формы с высокой плотностью можно методом горячего изостатического пресссовани я. Материалы, полученные методами обычного i изостатического горячего прессования, близки по свойст tam.
Путем ormal горячего изосokój тооплавких неметалаических соединений, удается повыыить темараubli п поцевоввa тическая дефермация.
Используя метод активированного спекания удается спечь отформованные изделия из SiC до плотности свыше 90 % без приложения давления. Так получают материалы на основе SiC с добавками бора, углерода и алюминия. Благодаря этим добавкам за счет образования диффузионного слоя на поверхности частиц, их консолидации и укрупнения при зернограничной диффузии происходит увеличение площади межчастичных контактов и усадка.
Для получения изделий из карбида кремния также широко используется метод реакционного спекания, котор ый позволяет проводить процесс при более низких температурах i получать изделия сложной формы. Для получения так называемого „самосвязанного” карбида кремния проводят спекание прессовок из SiC i углеро да в присутствии кремния. При этом происходит образование вторичного SiC i перекристаллизация SiC через кремниевый расплав. И итоге образзтся беспористые материалы, содержащиfe 5-15% сатроtoś крремниala в карtoś Методом реакционного спекания получают также керамику из SiC, сформованную литьем под давлением. При этом шихту на основе кремния i других веществ смешивают с расплавленным легкоплавким органическим связ ующим ( парафином ) до получения шликерной массы, из которой затем отливают под давлением заготовку. Затем изделие помещают в науглероживающую среду, в которой сначала производят отгонку легкоплавкого св язующего, а затем сквозное насыщение заготовки углеродом при температуре 1100°С. В результате реакционного спекания образуются частицы карбида кремния, которые постепенно заполняют ис ходные поры.
Temperatura pracy 1300°C. Реакционное спекание является экономичным процессом благодаря применению недорогого термического обор удования, температура спекания снижается с обычно применяемой 1600-2000°C do 1100-1300°C.
Метод реакционного спекания используется в производстве нагревательных элементов из карбида кремния. Электронагревательные сопротивления из карбида кремния представляют собой так называемые термисторы, т. e. материалы, меняющие свое сопротивление под влиянием нагрева или охлаждения. Черный карбид кремния имеет высокое сопротивление при комнатной температуре i отрицательный температурный к оэфциент сопротивления. Зеленый карбид кремния имеет низкое начальное сопротивление и слабоотрицательный температурный коэфц иент, переходящий в положительный при температурах 500-800°С. Крбидокремниевые нагательные элёентн (кнэ) относительно ысоким электрическим сyłka тивлением, которые не нагреваются п ormрецесе 6ксплception Такие выводные концы необходимы для надежного контакта с питающей электросетью, а также для предохран ения от разрушения стенок печи, в которые укладывают нагревательные элементы.
Проышленость ыпуает да типа нагевательных нлементов из карtoś брундовые, имеющие рабочий сеежень и два отдельных try тержней, и стержни с уолщенныи ыводныи концами (манжетами) - силитовые нагрentów. Составные карборундовые нагреватели формуют из полусухой массы, состоящей из крупнозернистого порошка з еленого SiC с добавками сажи (1,5%) i жидкого стекла. Изделия формуют в картонных чехлах способом порционного трамбования на станках. После отверждения заготовки при 70-80°С картонный чехол выжигается в трубчатой электропечи при темп temperatura 800-850°С. Силитовые нагреватели формуют экструзией на горизонтальном гидравлическом прессе. Масса состоит из смеси мелкозернистого SiC, сажи (20%) i фенолформальдегидной смолы. Формуются раздельно рабочая часть и манжеты. Состав манжетной части рассчитан на большую проводимость и в него входит около 40%Si. ОRaрессованные заготовки подвергают термическом отверждению, в резльтатluz На отвержденные стержни насаживают манжетные трубки. Трамбованные заготовки обжигают в засыпке из углепесочной смеси при температуре около 2000°С. Нагреватель предварительно обмазывают токопроводящей пастой, состоящей из кокса, графита и кварцевого peska. Изделие спекают прямым электротермическим нагревом в специальных печах при пропускании через заго товку тока в 80-100А w 40-50 min.
При спекании силитовых нагревателей имеющиеся в массе углерод и кремний превращаются во «вторичный» SiC по механизму реакционного спекания в условиях выделения парообразного кремния из засыпки, куда помещают о бжигаемый нагреватель. В качестве засыпки используют смесь из молотого песка, нефтяного кокса и карбида кремния. Эта смесь при температуре 1800-2000°С выделяет парообразный кремний и СО, проникающие внутрь заготовки i реагирующие с твердыми Si i С. Одновременно происходит синтез вторичного карбида кремния путем взаимодействия кремния, содержащегося ш ихте, с углеродом.
Следует отметить, что реакционное спекание впервые нашло свое практическое применение именно в производстве на гревателей и изделий из карбида кремния.
Для полчения плотной керакики из sic ыыок чистоты иS их трностей и невожости полчать изделия толщиной более нескольких милимеоиubli крытий. Для этого применяются методы газофазного синтеза SiC из летучих галогенидов кремния и углеводородов ил i метод термической диссоциации газообразных кремнийорганических соединений. Для восстановления Si из галогенидов необходимо участие в пиролизе газообразного водорода. В качестве углеродсодержащих соединений применяют толуол, бензол, гексан, метан и др. Для промышленного получения карбидокремниевых покрытий более удобен метод термической диссоциации мет илхлорсиланов, имеющих стехиометрическое соотношение Si:C=1:1. Пиролиз СН3SiСl3 w водороде приводит к образованию осадка SiC, формирующего покрытие при температурах до 1400 °С.
Очень важную роль при образовании пиролитического SiC играет водород. При диссоциации трихлорметилсилана в инертной атмосфере без участия водорода протекают реакции, приводящие к образованию кремния и углерода, а не SiC. Поэтому замена инертного газа-носителя на водород при термическом разложении метилхлорсиланов значительно п овышает выход SiC i снижает или полностью прекращает сажеобразование. Процесс взаимодействия трихлорметилсилана с водородом протекает в две стадии. На первоначальной стадии процесса устанавливается нестабильное равновесие, при котором в качестве конденсированной фазы выступают кремний и углерод, а не карбид кремния. На второй стадии газообразные хлорсиланы и углеводороды, образовавшиеся на первой стадии в концентрациях, отвечающих метастабильному равновесию, реагируют друг с другом с образованием SiC. Регулируя параметры протекания процесса осаждения, можно варьировать свойствами полученных покрытий. Так, при низких температурах образуются мелкозернистые и метастабильные структуры. С повышением температуры размер кристаллов растет. При 1400°С i низких скоростях осаждения образуются монокристаллы i эпитаксиальные слои SiC. Средний размер кристаллов в слое SiC, осажденном из трихлорметилсилана при 1400°С, равен 1мкм, а при 1800°С – 15мkm.
При 1100-1200°С может образовываться неравновесный твердый раствор со сверхстехиометрическим содержанием атомов углерода, замещающих атомы кремния, что сказывается на уменьшении параметра решетки SiC. С повышением температуры отжига до 1300°С или в результате последующего отжига избыточный углерод в ыделяется в свободном состоянии. При повышенных температурах осаждения и низких давлениях газовой среды наблюдается ориентированный ро ст кристаллов i формирование столбчатой структуры. Пиролитические покрытия почти полностью состоят из ?-SiC. Доля гексагональных политипов составляет менее 5%. Скорость роста пиролитического карбида кремния не превышает 0,5mm/ч. В то же время сравнительно низкие температуры осаждения (1100-1550°С) позволяют совмещать карбидокремниевые покрытия с любыми конструкционными материалами.
Основны недостатком этих покрыий являentów циентов линейного расширениala покрытия и подложки (кроме слччая нанесе Więc sic на SIC) и анией form пdr пRоыRolol. Из-за сравнительно низкой температуры осаждения напряжения не релаксируются i покрытия растрескиваются. Одним из способов устранения этого недостатка является получение слоистых покрытий, т.е. покрытий с регулярным чередованием слоев равной толщины пироуглерода i SiC, осажденным из смеси хлорметилсила na с метаном.
Кроме описанных способов получения технической керамики из SiC, используются и другие. Методом испарения SiC i его последующей сублимации при 2100-2300°С без использования связок и активирую щих добавок получают так называемый рекристаллизационный карбид кремния.
Материалы на основе карбида кремния начали применяться значительно раньше, чем материалы на основе Si3N4, Аl N, В4С i ВN. Уже в 20-е годы использовались карбидокремниевые огнеупоры на связке из диоксида кремния (90%SiC + 10%SiO2), а в 50-е годы из карбида кремния на нитридокремниевой связке (75%SiC+25%Si3N4) изготавливали сопла ракет. Вааояще вемя керамика на основе карtoś кремния применяняons оо, сесителей, подшипников и гилз д© валов, дозирющей и реглирющей ааysta двигателей, металлоociażj ж жидких металлов. Разработаны новые композиционные материалы с карбидокремниевой матрицей. Они используются в различных областях, например в самолетостроении и в космонавтике.
Czas publikacji: 22 sierpnia 2018 r