ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଏବଂ ସିଲିକନ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ ତରଳ ଧାତୁ ସହିତ ଖରାପ ଜମାଧ୍ୟକ୍ଷ ଅଛି | ଏହା ବ୍ୟତୀତ ମ୍ୟାଗ୍ନେସିୟମ୍, ନିକେଲ୍, କ୍ରୋମିୟମ୍ ମାଲିପ୍ ଏବଂ ଇଥିଓଲେସ୍ ଇସ୍ଲୋ, ସେମାନଙ୍କର ସମସ୍ତ ଧାତୁରେ କ word ଣସି ସ୍ୱିଥିବିଛ୍ୟାଙ୍କ ନିକଟରେ ନାହିଁ, ତେଣୁ ସେମାନଙ୍କର ଉତ୍ତମ କ୍ଷୁଦ୍ରତା ନାହିଁ |
ଏହି କାଗଜରେ, ରିସ୍ରୋଷ୍ଟାଲ୍ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇନନ୍ ର ସିଲିକନ୍ ନାଇଟ୍ରିଡ୍ସର ସିଲିକନ୍ କାର୍ବଡେ si3n4-sic
495 ° C ~ 60 ° C ~ 620 ° C ~ 620 ° C ~ 620 ° C ~ 620 ° C ~ 620 ° C ~ 620 ° C ~ 620 ° C ° 620 ଦଶକର ପରୀକ୍ଷାମୂଳକ ତଥ୍ୟ ଅନୁଯାୟୀ, ନିମ୍ନଲିଖିତ ବିଶ୍ଳେଷଣ ଫଳାଫଳ ପ୍ରାପ୍ତ ହେଲା |
R- SIC ଏବଂ SI3N4-SIC ନମିରାଗୁଡ଼ିକ କ୍ଷୟ) ଏବଂ କ୍ଷୟ ସୀମିତତା ନଷ୍ଟ ହୋଇଗଲେ | ସାମାନ୍ୟ ଲୋଗାରିଥମିକ୍ ସମ୍ପର୍କ ସହିତ କ୍ଷତିକାରକ ହାର | (ଚିତ୍ର 1)
ଶକ୍ତି ସ୍ପେକ୍ଟ୍ରମ ବିଶ୍ଳେଷଣ ଦ୍, ାରା, R- ସିଙ୍କ ଏବଂ Si3n4-sic ନମୁନାଗୁଡ଼ିକ ନିଜେ କ son ଣସି ଆଲୁମିନିୟମ୍ ସିଲିକନ୍ ନାହିଁ; XRD pattern ାଞ୍ଚାରେ, ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ପରିମାଣର ଆଲୁମିନିୟମ୍-ସିଲିକନ୍ ଶିଖର ହେଉଛି ଭୂପୃଷ୍ଠ-ଅବଶିଷ୍ଟ ଆଲୁମିନମ୍-ସିଲିକନ୍ ମିଶ୍ରଣ | (ଚିତ୍ର 2 - ଚିତ୍ର 5)
ସେମ ବିଶ୍ଳେଷଣ ମାଧ୍ୟମରେ, ଯେହେତୁ କ୍ଷୟ ବ increases ଼େ, ର-ସିସି ଏବଂ SI3N4-SIC ନମୁନାର ସାମଗ୍ରିକ ଗଠନ ହେଉଛି ଖାଲି, କିନ୍ତୁ କ of ଣସି ସ୍ପଷ୍ଟ କ୍ଷତି | (ଚିତ୍ର 6 - ଚିତ୍ର 7)
ଇଣ୍ଟରଫେସ୍ ମଧ୍ୟରେ ଆଲୁମିନିଆ ତରଳ ଏବଂ ସିରାମିକ୍ ମଧ୍ୟରେ ସ୍ୱଚ୍ଛତା ମାତ ଏବଂ ସିରାମିକ୍ ମଧ୍ୟରେ ସ୍ୱଚ୍ଛତା σS / L> σS / G, ଆଲୁମିନିୟମ୍ ତରଳ ଏବଂ ଅନ୍ତନଳୀ ମଧ୍ୟରେ ଅନ୍ତିମ ରଙ୍ଗ |
ତେଣୁ, R-SIC ଏବଂ SIA3N4-SIC ବସ୍ତୁଗୁଡ଼ିକ ଆଲୁମିନିୟମ୍ ସିଲିକନ୍ ତରଳିବା ଏବଂ ସାମାନ୍ୟ ପାର୍ଥକ୍ୟର ଉତ୍କଣ୍ଠନରେ ପ୍ରତିରୋପଣରେ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ସାମଗ୍ରୀ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ | ତଥାପି, Si3n4-sic ସାମଗ୍ରୀର ମୂଲ୍ୟ ଅପେକ୍ଷାକୃତ କମ୍ ଅଟେ ଏବଂ ସଫଳତା ପାଇଁ ସଫଳତାର ସହିତ ପ୍ରୟୋଗ କରାଯାଇଛି |
ପୋଷ୍ଟ ସମୟ: ଡିସେମ୍ବର -1118 |