1. Kukanika kwa dzimbiri
Zithunzi za FGDZimagwira ntchito m'malo owononga kwambiri okhala ndi ma sulfur oxides, ma chloride, ndi mankhwala ena oopsa. Silicon carbide (SiC) ceramic imasonyeza kukana kwa dzimbiri kwapadera ndi kutayika kochepa kwa 0.1% mu pH 1-14 zothetsera (pakuyesa kwa ASTM C863). Poyerekeza ndi chitsulo chosapanga dzimbiri (PREN 18-25) ndi ma aloyi a nickel (PREN 30-40), SiC imasunga umphumphu wapangidwe popanda kupindika kapena kupsinjika kwa dzimbiri kusweka ngakhale mu ma acid ambiri pa kutentha kokwera.
2. Kukhazikika Kwambiri Kutentha
Kutentha kogwira ntchito m'makina onyowa a gas desulfurization nthawi zambiri kumakhala 60-80 ° C ndi ma spikes opitilira 120 ° C. SiC ceramic imasunga 85% ya mphamvu yake ya kutentha kwa chipinda pa 1400 ° C, zopangira alumina za ceramic (kutaya 50% mphamvu ndi 1000 ° C) ndi zitsulo zosagwira kutentha. Kuthekera kwake kwamafuta (120 W/m·K) kumathandizira kutulutsa bwino kwa kutentha, kuteteza kupsinjika kwa kutentha.
3. Valani Kukaniza
Ndi kulimba kwa Vickers kwa 28 GPa komanso kulimba kwa 4.6 MPa·m¹/², SiC imawonetsa kukana kukokoloka kwapamwamba polimbana ndi phulusa la ntchentche (Mohs 5-7). Mayeso am'munda akuwonetsa kuti ma nozzles a SiC amasunga <5% kuvala pambuyo pa maola 20,000 a ntchito, poyerekeza ndi 30-40% kuvala mu nozzles za alumina ndikulephera kwathunthu kwa zitsulo zokutidwa ndi polima mkati mwa maola 8,000.
4. Makhalidwe Oyenda
Kusanyowetsa pamwamba pa SiC yolumikizidwa ndi SiC (makona> 100 °) kumathandizira kubalalitsidwa bwino kwa slurry ndi ma CV <5%. Malo ake osalala kwambiri (Ra 0.2-0.4μm) amachepetsa kuthamanga kwa 15-20% poyerekeza ndi ma nozzles achitsulo, ndikusunga ma coefficients okhazikika (± 1%) pakugwira ntchito kwa nthawi yayitali.
5. Kusamalira Kuphweka
Kusakhazikika kwamankhwala kwa SiC kumalola njira zoyeretsera mwaukali kuphatikiza:
- Jet yamadzi yothamanga kwambiri (mpaka mipiringidzo 250)
- Akupanga kuyeretsa ndi njira zamchere
- Kutsekemera kwa nthunzi pa 150°C
Popanda chiwopsezo cha kuwonongeka kwamadzi komwe kumachitika mumilomo yazitsulo zokhala ndi polima kapena zokutira.
6. Moyo Wathu Economics
Ngakhale ndalama zoyamba za ma nozzles a SiC ndi 2-3 × apamwamba kuposa zitsulo zosapanga dzimbiri 316L, moyo wawo wautumiki wazaka 8-10 (vs 2-3 zaka zitsulo) umachepetsa ma frequency olowa ndi 70%. Ndalama zonse za umwini zikuwonetsa kusungidwa kwa 40-60% pazaka 10, popanda nthawi yocheperako pakukonzanso mu-situ.
7. Kugwirizana kwa chilengedwe
SiC ikuwonetsa magwiridwe antchito osayerekezeka m'mikhalidwe yovuta kwambiri:
- Kukana kupopera mchere: 0% kusintha kwa misa pambuyo pa kuyesa kwa 5000hr ASTM B117
- Kugwira ntchito kwa mame a Acid: Kupirira 160°C H2SO4 nthunzi
- Kukana kugwedezeka kwamafuta: Kupulumuka pa 1000 ° C → 25 ° C kuzimitsa kuzungulira
8. Anti-scaling Properties
Mapangidwe a atomiki ogwirizana a SiC amapanga malo osasunthika okhala ndi makulitsidwe otsika 80% kuposa njira zina zachitsulo. Kafukufuku wa Crystallographic amawulula kuti ma calcite ndi ma gypsum deposits amapanga ma bond ofooka (kumatira <1 MPa) pa SiC motsutsana ndi> 5 MPa pazitsulo, zomwe zimathandiza kuchotsa makina mosavuta.
Kumaliza kwaukadaulo
Silicon carbide ceramic imatuluka ngati njira yabwino kwambiri yopangira ma nozzles a FGD kudzera pakuwunika magwiridwe antchito:
- 10 × moyo wautali wautumiki kuposa njira zachitsulo
- 92% kuchepetsa kukonza kosakonzekera
- Kuwongolera kwa 35% pakuchotsa kwa SO2 pogwiritsa ntchito njira zopopera zosasinthika
- Kutsata kwathunthu miyezo ya EPA 40 CFR Part 63 yotulutsa mpweya
Ndi njira zotsogola zopangira monga zopaka-gawo lamadzimadzi ndi zokutira za CVD, ma nozzles a SiC a m'badwo wotsatira akukwaniritsa ma sub-micron pamwamba ndi ma geometri ovuta omwe sanapezekepo kale muzoumba. Kusinthika kwaukadaulo uku kumayika silicon carbide ngati chinthu chosankhidwa pamibadwo yotsatira yoyeretsa gasi.
Nthawi yotumiza: Mar-20-2025