Silicon carbide ndi silicon nitride ndizosanyowa bwino ndi chitsulo chosungunuka. Kupatula kulowetsedwa ndi magnesium, faifi tambala, chromium aloyi ndi zitsulo zosapanga dzimbiri, alibe wettability ku zitsulo zina, kotero iwo ali kwambiri kukana dzimbiri ndipo chimagwiritsidwa ntchito mu aluminiyamu electrolysis makampani.
Mu pepalali, kukana kwa dzimbiri kwa silicon carbide R-SiC yopangidwanso ndi silicon nitride yolumikizidwa ndi silicon carbide Si3N4-SiC mumayendedwe otentha a Al-Si aloyi amasungunuka adafufuzidwa kuchokera kumadera angapo.
Malinga ndi experimental deta 9 nthawi matenthedwe kupalasa njinga 1080h mu 495 ° C ~ 620 ° C zotayidwa pakachitsulo aloyi Sungunulani, zotsatirazi kusanthula zotsatira analandira.
Zitsanzo za R-SiC ndi Si3N4-SiC zinawonjezeka ndi nthawi ya dzimbiri ndipo kuchuluka kwa dzimbiri kunachepa. Kuchuluka kwa dzimbiri kumagwirizana ndi ubale wa logarithmic wa kuchepa. (chithunzi 1)
Mwa kusanthula kwamphamvu kwamphamvu, zitsanzo za R-SiC ndi Si3N4-SiC zokha zilibe aluminium-silicon; mu mawonekedwe a XRD, kuchuluka kwa nsonga ya aluminium-silicon ndi aloyi yotsalira ya aluminium-silicon. (Chithunzi 2-5)
Kupyolera mu kusanthula kwa SEM, pamene nthawi ya dzimbiri ikuwonjezeka, dongosolo lonse la zitsanzo za R-SiC ndi Si3N4-SiC ndi lotayirira, koma palibe kuwonongeka koonekeratu. (Chithunzi 6-7)
Kulimbana kwapamtunda σs/l>σs/g kwa mawonekedwe pakati pa aluminiyamu madzi ndi ceramic, ngodya yonyowa θ pakati pa zolumikizira ndi> 90 °, ndipo mawonekedwe amadzimadzi a aluminiyumu ndi pepala la ceramic sinyowa.
Chifukwa chake, zida za R-SiC ndi Si3N4-SiC ndizabwino kwambiri pakukana kwa dzimbiri motsutsana ndi aluminium silicon kusungunuka ndipo zimakhala ndi kusiyana pang'ono. Komabe, mtengo wa zipangizo za Si3N4-SiC ndizochepa ndipo zakhala zikugwiritsidwa ntchito bwino kwa zaka zambiri.
Nthawi yotumiza: Dec-17-2018