Карбид кремния (карборунд) SiC является единственным соединением кремния и углерода. В природе этот материал встречается крайне редко. Карбид кремния существует в двух модификациях, og которых? сложную структуру гексагональной формы. Установлено около 20 структур, относящихся к гексагональной форме карборунда. Переход ?-SiC>?-SiC происходит примерно при 2100°С. При температуре 2400°С. For temperatur 1950-2000°С. модификации. При температурах свыше 2600-2700°С карбид кремния возгоняется. Кристаллы карбида кремния могут быть бесцветными, зелеными и черными. Чистый карбид кремния стехиометрического состава бесцветен. При превышении содержания кремния SiC становится зеленым, углерода – черным.
Карборунд имеет очень высокую твердость: H? til 45ГПа, достаточно высокую изгибную leverandør: ?изг до 700МПа. Карбидокремниевая керамика сохраняет примерно постоянную прочность до высоких температур: темперератур хрупкого к хрупкопластическому разрушению for нее составляет 2000°С. В то же время для самосвязанного SiC наблюдается падение прочности при высоких температурах. При комнатной температуре разрушение самосвязанного SiC транскристаллитное и носит характер скола. При 1050°С характер разрушения становится межкристаллитным. Наблюдающееся при высоких температурах снижение прочности самосвязанного SiC вызвано его окислением. Прочность рекристаллизованного SiC с увеличением температуры не уменьшается и, более того, возможенно есян с образованием слоя аморфного SiO2, который залечивает дефекты на поверхности и внутренних слоях издели.
Карборунд устойчив против воздействия всех кислот, за исключением фосфорной og смеси азотной и плавикови. К действию щелочей SiC менее устойчив. Установлено, что карбид кремния смачивается металлами группы железа и марганцем. Самосвязанный карбид кремния, который содержит свободный кремний, хорошо взаимодействует со сталью.
При изготовлении абразивных и огнеупорных изделий из SiC, а также карбидокремниевых электроислевых, материалами служат кремнезем (кварцевый песок) og кокс. Их нагревают до высокой температуры в электрических печах, осуществляя синтез методом Ачесона:
SiO2+3C=SiC+2CO2 (24)
Вокруг нагревательного элемента (керна) получается зона синтезированного продукта, а за ней – зонызлокричич непрореагировавших компонентов. Полученные в печи продукты разделяют по этим зонам, измельчают, обрабатывают и получают порошокят общего назначения. Недостатком данных порошков карбида кремния являются высокая загрязненность примесями, больешое сольдисокая кремния, плохая спекаемость и др.
Для получения высококачественной конструкционной керамики необходимо использовать высокоченыстые, гомог, высокодисперсные порошки SiC, которые получают различными высокотехнологичными способами. При получении порошков методом синтеза исходный металлургический кремний подвергают дробуленивол и п мельнице. Измельченный порошок кремния отмывают от примесей в смеси неорганических кислот и направляют на тинкоч специальный вертикальный реактор. Синтез SiC осуществляется в реакторе подачей Si в специальные сопла, а вместо сжатого воздуха подапродап:
t>1100°C
3Si+C3H8=3SiC+4H2 (25)
В результате получается высокодисперсный, гомогенный, активированный порошок карбида кремния мониоформация имеющий высокую степень чистоты.
Изделия из SiC FORMуют прессованием, экструзией, литьем под давлением.
В технологии карбидокремниевой керамики обычно используют горячее прессование, реакционноное и апктинови.
Метод горячего прессования позволяет получать материалы с плотностью близкой к теоретической мекихимисич свойствами. Прессование проводят обычно в прессформах из графита eller нитрида бора при давлениях 10-50МПрафита og тумпа 1700-2000°C. Высокая стабильность кристаллических решеток тугоплавких неметаллических соединений, связанная с нахич направленных ковалентных связей, определяет низкую концентрацию og подвижность дефектов решметки, диффузионных процессов. Это затрудняет протекание процесса диффузионно-вязкого течения, ответственного за массоперенос и уплодного спекании. Учитывая это, перед прессованием в керамику вводят активирующие спекание добавки или проводаят физович (используют ультрадисперсные порошки, обрабатывают их взрывом для увеличения дефектности, удаляют с пговом оксидные слои и т.д.).
Метод горячего прессования позволяет получать только изделия довольно простой формы и относительно небольно небольно. Получать изделия сложной формы с высокой плотностью можно методом горячего изостатического прессовсс. Материалы, полученные методами обычного изостатического горячего прессования, близки по своим свойв.
Путем проведения горячего изостатического прессования при высоких давлениях газовой среды (1000МПпщтпищ диссоциации тугоплавких неметаллических соединений, удается повысить температуру процессадо, уров обеспечивается их пластическая деформация.
Используя метод активированного спекания удается спечь отформованные изделия из SiC til плотности свперыле 90%ше давления. Так получают материалы основе SiC с добавками бора, углерода и алюминия. Благодаря этим добавкам за счет образования диффузионного слоя на поверхности частиц, их консолипиац зернограничной диффузии происходит увеличение площади межчастичных Funksjon og усадка.
Для получения изделий из карбида кремния также широко используется метод реакционного спеконтия, проводить процесс при более низких температурах и получать изделия сложной former. Для получения так называемого “самосвязанного” карбида кремния проводят спекание прессовок из SiC и угри кремния. При этом происходит образование вторичного SiC og перекристаллизация SiC через кремниевый расплав. For å oppnå gratis materielle verdier, 5-15 % øker forbruket i økonomien. Методом реакционного спекания получают также керамику из SiC, сформованную литьем под давлением. При этом шихту на основе кремния и других веществ смешивают с расплавленным легкоплавлавким оргщим парафином ) до получения шликерной массы, из которой затем отливают под давлением заготовку. Затем изделие помещают в науглероживающую среду, в которой сначала производят отгонку легкогят а затем сквозное насыщение заготовки углеродом при температуре 1100°С. В результате реакционного спекания образуются частицы карбида кремния, которые постепенно заполисор.
Temperaturen har en temperatur på 1300°C. Реакционное спекание является экономичным процессом благод применению недорогого термическомичным спекания снижается с обычно применяемой 1600-2000°C til 1100-1300°C.
Метод реакционного спекания используется в производстве нагревательных элементов из карбида кремния. Электронагревательные сопротивления из карбида кремния представляют собой так называемые термисторы, т. е. материалы, меняющие свое сопротивление под влиянием нагрева или охлаждения. Черный карбид кремния имеет высокое сопротивление при комнатной температуре и отрицательный температуре сопротивления. Зеленый карбид кремния имеет низкое начальное сопротивление и слабоотрицательный температурный коцоще в положительный при температурах 500-800°С. Карбидокремниевые нагревательные элёменты (КНЭ) обычно представляют собой стерженрь или трубку, имющ рабочую часть с относительно высоким электрическим сопротивлением («горячая» зона) og выводные («ходные («холодные») низким электросопротивлением, которые не нагреваются в процессе эксплуатации печи. Такие выводные концы необходимы для надежного контакта с питающей электросетью, а такранедях разрушения стенок печи, в которые укладывают нагревательные элементы.
Промышленность выпускает два типа нагревательных элементов из карбида кремния: составные нагревательных элементов из карбида кремния: составные нагревательнич, карборундовые, имеющие рабочий стержень и два отдельных более коротких контактных вывода в видете пролее карборундовых стержней, и стержни с утолщенными выводными концами (манжетами) – силитовые нагреватели. Составные карборундовые нагреватели FORMуют из полусухой массы, состоящей из крупнозернистого порошско добавками сажи (1,5%) og жидкого стекла. Изделия формуют в картонных чехлах способом порционного трамбования на станках. После отверждения заготовки при 70-80°С картонный чехол выжигается в трубчатой электропратечи при 800-850°C. Силитовые нагреватели FORMуют экструзией на горизонтальном гидравлическом прессе. Масса состоит из смеси мелкозернистого SiC, сажи (20%) og фенолформальдегидной смолы. Формуются раздельно рабочая часть и манжеты. Состав манжетной части рассчитан на большую проводимость и в него входит около 40%Si. Отпрессованные заготовки подвергают термическому отверждению, в результате которого смола полимеризуется. На отвержденные стержни насаживают манжетные трубки. Трамбованные заготовки обжигают в засыпке из углепесочной смеси при температуре около 2000°С. Нагреватель предварительно обмазывают токопроводящей пастой, состоящей из кокса, графита и кварц. Изделие спекают прямым электротермическим нагревом в специальных печах при пропускании через заготов 0-0 заготов teknikk 40-50 min.
При спекании силитовых нагревателей имеющиеся в массе углерод и кремний превращаются во «вторичных реакционного спекания в условиях выделения парообразного кремния из засыпки, куда помещаютаютаремжия. В качестве засыпки используют смесь из молотого песка, нефтяного кокса og карбида кремния. Эта смесь при температуре 1800-2000°С выделяет парообразный кремний и СО, проникающие внутре загущие с твердыми Si и С. Одновременно происходит синтез вторичного карбида кремния путем взаимодействия кремния, содержахщег углеродом.
Следует отметить, что реакционное спекание впервые нашло свое практическое применение именно в проивезво изделий из карбида кремния.
Для получения плотной керамики из SiC высокой чистоты используют также метод осаждения из газизовой,- технологических трудностей и невозможности получать изделия толщиной более нескольких миллиметров нанесения защитных покрытий. Для этого применяются методы газофазного синтеза SiC из летучих галогенидов кремния и углеводидороск диссоциации газообразных кремнийорганических соединений. Для восстановления Si из галогенидов необходимо участие в пиролизе газообразного водорода. В качестве углеродсодержащих соединений применяют толуол, бензол, гексан, метан и др. Для промышленного получения карбидокремниевых покрытий более удобен метод термической диссоциациов имеющих стехиометрическое соотношение Si:C=1:1. Пиролиз СН3SiСl3 в водороде приводит к образованию осадка SiC, former покрытие при темперадтура температура1х0°.
Очень важную роль при образовании пиролитического SiC играет водород. При диссоциации трихлорметилсилана в инертной атмосфере без участия водорода протекают реакцив, образованию кремния и углерода, а не SiC. Поэтому замена инертного газа-носителя на водород при термическом разложении метилхлорсиланов значительнов значительныш снижает или полностью прекращает сажеобразование. Процесс взаимодействия трихлорметилсилана с водородом протекает в две стадии. На первоначальной стадии процесса устанавливается нестабильное равновесие, при котором в качестве конфанзенсие кремний и углерод, а не карбид кремния. На второй стадии газообразные хлорсиланы и углеводороды, образовавшиеся на первой стадии в концевхтрахия метастабильному равновесию, реагируют друг с другом с образованием SiC. Регулируя параметры протекания процесса осаждения, можно варьировать свойствами полученных покрытий. Так, при низких температурах образуются мелкозернистые и метастабильные структуры. С повышением температуры размер кристаллов растет. При 1400°С и низких скоростях осаждения образуются монокристаллы и эпитаксиальные слои SiC. Средний разер кристалов вое sic, оаженном из трихоррметилилана при 1400 с р р р р р и и и.
При 1100-1200°С может образовываться неравновесный твердый раствор со сверхстехиометрическим содемержаниов замещающих атомы кремния, что сказывается на уменьшении параметра решетки SiC. Сповышением температуры отжига до 1300°С или в результате последующего отжига избыточный углеро свободном состоянии. При повышенных температурах осаждения и низких давлениях газовой среды наблюдается ориентированнкый формирование столбчатой структуры. Пиролитические покрытия почти полностью состоят из ?-SiC. Доля гексагональных политипов составляет менее 5%. Скорость роста пиролитического карбида кремния не превышает 0,5mm/ч. В то же время сравнительно низкие температуры осаждения (1100-1550°С) позволяют совмещать каребидения с любыми конструкционными материалами.
Основным недостатком этих покрытий является возникновение остаточных напряжений, вызванное несотетвы коэффициентов линейного расширения покрытия и подложки (кроме случая нанесения SiC на SiC) og анизотропией пие. Из-за сравнительно низкой температуры осаждения напряжения не релаксируются и покрытия растрескивают. Одним из способов устранения этого недостатка является получение слоистых покрытий, т.е. покрытий с регулярным чередованием слоев равной толщины пироуглерода og SiC, осажденным из смесинахлсимети.
Кроме описанных способов получения технической керамики из SiC, используются и другие. Методом испарения SiC og его последующей сублимации при 2100-2300°С uten использования связоки активиа получают так называемый рекристаллизационный карбид кремния.
Материалы на основе карбида кремния начали применяться значительно раньше, чем материалы основе Si3Nи4,ВСlN4,ВN. Уже в 20-е годы использовались карбидокремниевые огнеупоры на связке из диоксида кремния (90%SiC+10% siC+10%), из карбида кремния на нитридокремниевой связке (75%SiC+25%Si3N4) изготавливали сопла ракет. В настоящее время керамика на основе карбида кремния применяется for изготовления уплотнительныхом колесор, смесителей, подшипников og гильз для валов, дозирующей og регулирующей арматуры for коррозионных и смесителей деталей двигателей, металлопроводов for жидких металлов. Разработаны новые композиционные материалы с карбидокремниевой матрицей. Они используются в различных областях, например в самолетостроении и в космонавтике.
Publisert: 22. august 2018