ပြန်လည်ပုံသွင်းထားသော ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (RXSIC၊ ReSIC၊ RSIC၊ R-SIC)။ အစပြုသည့်ကုန်ကြမ်းမှာ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ဖြစ်သည်။ densification aids မသုံးပါ။ အစိမ်းရောင် အကျိတ်များကို နောက်ဆုံး ပေါင်းစပ်ရန်အတွက် 2200ºC အထက်တွင် အပူပေးသည်။ ရလဒ်ထွက်ပစ္စည်းသည် ၎င်း၏စက်ပိုင်းဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများကို ကန့်သတ်ထားသည့် 25% porosity ခန့်ရှိသည်။ သို့သော် ပစ္စည်းသည် အလွန်သန့်စင်နိုင်သည်။ လုပ်ငန်းစဉ်သည် အလွန်သက်သာသည်။
တုံ့ပြန်မှု Bonded Silicon Carbide (RBSIC)။ အစပြုသောကုန်ကြမ်းများမှာ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်နှင့် ကာဗွန်ဖြစ်သည်။ ထို့နောက် စိမ်းလန်းသောအစိတ်အပိုင်းအား 1450ºC အထက်တွင် သွန်းသော ဆီလီကွန်ဖြင့် စိမ့်ဝင်သွားသည်- SiC + C + Si -> SiC ။ microstructure တွင် ယေဘူယျအားဖြင့် ပိုလျှံသော ဆီလီကွန် ပမာဏ အနည်းငယ် ရှိပြီး ၎င်း၏ အပူချိန် မြင့်မားသော ဂုဏ်သတ္တိများနှင့် ချေးခံနိုင်ရည်ကို ကန့်သတ်ထားသည်။ လုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း အနည်းငယ်သော အတိုင်းအတာပြောင်းလဲမှု ဖြစ်ပေါ်သည်။ သို့သော်လည်း နောက်ဆုံးအပိုင်း၏ မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် ဆီလီကွန်အလွှာတစ်ခု မကြာခဏ ရှိနေသည်။ ZPC RBSiC သည် ဝတ်ဆင်မှုခံနိုင်ရည်ရှိသောအလွှာများ၊ ပန်းကန်ပြားများ၊ ကြွေပြားများ၊ ဆိုင်ကလုန်းအလွှာများ၊ တုံးများ၊ မမှန်သောအစိတ်အပိုင်းများနှင့် ဝတ်ဆင်မှုနှင့် သံချေးတက်ခြင်းကို ခံနိုင်ရည်ရှိသော FGD နော်ဇယ်များ၊ အပူဖလှယ်ကိရိယာများ၊ ပိုက်များ၊ ပြွန်များနှင့် အခြားအရာများကို ထုတ်လုပ်ပေးပါသည်။
Nitride Bonded Silicon Carbide (NBSIC၊ NSIC)။ အစပြုသောကုန်ကြမ်းများမှာ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်နှင့် ဆီလီကွန်မှုန့်တို့ဖြစ်သည်။ အစိမ်းရောင်ကျစ်လျစ်မှုကို SiC + 3Si + 2N2 -> SiC + Si3N4 တုံ့ပြန်မှုဖြစ်ပေါ်သည့် နိုက်ထရိုဂျင်လေထုထဲတွင် ပစ်လွှတ်သည်။ နောက်ဆုံးပစ္စည်းသည် လုပ်ဆောင်နေစဉ်အတွင်း အတိုင်းအတာပြောင်းလဲမှုအနည်းငယ်ကို ပြသသည်။ ပစ္စည်းသည် အချို့သော porosity အဆင့်ကို ပြသသည် (ပုံမှန်အားဖြင့် 20% ခန့်။
Direct Sintered Silicon Carbide (SSIC)။ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်သည် စတင်ကုန်ကြမ်းဖြစ်သည်။ Densification aids များသည် ဘိုရွန် နှင့် ကာဗွန် များ ဖြစ်ကြပြီး 2200ºC ထက် ပြင်းထန်သော ဓါတ်ပြုမှု ဖြစ်စဉ် ကြောင့် densification ဖြစ်ပေါ် သည် ။ စပါးနယ်နိမိတ်များတွင် ဖန်သားပြင်များမရှိခြင်းကြောင့် ၎င်း၏ အပူချိန်မြင့်မားမှုနှင့် ချေးခံနိုင်ရည်သည် သာလွန်ကောင်းမွန်ပါသည်။
Liquid Phase Sintered Silicon Carbide (LSSIC)။ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်သည် စတင်ကုန်ကြမ်းဖြစ်သည်။ Densification အထောက်အကူပြုပစ္စည်းများမှာ yttrium oxide နှင့် aluminium oxide တို့ဖြစ်သည်။ အရည်-အဆင့်တုံ့ပြန်မှုအားဖြင့် 2100ºC အထက်တွင် densification ဖြစ်ပေါ်ပြီး ဖန်သားပြင်တွင် ဒုတိယအဆင့်ကို ဖြစ်ပေါ်စေသည်။ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဂုဏ်သတ္တိများသည် ယေဘုယျအားဖြင့် SSIC ထက် သာလွန်သော်လည်း အပူချိန်မြင့်သော ဂုဏ်သတ္တိများနှင့် ချေးခံနိုင်ရည်မှာ ကောင်းမွန်ခြင်းမရှိပါ။
Hot Pressed Silicon Carbide (HPSIC)။ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အမှုန့်ကို စတင်ကုန်ကြမ်းအဖြစ် အသုံးပြုသည်။ Densification aids များသည် ယေဘူယျအားဖြင့် ဘိုရွန် နှင့် ကာဗွန် သို့မဟုတ် yttrium အောက်ဆိုဒ် နှင့် အလူမီနီယံ အောက်ဆိုဒ် တို့ ဖြစ်သည်။ ဂရပ်ဖိုက်သေဆုံးသောအပေါက်အတွင်း စက်ပိုင်းဆိုင်ရာဖိအားနှင့် အပူချိန်တို့ကို တပြိုင်နက်တည်း အသုံးချခြင်းဖြင့် densification ဖြစ်ပေါ်သည်။ ပုံသဏ္ဍာန်များသည် ရိုးရှင်းသော ပန်းကန်ပြားများဖြစ်သည်။ sintering aids ပမာဏနည်းပါးစွာ အသုံးပြုနိုင်သည်။ အခြားသော လုပ်ငန်းစဉ်များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက အပူခံပစ္စည်းများ၏ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဂုဏ်သတ္တိများကို အသုံးပြုသည်။ densification aids များတွင် ပြောင်းလဲခြင်းဖြင့် လျှပ်စစ်ဂုဏ်သတ္တိများကို ပြောင်းလဲနိုင်သည်။
CVD ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (CVDSIC)။ ဤပစ္စည်းကို ဓာတုအငွေ့ပြန်သွင်းခြင်း (CVD) လုပ်ငန်းစဉ်ဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားသည်- CH3SiCl3 -> SiC + 3HCl တုံ့ပြန်မှု။ တုံ့ပြန်မှုကို SiC သည် ဂရပ်ဖိုက်အလွှာတစ်ခုပေါ်သို့ အပ်နှံခြင်းဖြင့် H2 လေထုအောက်တွင် လုပ်ဆောင်သည်။ လုပ်ငန်းစဉ်သည် အလွန်မြင့်မားသော သန့်စင်သောပစ္စည်းကို ဖြစ်ပေါ်စေသည်၊ သို့သော် ရိုးရှင်းသော ပန်းကန်ပြားများသာ ပြုလုပ်နိုင်သည်။ တုံ့ပြန်မှုနှေးကွေးသောအကြိမ်များကြောင့် လုပ်ငန်းစဉ်သည် အလွန်စျေးကြီးသည်။
Chemical Vapor Composite Silicon Carbide (CVCSiC)။ ဤလုပ်ငန်းစဉ်သည် ဂရပ်ဖိုက်အခြေအနေရှိ ပိုက်ကွန်ပုံသဏ္ဍာန်များအဖြစ် ဖန်တီးထားသော မူပိုင်ဂရပ်ဖိုက်ရှေ့ပြေးနိမိတ်ဖြင့် စတင်သည်။ ပြောင်းလဲခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်သည် polycrystalline၊ stoichiometrically မှန်ကန်သော SiC ကိုထုတ်လုပ်ရန် တွင်းရှိ အခိုးအငွေ့အစိုင်အခဲ-စတိတ်တုံ့ပြန်မှုအဖြစ် ဂရပ်ဖိုက်အပိုင်းကို ပေးသည်။ ဤတင်းကျပ်စွာထိန်းချုပ်ထားသောလုပ်ငန်းစဉ်သည် တင်းကျပ်သောခံနိုင်ရည်ရှိသောအင်္ဂါရပ်များနှင့် မြင့်မားသောသန့်ရှင်းစင်ကြယ်မှုရှိသော လုံးဝပြောင်းလဲထားသော SiC အစိတ်အပိုင်းတွင် ရှုပ်ထွေးသောဒီဇိုင်းများကို ထုတ်လုပ်နိုင်စေပါသည်။ ပြောင်းလဲခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်သည် ပုံမှန်ထုတ်လုပ်မှုအချိန်ကို တိုစေပြီး အခြားနည်းလမ်းများထက် ကုန်ကျစရိတ်များကို လျှော့ချပေးသည်။* အရင်းအမြစ် (မှတ်သားထားသည့်နေရာမှလွဲ၍) Ceradyne Inc.၊ Costa Mesa၊ Calif.
တင်ချိန်- ဇွန်လ ၁၆-၂၀၁၈