Silicon Carbide သည်အလွန်ကောင်းမွန်သောစက်ဆုပ်ရွံရှာမှုများ, အပူတိုးချဲ့မှုမြင့်မားခြင်း, အပူတိုးချဲ့မှုမြင့်မားပြီးမြင့်မားသောအပူချိန်မြင့်မားခြင်းနှင့်အပူမြင့်တက်မှုမြင့်မားခြင်း, Silicon Carbide သည် carbodal နှင့်ဆီလီကွန်အက်တမ်များဖြင့် Crystal Flattice တွင်ခိုင်မာသောနှောင်ကြိုးများဖြင့်ဖွဲ့စည်းထားသည်။ ၎င်းသည်အလွန်ခက်ခဲပြီးခိုင်မာသောပစ္စည်းများကိုထုတ်လုပ်သည်။ Silicon Carbide သည်အက်ဆစ်သို့မဟုတ် alkalis သို့မဟုတ် molten salts မှ800ºCအထိမတိုက်ခိုက်ပါ။ လေထဲတွင် Sic သည်1200ºCတွင်အကာအကွယ် silicon oxiting ကိုအကာအကွယ်ပေးပြီး1600ºCအထိအသုံးပြုနိုင်သည်။ အပူတိုးချဲ့မှုနှင့်မြင့်မားသောခွန်အားနှင့်မြင့်မားသောအပူစီးကူးမှုနှင့်မြင့်မားသောခွန်အားနှင့်မြင့်မားသောစွမ်းအားသည်ဤပစ္စည်းကိုထူးခြားသည့်အပူခံနိုင်ရည်ရှိသောအရည်အသွေးများကိုပေးသည်။ အစိမ်းရောင်အညစ်အကြေးများနှင့်မတူသောဆီလီကွန်ကာဘန်းဝတ်ကြွေများသည်အလွန်မြင့်မားသောအပူချိန်မြင့်မားစေရန်သူတို့၏အစွမ်းသတ္တိကိုထိန်းသိမ်းထားပြီး1600ºCကိုအားဖြည့်ခြင်းမရှိခဲ့ပါ။ ဓာတုသန့်ရှင်းမှုသည်အပူချိန်တွင်ဓာတုတိုက်ခိုက်မှုကိုခံနိုင်ရည်ရှိခြင်းနှင့်အပူချိန်မြင့်မားသောအပူချိန်မြင့်မားသောအားသာချက်များကိုခုခံကာကွယ်မှုကြောင့်ဤပစ္စည်းသည် SemiconDuctor Farmes ရှိလှေများနှင့်လှေများအနေဖြင့်ဤပစ္စည်းများကိုလူကြိုက်များခဲ့သည်။ Thcell Namelectrical Clemerection သည်လျှပ်စစ်မီးဖိုများအတွက်အဓိကအစိတ်အပိုင်းများနှင့်အပူချိန်ပြောင်းလဲနိုင်သော respons ်ဌာန်းချက်များ (အပူချိန်အမျိုးမျိုး) နှင့် veristors များတွင်အဓိကအစိတ်အပိုင်းအဖြစ်အသုံးပြုသည်။ အခြား application များတွင်တံဆိပ်ခတ်ခြင်းများပါဝင်သည်, ပန်းကန်များ, ဝက်ဝံများနှင့်အကန့်များကိုဝတ်ဆင်ပါ။
အချိန် Post အချိန် - ဇွန်-05-2018