Silicon Carbide သည် သံချေးတက်ခြင်း၊ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ အားကောင်းခြင်း၊ မြင့်မားသော အပူစီးကူးခြင်း၊ အပူချဲ့ခြင်း၏ အလွန်နိမ့်သော ကိန်းဂဏန်းနှင့် alumincell namet အလွန်မြင့်မားသော အပူချိန်များထက် ပိုမိုကောင်းမွန်သော အပူဒဏ်ခံနိုင်ရည်ရှိသည်။ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်သည် သလင်းခဲတုံးအတွင်း ခိုင်ခံ့သောနှောင်ကြိုးများပါရှိသော tetrahedra ကာဗွန်နှင့် ဆီလီကွန်အက်တမ်များဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားသည်။ ၎င်းသည် အလွန်မာကျောပြီး ခိုင်ခံ့သောပစ္စည်းကို ထုတ်လုပ်သည်။ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်သည် 800ºC အထိ အက်ဆစ် သို့မဟုတ် အယ်ကာလီ သို့မဟုတ် အရည်ပျော်သောဆားများဖြင့် တိုက်ခိုက်ခြင်းမပြုပါ။ လေထဲတွင် SiC သည် 1200ºC တွင် အကာအကွယ်ဆီလီကွန်အောက်ဆိုဒ်အလွှာကိုဖွဲ့စည်းပြီး 1600ºC အထိအသုံးပြုနိုင်သည်။ မြင့်မားသောအပူစီးကူးနိုင်မှုနည်းသောအပူအားချဲ့ထွင်ခြင်းနှင့်မြင့်မားသောခိုင်ခံ့မှုနှင့်အတူတွဲဖက်ထားသောဤပစ္စည်းကိုထူးခြားသောအပူရှော့ခ်ဒဏ်ခံနိုင်သောအရည်အသွေးများကိုပေးသည်။ ဆီလီကွန်ကာဗိုက် ကြွေထည်များသည် စပါးလင်နယ်နိမိတ် အနည်းငယ် သို့မဟုတ် လုံးဝမရှိသော အညစ်အကြေးများ သည် ၎င်းတို့၏ ခွန်အားကို လွန်စွာမြင့်မားသော အပူချိန်သို့ ထိန်းထားကာ 1600ºC အနီးသို့ ရောက်ရှိလာပြီး ခွန်အားဆုံးရှုံးမှုမရှိစေပါ။ ဓာတုသန့်စင်မှု၊ အပူချိန်တွင် ဓာတုတိုက်ခိုက်မှုကို ခံနိုင်ရည်ရှိပြီး မြင့်မားသောအပူချိန်တွင် ခိုင်ခံ့မှုကို ထိန်းသိမ်းထားနိုင်ခြင်းကြောင့် wafer tray ကို ပံ့ပိုးပေးပြီး ဆီမီးကွန်ဒတ်တာမီးဖိုများတွင် လှော်တက်များအဖြစ် ဤပစ္စည်းကို လူကြိုက်များစေပါသည်။ ပစ္စည်း၏ thcell namelectrical conduction သည် လျှပ်စစ်မီးဖိုများအတွက် ခံနိုင်ရည်ရှိသော အပူဒြပ်စင်များ နှင့် thermistor (temperature variable resistors) နှင့် varistors (voltage variable resistors) တို့တွင် အဓိက အစိတ်အပိုင်းအဖြစ် အသုံးပြုရန် ဖြစ်ပေါ်စေပါသည်။ အခြားအပလီကေးရှင်းများတွင် တံဆိပ်ခတ်ထားသော မျက်နှာများ၊ ၀တ်ပြားပြားများ၊ ဝက်ဝံများနှင့် လိုင်းပိုက်များ ပါဝင်သည်။
စာတိုက်အချိန်- ဇွန်-၅-၂၀၁၈