Silicon Carbide mempunyai rintangan yang sangat baik terhadap kakisan, kekuatan mekanikal yang tinggi, kekonduksian terma yang tinggi, pekali pengembangan haba yang sangat rendah, dan rintangan kejutan haba yang lebih baik daripada namet alumincell pada suhu yang sangat tinggi. Silikon karbida terdiri daripada tetrahedra atom karbon dan silikon dengan ikatan kuat dalam kekisi kristal. Ini menghasilkan bahan yang sangat keras dan kuat. Silikon karbida tidak diserang oleh sebarang asid atau alkali atau garam cair sehingga 800ºC. Di udara, SiC membentuk salutan silikon oksida pelindung pada 1200ºC dan boleh digunakan sehingga 1600ºC. Kekonduksian haba yang tinggi ditambah dengan pengembangan haba yang rendah dan kekuatan tinggi memberikan bahan ini kualiti tahan kejutan haba yang luar biasa. Seramik silikon karbida dengan sedikit atau tiada kekotoran sempadan butiran mengekalkan kekuatannya pada suhu yang sangat tinggi, menghampiri 1600ºC tanpa kehilangan kekuatan. Ketulenan kimia, ketahanan terhadap serangan kimia pada suhu, dan pengekalan kekuatan pada suhu tinggi telah menjadikan bahan ini sangat popular sebagai penyokong dulang wafer dan dayung dalam relau semikonduktor. Pengaliran elektrik sel Thcell telah membawa kepada penggunaannya dalam elemen pemanasan rintangan untuk relau elektrik, dan sebagai komponen utama dalam termistor (perintang pembolehubah suhu) dan dalam varistor (perintang pembolehubah voltan). Aplikasi lain termasuk muka pengedap, plat haus, galas dan tiub pelapik.
Masa siaran: Jun-05-2018