പദാവലി സാധാരണയായി സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് പ്രോസസ്സിംഗുമായി ബന്ധപ്പെട്ടിരിക്കുന്നു

റീക്രിസ്റ്റലൈസ്ഡ് സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് (RXSIC, RESIC, RSIC, R-SIC). ആരംഭ അസംസ്കൃത വസ്തു സിലിക്കൺ കാർബൈഡാണ്. സാന്ദ്രതാ സഹായങ്ങൾ ഉപയോഗിക്കുന്നില്ല. അന്തിമ ഏകീകരണത്തിനായി ഗ്രീൻ കോംപാക്ടുകൾ 2200ºC വരെ ചൂടാക്കുന്നു. തത്ഫലമായുണ്ടാകുന്ന മെറ്റീരിയലിന് ഏകദേശം 25% പോറോസിറ്റി ഉണ്ട്, ഇത് അതിൻ്റെ മെക്കാനിക്കൽ ഗുണങ്ങളെ പരിമിതപ്പെടുത്തുന്നു; എന്നിരുന്നാലും, മെറ്റീരിയൽ വളരെ ശുദ്ധമായിരിക്കും. പ്രക്രിയ വളരെ ലാഭകരമാണ്.
റിയാക്ഷൻ ബോണ്ടഡ് സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് (RBSIC). സിലിക്കൺ കാർബൈഡും കാർബണും ചേർന്നതാണ് ആരംഭ അസംസ്കൃത വസ്തുക്കൾ. 1450ºC ന് മുകളിലുള്ള ഉരുകിയ സിലിക്കൺ ഉപയോഗിച്ച് പച്ച ഘടകം നുഴഞ്ഞുകയറുന്നു: SiC + C + Si -> SiC. മൈക്രോസ്ട്രക്ചറിന് സാധാരണയായി കുറച്ച് അധിക സിലിക്കൺ ഉണ്ട്, ഇത് അതിൻ്റെ ഉയർന്ന താപനില ഗുണങ്ങളും നാശന പ്രതിരോധവും പരിമിതപ്പെടുത്തുന്നു. പ്രക്രിയയ്ക്കിടയിൽ ചെറിയ അളവിലുള്ള മാറ്റം സംഭവിക്കുന്നു; എന്നിരുന്നാലും, അവസാന ഭാഗത്തിൻ്റെ ഉപരിതലത്തിൽ സിലിക്കണിൻ്റെ ഒരു പാളി പലപ്പോഴും കാണപ്പെടുന്നു. വെയർ റെസിസ്റ്റൻസ് ലൈനിംഗ്, പ്ലേറ്റുകൾ, ടൈലുകൾ, സൈക്ലോൺ ലൈനിംഗ്, ബ്ലോക്കുകൾ, ക്രമരഹിതമായ ഭാഗങ്ങൾ, വെയർ & കോറഷൻ റെസിസ്റ്റൻസ് FGD നോസിലുകൾ, ഹീറ്റ് എക്സ്ചേഞ്ചർ, പൈപ്പുകൾ, ട്യൂബുകൾ തുടങ്ങിയവ നിർമ്മിക്കുന്ന നൂതന സാങ്കേതികവിദ്യയാണ് ZPC RBSiC സ്വീകരിച്ചിരിക്കുന്നത്.

നൈട്രൈഡ് ബോണ്ടഡ് സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് (NBSIC, NSIC). സിലിക്കൺ കാർബൈഡും സിലിക്കൺ പൗഡറും ആണ് പ്രാരംഭ അസംസ്കൃത വസ്തുക്കൾ. SiC + 3Si + 2N2 -> SiC + Si3N4 എന്ന പ്രതികരണം സംഭവിക്കുന്ന ഒരു നൈട്രജൻ അന്തരീക്ഷത്തിലാണ് പച്ച കോംപാക്റ്റ് ജ്വലിക്കുന്നത്. അന്തിമ മെറ്റീരിയൽ പ്രോസസ്സിംഗ് സമയത്ത് ചെറിയ അളവിലുള്ള മാറ്റം കാണിക്കുന്നു. മെറ്റീരിയൽ ഒരു പരിധിവരെ സുഷിരത കാണിക്കുന്നു (സാധാരണയായി ഏകദേശം 20%).

ഡയറക്ട് സിൻ്റർഡ് സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് (SSIC). സിലിക്കൺ കാർബൈഡാണ് പ്രാരംഭ അസംസ്കൃത വസ്തു. ഡെൻസിഫിക്കേഷൻ എയ്‌ഡുകൾ ബോറോണും കാർബണും ആണ്, 2200ºC-ന് മുകളിലുള്ള സോളിഡ്-സ്റ്റേറ്റ് പ്രതികരണ പ്രക്രിയയിലൂടെ സാന്ദ്രത സംഭവിക്കുന്നു. ധാന്യത്തിൻ്റെ അതിരുകളിൽ ഗ്ലാസി രണ്ടാം ഘട്ടം ഇല്ലാത്തതിനാൽ അതിൻ്റെ ഉയർന്ന താപനില ഗുണങ്ങളും നാശന പ്രതിരോധവും മികച്ചതാണ്.

ലിക്വിഡ് ഫേസ് സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് (LSSIC). സിലിക്കൺ കാർബൈഡാണ് പ്രാരംഭ അസംസ്കൃത വസ്തു. യെട്രിയം ഓക്സൈഡ് പ്ലസ് അലൂമിനിയം ഓക്സൈഡ് എന്നിവയാണ് ഡെൻസിഫിക്കേഷൻ എയ്ഡ്സ്. ഒരു ദ്രാവക-ഘട്ട പ്രതിപ്രവർത്തനം വഴി 2100ºC ന് മുകളിൽ സാന്ദ്രത സംഭവിക്കുകയും ഗ്ലാസി രണ്ടാം ഘട്ടത്തിലേക്ക് നയിക്കുകയും ചെയ്യുന്നു. മെക്കാനിക്കൽ ഗുണങ്ങൾ പൊതുവെ SSIC-യെക്കാൾ മികച്ചതാണ്, എന്നാൽ ഉയർന്ന താപനിലയുള്ള ഗുണങ്ങളും നാശന പ്രതിരോധവും അത്ര നല്ലതല്ല.

ഹോട്ട് പ്രസ്ഡ് സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് (HPSIC). സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് പൊടിയാണ് പ്രാരംഭ അസംസ്കൃത വസ്തുവായി ഉപയോഗിക്കുന്നത്. ബോറോൺ പ്ലസ് കാർബൺ അല്ലെങ്കിൽ യട്രിയം ഓക്സൈഡ് പ്ലസ് അലൂമിനിയം ഓക്സൈഡ് എന്നിവയാണ് ഡെൻസിഫിക്കേഷൻ എയ്ഡ്സ്. ഗ്രാഫൈറ്റ് ഡൈ കാവിറ്റിക്കുള്ളിലെ മെക്കാനിക്കൽ മർദ്ദവും താപനിലയും ഒരേസമയം പ്രയോഗിക്കുന്നതിലൂടെ സാന്ദ്രത സംഭവിക്കുന്നു. രൂപങ്ങൾ ലളിതമായ പ്ലേറ്റുകളാണ്. കുറഞ്ഞ അളവിൽ സിൻ്ററിംഗ് എയ്ഡ്സ് ഉപയോഗിക്കാം. ചൂടുള്ള അമർത്തിയ വസ്തുക്കളുടെ മെക്കാനിക്കൽ ഗുണങ്ങൾ മറ്റ് പ്രക്രിയകളെ താരതമ്യം ചെയ്യുന്ന അടിസ്ഥാനമായി ഉപയോഗിക്കുന്നു. ഡെൻസിഫിക്കേഷൻ എയ്ഡുകളിലെ മാറ്റങ്ങൾ വഴി വൈദ്യുത ഗുണങ്ങളിൽ മാറ്റം വരുത്താം.

CVD സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് (CVDSIC). CH3SiCl3 -> SiC + 3HCl എന്ന രാസ നീരാവി നിക്ഷേപം (CVD) പ്രക്രിയയിലൂടെയാണ് ഈ മെറ്റീരിയൽ രൂപപ്പെടുന്നത്. ഒരു ഗ്രാഫൈറ്റ് അടിവസ്ത്രത്തിൽ SiC നിക്ഷേപിക്കുന്ന ഒരു H2 അന്തരീക്ഷത്തിലാണ് പ്രതികരണം നടത്തുന്നത്. ഈ പ്രക്രിയ വളരെ ഉയർന്ന ശുദ്ധിയുള്ള മെറ്റീരിയലിൽ കലാശിക്കുന്നു; എന്നിരുന്നാലും, ലളിതമായ പ്ലേറ്റുകൾ മാത്രമേ നിർമ്മിക്കാൻ കഴിയൂ. മന്ദഗതിയിലുള്ള പ്രതികരണ സമയം കാരണം ഈ പ്രക്രിയ വളരെ ചെലവേറിയതാണ്.

കെമിക്കൽ വേപ്പർ കോമ്പോസിറ്റ് സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് (CVCSiC). ഈ പ്രക്രിയ ആരംഭിക്കുന്നത് ഒരു പ്രൊപ്രൈറ്ററി ഗ്രാഫൈറ്റ് മുൻഗാമിയിൽ നിന്നാണ്, അത് ഗ്രാഫൈറ്റ് അവസ്ഥയിൽ നെറ്റിന് സമീപമുള്ള ആകൃതികളിലേക്ക് മെഷീൻ ചെയ്യപ്പെടുന്നു. പരിവർത്തന പ്രക്രിയ ഗ്രാഫൈറ്റ് ഭാഗത്തെ ഒരു സിറ്റു നീരാവി സോളിഡ്-സ്റ്റേറ്റ് പ്രതികരണത്തിന് വിധേയമാക്കി ഒരു പോളിക്രിസ്റ്റലിൻ, സ്റ്റോയ്ചിയോമെട്രിക്കലി ശരിയായ SiC ഉത്പാദിപ്പിക്കുന്നു. കർശനമായി നിയന്ത്രിത ഈ പ്രക്രിയ, ഇറുകിയ ടോളറൻസ് സവിശേഷതകളും ഉയർന്ന പരിശുദ്ധിയും ഉള്ള, പൂർണ്ണമായും പരിവർത്തനം ചെയ്ത SiC ഭാഗത്ത് സങ്കീർണ്ണമായ ഡിസൈനുകൾ നിർമ്മിക്കാൻ അനുവദിക്കുന്നു. പരിവർത്തന പ്രക്രിയ സാധാരണ ഉൽപ്പാദന സമയം കുറയ്ക്കുകയും മറ്റ് രീതികളേക്കാൾ ചെലവ് കുറയ്ക്കുകയും ചെയ്യുന്നു.* ഉറവിടം (കുറിച്ചിടത്ത് ഒഴികെ): Ceradyne Inc., Costa Mesa, Calif.