Карбид () sic является являетвенным кремния кремния кремния кремния кремния кремния кремния кремния кремния кремния кремния кремния кремния крерода. В природе этот материал встречается крайне. Карбид кремния существует в в двух модификациях, из котоия является явлитипной и представляет сложную структуру гексагоналы ചെയ്യുക. Установлено около 20 столо 20 структур, относящихя ктносящихя корме. Переход? --സിക്>? - സിക്ക് происходит проимерно при 2100 °. При температуре 2400 ° с это превращение происходит проистро. До температур 1950-2000 ° с оубразуется кубическая кубическация, при более высокой температуре образуюттся модиии. При температурах свыше 2600-2700 ° с карбид кремния. Кристалы карбида кремния могут быть былеными и. Чистый кремния стехиометрического состава. При превышении содержния sic становится зеленымда --.
Карборунд имеет высокую твердость: എച്ച്? 45 45: достаточно высокую изгибную прочность:? Изг до 700 പകർപ്പ്. Карбидокремниевая керамика сохраняет примерно постояную прочность до высоких: температура перехода хрупкого к хрупкому разрушению разрушению для нее составляет 2000 °. В то же время для самосвязанного sic наблюдаетя падение прочности при высоких темпесоких. При комнатной рампературе рамосвушение самосвяззанного sic тралллотное и носит скосоттер. При 1050 ° с характер разрушения становится. : Прочность рекристалллизованного sik с увеличением температуры не уменьшается и, более того, возможно, возможно, связанное с слоя аморфного sio слорый залечивает зефекты на поверхности и внутренний.
Карборунд усточив против воздействия всех, за исключением фосфорной и смеси азотной и. К действию щелочей സിക്ക് менее. Установлено, чремния кмачивается металлами группы железа и марганцем. Самосвязанный карбид, который содержит свободный, хорошо хорошо взаимодействует со.
При изготовлении Абразивных и огнеупорных изделий из Sic, а также карбидокрембидремниеватронагревателей, материалами служат () (кварцевый песок) и. Их нагревают до высокой температуры в электрических печах, осуществляя синтез методом методом:
SIO2 + 3C = SIC + 2CO2 (24)
Вокруг нагревательного (клемента (керна) получается зона синтезированного, а за ней - аоны кристаллов чистоты и непрореагировавших. Полученные в печи продукты разделяют по этим, измельчают, измельчают, измельчают, измельчают и получают и получают порошок карошок общего. Недостком данных порошков порошков кремния являются ввляются ввокая загрязненность примесями, большое содержание содержание кремния, плохая спекаемость и.
Для получения высококачественной конструкционной керамики необходимо использовать высокочистые, гомогенные, высокодисперсные порошки, которые получают различными высокотехнологичными. При получении порошков методом синтеза исходный кремний подвергают помолу в валколу в мельнице. Измельченный кремния отмыния отмевают от примесей в смеси неорганическис кислот и направляют на тонкое измельчение в специальный рертикрный. Синтез sic осуществляется в реакторе подачей si в специальные сопла, а вместо сжатого водаетса подается подается подается подается подается подается подается подается
t> 1100 °
3 എസ്ഐ + C3H8 = 3SIC + 4H2 (25)
В результе получаетесперсндисперсный, гомогенный, Активированный порошок карбида кремния состава, имеющий высокую степень.
Изделия из Sic формуют прессованием, лкструзией, литьем под.
В технологии карбидокремниевой керамики обычно используют горячее прячее прячее прессонное и.
Метод горялего позволяет материалы материалы с плотностью блоткой к теоретической и сыйи механими. Прессование проводята прессформах из графита или нитрида бора при давления дора при давлениях 10-50-50 °. Высокая стабильность кристаллических решеток тугоплавких Неметаллий, связанная связанная связанная связанная жестם Направленных ковалентнтных ковалентнтнтнтных ковязей, определяет низкую концентрацию и подвижность дефектов раторможенноность в дуузионных. Это затрудняет протеса диффузионно-вязкого вязкого, ответственного за за за за за за за за за за за зассоперенос и уплотненос и уплотнение при твердоазном. Учывая это, перед прессованием в кессоику вводят активирующие спекавки или проводятизтичическое . И оксидные слои и.).
Метод горялего позволяет толучать только изделия довольно простой формы ирмы ирмы ирмы ирмы размеров. Получать изделия сложной формы с высокой плотностью можно методом горячего изого. Материалы, методами оетодами о и изого гоского гоского прячего пряссования, близки по по своим своим.
Пум пряведения горячего Изого пресоких дри высоких давлениях газовой сы (1000мпа), диссоциации тугоплавких Неметаллллллллллллллллллллллллллллллллллллллллллллллллллллллллллллллллллллллллллллллллллллий, удаесить температуру троцесса до, уровня, при обеспечивается их пластическая.
Использ у активированного спется спечания удается спечь спечь спечь спечь изделия из Sic до плотности свше 90% приложения. Так получают на основе സിക്ക് с д бавками, углерода и. Бтим дтим добавкам за счет образования диффузионннного слоя на поверхности частиц, Их консолидации и укрупнения зернограничной диффузии происходит увеличение увеличение площади межчастичых контактов усадка.
Для получения изделий из карбида кремния какже широко используется метод реакционнного спекания, козволяет проводить процесс при более низких температурах и получать изделия изделия изделия изделия сложной. Для получения так называемог "" "карбида кроводят проводят прессовок из из из углерода присутствии. При этом происхходит образование вторичного sic и перекризациз через кремниевый. В Итоге образуютя беспориалы, содержащие 5-15% свободного крембидокрбвой. Методом реакционнного спекания спекания получают также керамику из, фформованную литьем под. Птом шихту на основе кремния и другтв веществ смешивают с расплают с расплавленным лвгкоплавким связующим ( парафином) до получения шликерной массы, котем отливают под давлением. Затем изделие помелие помелие помещают в науающую вреду, в которой сначала производят отгонку легонку легкоу легкоу, сквозное засыщение заготовки углеродом злеродом температуре 1100 °. В результате реакционннного спекания спекания спекания частида кремния, которые постепенно заполняют Исходные.
Затем следует спекание при температуре 1300 ° C. Реакционное свляимичным прономичным прономичным благодаря применению Недорого термического, температура снижается снижается снименяемой 1600-2000 ° C до 1100-1300 ° C.
Метод реакционнннннного спекания Использводстве нагревательх элементов из. Электронагревательные сопротивления из карбида кремния представляют собой так называемые,. . материалы, меняняющие свое сопротивление под влиянием нагреа или. Чрембид кремния имемния имеет выпротивление при комнатной температуре и отрицательный температурный . Зеленый кремния имеет низкое низкое начальное сопротивлене и слаботрицательный температурный коэффициент, в положительный при температурах 500-800 °. Карбидремниевые нагревательные элёменты (кнэ) оредставляют собой стержень или трубку, Имеющую часть с оысосим высоким высоким эысокичем высокическим («горянтна) Низким электросопротивлем, которые не нагреваются в процессе пксплуатии. Такие выводные концы необхххххххххххххххххххххххххххххххххххххххххххххххххххххххххххххххххххххххакта с питакта слектросет, а также для предохранения разрушения стенок печи, в которые укладые укладыеты.
Промышленность выпускает вва типа нагревательных элементов из: составные: состреватели, Название карборундовые, имеющие рабочий и два отдельных более коротких контактных вонтактных вывода в виде пропитанных металлом карборуней, И стержни с утолщенными выводными концами (манцами) - силитовые. Составные карборундовые нагреватели формуют из полусухой массы, состоящей из крупнозернистого порошка зеленого SiC с дббавками сажи (1,5%) и жидкого. Изделия формт в картонных чехлах способом порционнного трамбования на. После отверждения заготовки при 70-80 ° картонный чехол выжигаетя в трубчатой электрпечи при температуре 800-850 °. Силитовые нагреватели формуют экструзией на горизонтальном. Масса состоит из смеси мелкозернистого sik, сажи (20%) и фенолформальдегнй. Формуются рабочая часть и. Состав манжетной части рассчитан на большую проводимость и в него входит 40% si. Отпрессованные заготовки подвергают термическому отверждению, в результе которого смола. На отвержденные стержни насаживают манжетные трубки. Трамбованные заготовки обжигают в засыпке из углепесочной смеси при температуре около 2000 °. Нагреватель предварительно обмазывают токопроводой, состоястой, состоястой, костоястой, кокса, графита и кварцевого. Изделие спекают прямым элеским Нагревом в специальных печах при пропускании через заготототовку тока в 80-100 течение 40-50.
При спекании силитовых Нагревателей имеющиеся в меющиеся в массе углерод зревращаются вревращаются в «вторичный» sic по по реакционного спекания в условиях выделения парообразного кремния из засыпки, куда помещают обжигаемый нагреватель. В качестве засыпки заспки используют смесь из из молотого песка, нефтяного кокса и. Эта смесь смесь при температуре 1800-2000 ° с выделяет паробразный кремний и со, проникающие внутототовки и реагирующие загирующие загирующие твердыми si и. Одновременно происходит синтез вторичного карбида кремния путем взаимодействия кремния, содержащегося в шихте, с углеродом.
Сто реакционное спервые нашло свое практическое применение именно в проно в нагревателей и изделий из.
Для плотучения плотной керамики из кыстоты используют также метод осаждения из газовой, но из- технологических трудностей и невозможности получать изделия изделия изделиной более нескольких миллее нескольких миллее нескольких миллее нескольких миллее нескольких миллее нескольких миллее нескольких миллее нескольких миллее нескольких миллее нескольких миллее нескольких миллее нескольких Нанесения защитных. Для этого применяются мется газофазного синтеза sik из летучих галогенидов кремния и углемния или метод креводородов термической диссоцциации газоразных кремнийорганичрй. Для вления si из галогенидов необххххие в уиролизе газорода. В качестве углестве углествержжений применяют толу яют толу ют, бексан, гексан, метсан др. Для промышленного полбидрения колучения колучения колбидрения кокрытий более удобен метод термической диссоциации метилхлорсии метилхлов, Имеющих стехиометрическое соотношение si: c = 1: 1. Пиролиз сн 3sikgроде приводит к о образованию осадка SIC, фокрытие при температурах 1400 °.
Очень важную Роль при образовании пиролитического sic Играет. При диссоциации трихлорметихлорметихлорметинертной Атмостия водорода протекают реакции, приводящие образования кремния и углерода, а. Поэтому замена замена инертного газа-носителя на водород при термическом разложении метилхлорсии метилхлорсии метилхлорсиланов значителоновшает выход SIC И снижает или полность прекращает. Процесс взаимодействия трихлорметихломана с водородом в две. На первоначачачачачачачачачачачачачальной стадии пстанавливается нестабие, при котором в качестве, вонной фазы выступают кремний и углерод, а не карбид. На второй стадии газообразны хлорсиланы и углеводороды, образовавшиеся первой стадии в ктадии в концентрациях ,. метастабильному равновесию, реагируют друг с другом с образованием sic. Регулируя протетания процесса осажно варьироровать своствами пойствами покрытученых. Так, при низких температурах образуютеры мелкозернистые и ильные. С повышением температуры размер кристаллов. При 1400 ° с Низких скоростях осаждения осаждения монокристаллы и эпитаксиальи SIC. Средний кристалллов кристаллов, осажденном осадденном из тажденном из трихлорметилсилана пи 1400 °.
При 1100-1200 ° с может образовыксный твердый раствор свиметрическим содержемеским скимов содерода, атомов замещающих Атомы кремы кремы кремы кремы сказывается сказыньшении рараметра SIC. С повышением темпением температуры отжига до 1300 ° с до 1300 ° с Или в резедующего отжига избыточный углерод состоянии. При повышенных температурах осаждения и низких давлениях газовой среды Наблюдается ориентированный рост криентталлованный формирование столбчатой. Пиролитические покрытия почти полностью? --സിക്. Доля гексагональных политипов составляет менее 5%. Скорость роста пиролитического карбида кремния не 0,5,5,5. В то же время сравнительно низкие температуры осажперат (1100-1550 ° с) позволяют совмещать карбидокрые покрытия карбидокрые покрытия любыми конструкционными.
Недостатком этих покрытся является возникновение остаточных Напряжений, вызванное Несответствием температурных коэффициентов линейного расширения покрытия покрытия и подложки (кроме случажя нанесения sic на sic) и анизотр . Из-за сравнительно низкой температуры осаждения напряжения нелаксируются и покрытия. Одним из способония этого недого нвляется является является явлучение слоистых покрытий с регулярным середованием слоев равной толщины пироуглерода и SC, осажденным из смеси хлорметилсилана метаном.
Кроме описанных способов получения техники керамики из, Используютя и. Fir испарения испарения испарения испарения испарения испарения испарения сублимации сублимации сублимации сублимации сублимации при 2100-2300 ° с сполькования исполк и иктивирующих добавок получают :
Материалы на основе крембида крембида крименяться знименяться значителы наньше, чем материалы на основе si3n4, si3n4, аln, в40 Вn. У 20-е ы использры карбиспользоры карбиспользры на связке из связксида (90% SIC + 10% SIO2), А в 50- е годы карбида кремния на на на на ниевой связке (75% SIC + 25% SI3N4) Изготавливали сопла. В настояее время керамика на основе кремния кремния применяется применяется применяется пля изгототнвления уплотнительных колец для насосов, : Абразивных сред, деталей двигателей, металлопроводов для жидоих. Разработаны новые композиционные материалы с карбидориемниевой. Они используются в различных, Например в самолетостроении в.
പോസ്റ്റ് സമയം: ഓഗസ്റ്റ്-22-2018