Општо објаснување за Reaction Bonded SiC

Општообјаснување наРеакцијаСврзан SiC

Reaction Bonded SiC има механички својства и отпорност на оксидација. Неговата цена е релативно ниска. Во сегашното општество, таа привлекува сè повеќе внимание во различни индустрии.

SiC е многу силна ковалентна врска. При синтерување, стапката на дифузија е многу мала. Во исто време, површината на честичките често покрива прилично тенок оксиден слој кој ја игра улогата на дифузна бариера. Чистиот SiC е тешко синтеруван и компактен без адитиви за синтерување. Дури и ако се користи процесот на топло пресување, тој мора да избере и соодветни адитиви. Само при многу високи температури, може да се добијат материјали погодни за инженерска густина блиска до теоретската густина која треба да биде во опсег од 1950 ℃ до 2200 ℃. Во исто време, неговата форма и големина ќе бидат ограничени. Иако SIC композитите може да се добијат со таложење на пареа, тоа е ограничено на подготовка на материјали со мала густина или тенок слој. Поради долгото мирно време, трошоците за производство ќе се зголемат.

Reaction Bonded SiC бил измислен во 1950-тите од Попер. Основниот принцип е:

Под дејство на капиларна сила, течен силициум или силиконска легура со реактивна активност навлезе во порозна керамика што содржи јаглерод и формираше јаглероден силициум во реакцијата. Новоформираниот силициум карбид се врзува за оригиналните честички на силициум карбид in situ, а преостанатите пори во филер се полни со средството за импрегнација за да се заврши процесот на згуснување.

Во споредба со другите процеси на керамика со силициум карбид, процесот на синтерување ги има следните карактеристики:

Ниска температура на обработка, кратко време на обработка, нема потреба од посебна или скапа опрема;

Реакција Сврзани делови без собирање или промена на големината;

Диверзифицирани методи на обликување (истиснување, вбризгување, пресување и истурање).

Постојат повеќе методи за обликување. За време на синтерување, големи димензии и сложени производи може да се произведуваат без притисок. Технологијата Reaction Bonded на силициум карбид е проучувана половина век. Оваа технологија стана еден од фокусите на различни индустрии поради нејзините уникатни предности.