Silicon Carbide is available in two forms, reaction bonded and sintered. For more information on these two processes please email us at caroline@rbsic-sisic.com
Abi materiāli ir īpaši cieti un tiem ir augsta siltumvadītspēja. Tas ir novedis pie silīcija karbīda izmantošanas gultņu un rotācijas blīvējumu pielietojumos, kur paaugstinātā cietība un vadītspēja uzlabo blīvējuma un gultņa veiktspēju.
Reakcijas ceļā savienotajam silīcija karbīdam (RBSC) ir labas īpašības paaugstinātā temperatūrā, un to var izmantot ugunsizturīgos materiālos.
Silīcija karbīda materiāliem piemīt laba erozijas un abrazīvā izturība, šīs īpašības var izmantot dažādos pielietojumos, piemēram, smidzināšanas sprauslās, lodveida strūklas sprauslās un ciklona sastāvdaļās.
Silīcija karbīda keramikas galvenās priekšrocības un īpašības:
Augsta siltumvadītspēja
Zems termiskās izplešanās koeficients
Izcila termiskā trieciena izturība
l Ārkārtīga cietība
Pusvadītājs
Refrakcijas indekss ir lielāks nekā dimantam
For more information on Silicon Carbide Ceramics please email us at caroline@rbsic-sisic.com
Silīcija karbīda ražošana
Silīcija karbīds ir pulvera vai graudu veidā iegūts, reducējot silīcija dioksīdu ar oglekli. To iegūst vai nu kā smalku pulveri, vai kā lielu saistītu masu, ko pēc tam sasmalcina. Lai attīrītu (atdalītu silīcija dioksīdu), to mazgā ar fluorūdeņražskābi.
Ir trīs galvenie veidi, kā izgatavot komerciālo produktu. Pirmā metode ir silīcija karbīda pulvera sajaukšana ar citu materiālu, piemēram, stiklu vai metālu, un pēc tam to apstrādā, lai otrā fāze varētu saistīties.
Vēl viena metode ir pulvera sajaukšana ar oglekļa vai silīcija metāla pulveri, kas pēc tam tiek savienots ar reakcijas metodi.
Visbeidzot, silīcija karbīda pulveri var sablīvēt un saķepināt, pievienojot bora karbīdu vai citu saķepināšanas līdzekli, lai izveidotu ļoti cietu keramiku. Jāatzīmē, ka katra metode ir piemērota dažādiem pielietojumiem.
For more information on Reaction Bonded Silicon Carbide Ceramics please email us at caroline@rbsic-sisic.com
Publicēšanas laiks: 2018. gada 16. jūlijs