Zaļais silīcija karbīda pulveris un silīcija karbīda mikropulveris

Silīcija karbīds (SiC), pazīstams arī kā karborunds, ir pusvadītājs, kas satur silīciju un oglekli ar ķīmisko formulu SiC. Dabā tas sastopams kā ārkārtīgi rets minerāls moissanīts. Sintētiskais silīcija karbīda pulveris ir masveidā ražots kopš 1893. gada, lai to izmantotu kā abrazīvu. Silīcija karbīda graudus var savienot kopā ar saķepināšanu, veidojot ļoti cietu keramiku, ko plaši izmanto lietojumos, kuriem nepieciešama augsta izturība, piemēram, automašīnu bremzēs, automašīnu sajūgos un keramikas plāksnēs ložu necaurlaidīgās vestēs. Silīcija karbīda elektroniskās pielietojums, piemēram, gaismas diodes (LED) un detektori agrīnajos radio, pirmo reizi tika demonstrēti ap 1907. gadu. SiC tiek izmantots pusvadītāju elektronikas ierīcēs, kas darbojas augstā temperatūrā vai augstā spriegumā, vai abos. Lielus silīcija karbīda monokristālus var audzēt ar Lely metodi; tos var sagriezt dārgakmeņos, kas pazīstami kā sintētiskais moisanīts. Silīcija karbīdu ar lielu virsmas laukumu var ražot no SiO2, kas atrodas augu materiālā.

Produkta apraksts

Shandong Zhongpeng Special Ceramics Co., Ltd ir viens no lielākajiem silīcija karbīda keramikas jauno materiālu risinājumiem Ķīnā. SiC tehniskā keramika: Moha cietība ir 9 (New Moh cietība ir 13), ar izcilu izturību pret eroziju un koroziju, izcilu nodilumizturību un antioksidāciju. SiC produkta kalpošanas laiks ir 4 līdz 5 reizes garāks nekā 92% alumīnija oksīda materiālam. RBSiC MOR ir 5 līdz 7 reizes lielāks par SNBSC, to var izmantot sarežģītākām formām. Kotācijas process ir ātrs, piegāde ir tāda, kā solīts, un kvalitāte ir nepārspējama. Mēs vienmēr neatlaidīgi izaicinām savus mērķus un atdodam savas sirdis sabiedrībai.