Silicon Carbide is available in two forms, reaction bonded and sintered. For more information on these two processes please email us at caroline@rbsic-sisic.com
Abi medžiagos yra itin kietos ir pasižymi dideliu šilumos laidumu. Dėl to silicio karbidas naudojamas guolių ir rotacinių sandariklių gamyboje, kur padidėjęs kietumas ir laidumas pagerina sandariklio ir guolio veikimą.
Reakciniu būdu sujungtas silicio karbidas (RBSC) pasižymi geromis savybėmis aukštoje temperatūroje ir gali būti naudojamas ugniai atspariose medžiagose.
Silicio karbido medžiagos pasižymi geru atsparumu erozijai ir dilimui, šias savybes galima panaudoti įvairiose srityse, tokiose kaip purškimo antgaliai, šratinio valymo antgaliai ir ciklono komponentai.
Pagrindiniai silicio karbido keramikos privalumai ir savybės:
Didelis šilumos laidumas
Mažas šiluminio plėtimosi koeficientas
l Puikus atsparumas terminiam smūgiui
l Ypatingas kietumas
Puslaidininkis
Lūžio rodiklis didesnis nei deimanto
For more information on Silicon Carbide Ceramics please email us at caroline@rbsic-sisic.com
Silicio karbido gamyba
Silicio karbidas gaunamas iš miltelių arba grūdelių, redukuojant silicio dioksidą anglimi. Jis gaminamas kaip smulkūs milteliai arba didelė surišta masė, kuri vėliau susmulkinama. Norint išvalyti (pašalinti silicio dioksidą), jis plaunamas vandenilio fluorido rūgštimi.
Yra trys pagrindiniai komercinio produkto gamybos būdai. Pirmasis metodas – silicio karbido miltelių maišymas su kita medžiaga, pavyzdžiui, stiklu ar metalu, o tada apdorojimas, kad antroji fazė sukibtų.
Kitas metodas – sumaišyti miltelius su anglies arba silicio metalo milteliais, kurie vėliau sujungiami reakcijos būdu.
Galiausiai, silicio karbido miltelius galima sutankinti ir sukepinti pridedant boro karbido ar kitos sukepinimo priemonės, kad būtų suformuota labai kieta keramika. Reikėtų pažymėti, kad kiekvienas metodas tinka skirtingoms reikmėms.
For more information on Reaction Bonded Silicon Carbide Ceramics please email us at caroline@rbsic-sisic.com
Įrašo laikas: 2018 m. liepos 16 d.