ຫຼັກການພື້ນຖານຂອງການກໍາຈັດຝຸ່ນ desulphurizing nozzle ແມ່ນເພື່ອແຍກ particles ຂີ້ຝຸ່ນອອກຈາກບັນຍາກາດຫຼືຄວັນຢາສູບ.
ກ່ອນອື່ນ ໝົດ, ຝຸ່ນຂີ້ຝຸ່ນຖືກປຽກດ້ວຍສີດນ້ ຳ ເພື່ອເພີ່ມຂະ ໜາດ ຂອງອະນຸພາກແລະແຮງໂນ້ມຖ່ວງສະເພາະ. ຫຼັງຈາກນັ້ນ, ຝຸ່ນລະອອງຈະແຍກອອກຈາກບັນຍາກາດຫຼືອາຍແກັສ flue. ໃນເວລາທີ່ nozzle desulfurization ໄດ້ຖືກແຍກ, ພວກເຮົາຈໍາເປັນຕ້ອງໄດ້ເອົາ nozzle ລົງ. ການດໍາເນີນງານສະເພາະແມ່ນດັ່ງຕໍ່ໄປນີ້:
1) ຊິ້ນສ່ວນສະແຕນບາຍຫຼືອາໄຫຼ່ຄວນຖືກເກັບຮັກສາໄວ້ຢ່າງຖືກຕ້ອງ: ຜູ້ສະຫນອງທົ່ວໄປມີການຫຸ້ມຫໍ່ພິເສດແລະການຕິດສະຫຼາກ, ນັ້ນແມ່ນ, ພວກມັນຄວນຈະຖືກວາງໄວ້ໂດຍບໍ່ມີການໃຊ້. ຫົວສີດ desulfurizing ທີ່ຖືກຖອດອອກຄວນຖືກແຊ່ນ້ໍາ (ນໍ້າມັນແອັດຊັງ, ນໍ້າມັນກາຊວນ, ແລະອື່ນໆ) ເພື່ອປ້ອງກັນການເກີດ rust.
2) ໃນເວລາທີ່ມີຄວາມຜິດກ່ຽວກັບ nozzle desulfurization ໃນການນໍາໃຊ້, ການກວດກາ nozzle ຈໍາເປັນຕ້ອງໄດ້ແຍກອອກ. ຜູ້ໃຊ້ຕ້ອງໄດ້ນໍາໃຊ້ເຄື່ອງມືພິເສດຫຼືເຄື່ອງມືທີ່ເຫມາະສົມເພື່ອ disassemble ແລະ decompose ການພົວພັນການປະກອບເປັນບາດກ້າວ.
3) nozzles ຖອດອອກຄວນໄດ້ຮັບການຕິດຕັ້ງທັນທີໃນ nozzle ທົດສອບ bench ແທນທີ່ຈະເປັນການປິ່ນປົວໃດໆ. ອີງຕາມຄວາມກົດດັນການເຮັດວຽກທີ່ກໍານົດໄວ້, ລັກສະນະການໄຫຼ, ການກວດສອບມຸມສີດແລະການສັງເກດການສີດພົ່ນຖືກປະຕິບັດ. ນີ້ສາມາດແກ້ໄຂໄດ້ໃນເວລາທີ່ແກ້ໄຂບັນຫາ.
nozzle desulfurization ໄດ້ປະກົດຂຶ້ນພາຍໃຕ້ຂໍ້ກໍານົດການປົກປັກຮັກສາສິ່ງແວດລ້ອມ. ຈຸດປະສົງຕົ້ນຕໍຂອງຜະລິດຕະພັນແມ່ນເພື່ອ desulphurate ອາຍແກັສແລະອື່ນໆ. ນີ້ເຮັດໃຫ້ການຜະລິດອຸດສາຫະກໍາເປັນມິດກັບສິ່ງແວດລ້ອມ. ຄຸນສົມບັດທາງເຄມີຂອງຫົວສີດ desulfurizing ແມ່ນໄດ້ອະທິບາຍໄວ້ຂ້າງລຸ່ມນີ້, ແລະພວກເຮົາຫວັງວ່າຈະໄດ້ຊ່ວຍທ່ານ.
ຕ້ານການອອກຊິເດຊັນຂອງ nozzles desulphurizing
ເມື່ອວັດສະດຸ silicon carbide ໄດ້ຮັບຄວາມຮ້ອນເຖິງ 1300 ອົງສາໃນອາກາດ, ຊັ້ນປ້ອງກັນ silicon dioxide ໄດ້ຖືກສ້າງຕັ້ງຂຶ້ນຢູ່ດ້ານຂອງ silicon carbide ໄປເຊຍກັນ. ຄວາມຫນາຂອງຊັ້ນປ້ອງກັນປ້ອງກັນບໍ່ໃຫ້ຊິລິໂຄນຄາໄບພາຍໃນຈາກການສືບຕໍ່ oxidize. ນີ້ເຮັດໃຫ້ silicon carbide ມີຄວາມຕ້ານທານການຜຸພັງທີ່ດີ. ເມື່ອອຸນຫະພູມສູງກວ່າ 1900K (1627 C), ແຜ່ນປ້ອງກັນຊິລິກາຖືກທໍາລາຍ. ໃນຈຸດນີ້, ການຜຸພັງຂອງ silicon carbide ແມ່ນຮ້າຍແຮງຂຶ້ນ. ດັ່ງນັ້ນ, 1900K ແມ່ນອຸນຫະພູມການເຮັດວຽກສູງສຸດຂອງຊິລິໂຄນ carbide ໃນບັນຍາກາດ oxidizing.
ການຕໍ່ຕ້ານອາຊິດແລະເປັນດ່າງຂອງ nozzles desulphurizing:
ໃນລັກສະນະການຕໍ່ຕ້ານອາຊິດ, ການຕໍ່ຕ້ານດ່າງແລະການຜຸພັງ, ຫນ້າທີ່ຂອງແຜ່ນປ້ອງກັນຊິລິໂຄນ dioxide ສາມາດເສີມຂະຫຍາຍການຕໍ່ຕ້ານອາຊິດແລະການຕໍ່ຕ້ານດ່າງຂອງຊິລິໂຄນ carbide.
ເວລາປະກາດ: ກໍລະກົດ-25-2018