SiC Substrat fir CVD Filmbeschichtung

Chemesch Damp Oflagerung

Chemesch Dampdepositioun (CVD) Oxid ass e linearem Wuesstumsprozess wou e Virgängergas en dënnen Film op eng Wafer an engem Reakter deposéiert. De Wuesstumsprozess ass niddereg Temperatur an huet e vill méi héije Wuesstumsrate am Verglach zumthermesch Oxid. Et produzéiert och vill méi dënn Siliziumdioxidschichten well de Film depostéiert ass, anstatt gewuess. Dëse Prozess produzéiert e Film mat enger héijer elektrescher Resistenz, wat super ass fir an ICs an MEMS Apparater ze benotzen, ënner villen aneren Uwendungen.

Chemesch Dampdepositioun (CVD) Oxid gëtt ausgefouert wann eng extern Schicht gebraucht gëtt, awer de Siliziumsubstrat kann net oxidéiert ginn.

Chemeschen Damp Depositioun Wuesstem:

CVD Wuesstum geschitt wann e Gas oder Damp (Virgänger) an en nidderegen Temperaturreaktor agefouert gëtt, wou Wafere entweder vertikal oder horizontal arrangéiert sinn. De Gas beweegt sech duerch de System a verdeelt gläichméisseg iwwer d'Uewerfläch vun de Waferen. Wéi dës Virgänger duerch de Reakter bewegen, fänken d'Waferen un se op hir Uewerfläch ze absorbéieren.

Wann d'Virgänger gläichméisseg am ganze System verdeelt hunn, fänken chemesch Reaktiounen laanscht d'Uewerfläch vun de Substrate un. Dës chemesch Reaktiounen fänken als Inselen un, a wéi de Prozess weider geet, wuessen d'Inselen a fusionéieren fir de gewënschten Film ze kreéieren. Chemesch Reaktiounen kreéieren Biprodukte op der Uewerfläch vun de Waferen, déi iwwer d'Grenzschicht diffusen an aus dem Reaktor fléien, sou datt just d'Waferen mat hirer deposéierter Filmbeschichtung hannerloossen.

Figur 1

Virdeeler vun der chemescher Dampdepositioun:

• Niddereg Temperatur Wuesstem Prozess.
• Schnell Oflagerungsquote (besonnesch APCVD).
• Muss net e Siliziumsubstrat sinn.
• Gutt Schrëtt Ofdeckung (besonnesch PECVD).

Figur 2
Siliziumdioxiddepositioun vs Wuesstum

Fir méi Informatioun iwwer chemesch Dampdepositioun oder fir en Devis ze froen, w.e.gKONTAKT SVMhaut fir mat engem Member vun eisem Verkafsteam ze schwätzen.

Zorte vu CVD

LPCVD

Nidderdruck chemesch Dampdepositioun ass e Standard chemesche Dampdepositiounsprozess ouni Drock. De groussen Ënnerscheed tëscht LPCVD an aner CVD Methoden ass Oflagerungstemperatur. LPCVD benotzt déi héchst Temperatur fir Filmer ze deposéieren, typesch iwwer 600 ° C.

D'Ënnerdréckung Ëmfeld erstellt e ganz eenheetleche Film mat héijer Rengheet, Reproduktioun an Homogenitéit. Dëst gëtt tëscht 10 - 1.000 Pa gemaach, während Standardraumdrock 101.325 Pa ass. Temperatur bestëmmt d'Dicke an d'Rengheet vun dëse Filmer, mat méi héijer Temperaturen, déi zu méi décke a méi reng Filmer resultéieren.

• Gemeinsam Filmer deposéiert:polysilicium, dotéiert an ongedotéiert Oxiden,Nitriden.

PECVD

Plasma verstäerkte chemesch Dampdepositioun ass eng niddereg Temperatur, héich Filmdicht Oflagerungstechnik. PECVD fënnt an engem CVD-Reaktor statt mat der Zousatz vu Plasma, dat ass en deelweis ioniséierte Gas mat engem héije fräien Elektronengehalt (~ 50%). Dëst ass eng niddereg Temperatur Oflagerung Method déi stattfënnt tëscht 100 ° C - 400 ° C. PECVD kann bei niddregen Temperaturen ausgefouert ginn, well d'Energie vun de fräien Elektronen déi reaktiv Gase dissoziéiert fir e Film op der Wafer Uewerfläch ze bilden.

Dës Oflagerungsmethod benotzt zwou verschidden Aarte vu Plasma:

1. Kal (net-thermesch): Elektronen hunn eng méi héich Temperatur wéi déi neutral Partikelen an Ionen. Dës Method benotzt d'Energie vun Elektronen andeems den Drock an der Oflagerungskammer geännert gëtt.
2. Thermesch: Elektronen sinn déiselwecht Temperatur wéi d'Partikelen an d'Ionen an der Oflagerungskammer.

Bannen an der Oflagerungskammer gëtt Radiofrequenzspannung tëscht Elektroden iwwer an ënner der Wafer geschéckt. Dëst gelueden d'Elektronen an hält se an engem excitablen Zoustand fir de gewënschten Film ze deposéieren.

Et gi véier Schrëtt fir Filmer iwwer PECVD ze wuessen:

1. Setzt Zilwafer op eng Elektrode an der Oflagerungskammer.
2. Aféieren reaktiv Gasen an Oflagerung Elementer an der Chamber.
3. Schéckt Plasma tëscht Elektroden a setzt Spannung un fir de Plasma ze begeeschteren.
4. Reaktiv Gas dissoziéiert a reagéiert mat der Wafer Uewerfläch fir en dënnen Film ze bilden, Nebenprodukter diffusen aus der Chamber.

• Allgemeng Filmer deposéiert: Siliziumoxiden, Siliziumnitrid, amorphem Silizium,Siliziumoxynitriden (Si_xO_yN_z).

APCVD

Atmosphäresch Drock chemesch Dampdepositioun ass eng niddereg Temperatur Oflagerung Technik déi an engem Uewen um Standard Atmosphärendrock stattfënnt. Wéi aner CVD Methoden, erfuerdert APCVD e Virgängergas an der Oflagerungskammer, da klëmmt d'Temperatur lues fir d'Reaktiounen op der Wafer Uewerfläch ze katalyséieren an en dënnen Film ze deposéieren. Wéinst der Einfachheet vun dëser Method huet et e ganz héije Oflagerungsquote.

• Gemeinsam Filmer deposéiert: dotéiert an ongedopte Siliziumoxiden, Siliziumnitriden. Och benotzt anannealing.

HDP CVD

Héich Dicht Plasma chemesch Dampdepositioun ass eng Versioun vu PECVD déi e Plasma mat méi héijer Dicht benotzt, wat d'Waferen erlaabt mat enger nach méi niddereger Temperatur (tëscht 80 ° C-150 ° C) an der Oflagerungskammer ze reagéieren. Dëst erstellt och e Film mat super Trench Fëllungsfäegkeeten.

• Allgemeng Filmer deposéiert: Siliziumdioxid (SiO₂), Siliziumnitrid (Si₃N₄),Siliciumcarbid (SiC).

SACVD

Subatmosphäresch Drock chemesch Dampdepositioun ënnerscheet sech vun anere Methoden well se ënner Standard Raumdrock stattfënnt a Ozon benotzt (O)₃) fir d'Reaktioun ze katalyséieren. Den Oflagerungsprozess fënnt bei engem méi héijen Drock ewéi LPCVD awer manner wéi APCVD statt, tëscht ongeféier 13.300 Pa an 80.000 Pa. SACVD-Filmer hunn eng héich Oflagerungsquote an déi verbessert sech wéi d'Temperatur eropgeet bis ongeféier 490°C, an deem Punkt ufänkt ofzegoen. .

• Gemeinsam Filmer deposéiert:BPSG, PSG,TEOS.

Shandong Zhongpeng Special Ceramics Co., Ltd ass eng vun de gréisste Siliziumkarbid Keramik nei Materialléisungen a China. SiC Technesch Keramik: Moh's Hardness ass 9 (New Moh's Hardness ass 13), mat exzellente Resistenz géint Erosioun a Korrosioun, exzellente Abrasiounen - Resistenz an Antioxidatioun. D'Liewensdauer vum SiC Produkt ass 4 bis 5 Mol méi laang wéi 92% Aluminiumoxidmaterial. De MOR vu RBSiC ass 5 bis 7 Mol dee vum SNBSC, et ka fir méi komplex Formen benotzt ginn. Den Zitatprozess ass séier, d'Liwwerung ass wéi versprach an d'Qualitéit ass zweet bis keent. Mir behalen ëmmer eis Ziler erauszefuerderen an eis Häerzer an d'Gesellschaft zréckginn.