SIC Substrat fir CVD Film Coating

Chic-chemeschen Vamporing

Chemesch Dampistion (CVD) Oxid ass e linear Wuesstumsprozess, wou e Virgängergas den Dënnen eng dënnem Film op e Rafe an engem Rakéit an engem Rakéit an engem Rand De Wuesstumsprozess ass niddereg Temperatur an huet e vill méi héije Wuesstumsaux beim Verglach matthermesch OxidAn. Et verbréngt och vill méi hellend Semason duebel Diudipien, well de Film festgeschafft gëtt, an wéi gewuessen. Dësen Prozess produzéiert e Film mat ganz Kierperfrocher, déi ganz no Uwendung ass zu Imhëler zu Imen, ënner anerem Ultairen.

Chemesch Dampistion (CVD) Oxide gëtt ausgefouert wann eng extern Schicht gebraucht gëtt awer de Silicon kann net fäeg sinn.

Chemesch Dapor Oflagermauschtung:

CVD Wuesstum geschitt wann e Gas oder Damp (Precursor) an e niddrege Temperatur agefouert gëtt wou Wafunge rangéiert sinn entweder vertikal oder horizontal. De Gas beweegt sech duerch de System a verdeelt gläichméisseg iwwer d'Uewerfläch vun de Waferen. Wéi dës Viraussetzungen duerch de Reccorer beweegen, fänkt d'Waffe un se op hir Uewerfläch opzehuelen.

Wann de Virverbstëmmten duerch d'Léisunge verdeelt sinn, de chemktor Reaktiounen fennen dat d'Äerd vun der Substreinungen. Dës Foulesch d'Beroden 2000 starten wéi Inslanden, an och de Prozess ginn weiderfuere gelooss, déi Inselen wuessen sëch neit Film fir de gewënschten Film ze kreéieren. Chundes Absériatiounen erënnere Kippdike op der Uewerfläch, déi am Haaptzschicht ënnerscheede kënnen, an engem ënnerwee.

Bild 1

D'Virdeeler vun chemeschen Damp-Deposition:

• Niddreg Temperaturwuesent Prozess.
• Séier Depositiounsrate (besonnesch apcvd).
• Muss net e Silizon Substrat sinn.
• Gutt Schrëtt Ofdeckung (besonnesch pepvd).

Figur 2
Silicon Dioxid Depositioun vs. Wuesstem

Fir méi Informatioun iwwer chemesch Damppoption oder fir en Devis ze froen, w.e.g.Kontakt ON SAHaut ze froch mat engem Membl vun eisem Salaccadequipe ze ze schwätzen.

Aarte vu CVD

Lpcvd

Niddereg Drock chemesch Dampsausbildung ass e Standard chemesche Vapor-Depositiounsprozess ouni Drock. De wichtegen Ënnerscheed tëscht dem LPCVD an aner CVD Methoden ass Depositiounsentemperatur. LPCVD benotzt déi héchste Temperatur fir Filmer ze deponitéieren, typesch iwwer 600 ° C.

D'Diddrotrienten mat engem aneren Oniechtfchmen mat enger reagescher Weltwieder, an HomoBenéiglechkeet. Dëst ass tëscht 10 - 1...000 Pa, wärend Standard Roomssweck ass 1012P. Toiler an der Dauer an der Héich Tememarkes, mat méi héije Temperaturen, mat méizebréngen an Primersrees, mat Héich Temperaturen déi d'Dicke sinn, mat Récktausen kompetitiv an d'Dicke an Réckt.

• Allgemeng Filmer deposéiert:polysilicon, DOPED & ONDEDPED OXIDES,Nitrides.

Pecvd

Plasasmais verbessert chemeschhipe Deposition ass eng niddreg Temperatur, highile Film Dichtstechnikatioun. De PCVD fënnt eng Kéier an engem CVD Rostort mat Zoufall abegraff, déi en deellech egenten Auswiel (~ 50%) entspriechen. Dësen HAPT HËLLT Eelt Temperatursiichtsnupplungsmodor Optrëtts, der op 100 ° C - 400 ° C abegraff. PCVD kann op niddregen Temperaturen duerchgefouert ginn well d'Energie aus de fräien Elektronen dissoziates dissociates de reagéierte Gase fir e Film ze bilden.

Dës Depositiounsmethod benotzt zwee verschidden Aarte vu Plasma:

1. Kal (net-thermesch): Elektronen hunn eng méi héich Temperatur wéi déi neutral Partikelen an Ionen. Dës Method benotzt d'Energie vun Elektronen andeems Dir den Drock an der Verfallmäck geännert huet.
2. Thermal: Elektronen sinn déi selwecht Temperatur als Partikel an Ionen an der Deposition Chamber.

Bannen an der Oflagerungskammer, Radiefinquilitéitspannung gëtt tëscht Elektrodungen iwwer an ënner dem Wafer geschéckt. Dëst läschten d'Elektronen an haalt se an engem excitablen Zoustand fir de gewënschten Film ze deposéieren.

Et gi véier Schrëtt fir wuesse Film via PSCVD ze wuessen:

1. Setzt Ziler Wafer op engem Elektrode an der Verfallkammär.
2. Reagéieren reagéierend Gasen an Depositiouns Elementer fir d'Chamber.
3. Schéckt Plackma tëscht Elektroden an uwenden Volt fir de Plasma ze begeeschteren.
4. Reaktive Gas discoates an reagéiert mat der Waff Uewerfläch fir en dënnen Film ze bilden, andeems Dir aus der Chamber diktéiert.

• Heefeg Filmer deposéiert: Silicon Oxiden, Silicon Nitriide, Amorphos Silicon,Silicon Oxynitriden (SI_xO_yN_z).

Apcvd

Atmosphäresch Drock chemesch Dampsausbildung ass eng niddereg Temperatursniveau Technik déi an engem Schmelz am Standpunkt an engem Standard-thonatesche Drock fënnt. Si wore gVd Methei, den ACCVD erfuerdert e Priorfermaart an den Optraggrousser Optrëtt, duerno d'Temperatur falt een d'Reaktuell fir d'Rafial fir d'Rezebürsplack anzeschalungen Béi äus vun dëser Methodë vun dëser Method, war en eng ganz héijen Depositioun-Vue.

• Allgemeng Filmer deposéiert: deduktion an ongedréckt Silicon Oxiden, Silicon Nitrides. Och benotztAnnealing.

HDP CVD

Haut demitity Plaasma chemic chemesch Voor den Optraggeld ass eng Versioun vum PSCV Placd Tankgrad (Tspidder fir d'Rees. Dëst erstellt och e Film mat super Trench Fäegkeeten.

• Gemeinsam Filmer deposéiert: Silicon Dioxid (Sio₂), Silicon Nitrid (si₃N₄), ASilicon Carbide (SIC).

Sacvd

SubatmoShheresch Drock chemesch Damppolitik ënnerscheet sech vun aner Methoden well et ënner dem Standardraumdrock stattfënnt a benotzt Ozonen (o₃) fir d'Reaktioun ze katalyze. Den Optragfeld ass op engem héije Drock stattfënnt wéi LPCVD, wéi manner wéi apTVD, tëscht ongeféier 13,300 Pap an dat, déi sech ofnippt ginn.

• Allgemeng Filmer deposéiert:Bpseg, PSG,Teos.

Shandong Zhongpeng Special Cerramic CO., LTD ass ee vun de gréissten Silizon Kamemeke neier Aktivitéiten a China. Sic techneschen Cramamark: De MoHenz ass 9 (nei MoHent sinn 13 Joer), huet d'Extraroidant an Anto-Oxroget. Sic Produkt vum SIC Produkt ass 4 bis 5 Mol méi laang wéi 92% Alumina Material. De Mor vu RBSic ass 5 bis 7 Mol déi vu SNBSC, kann et fir méi komplex Formen benotzt ginn. Den Zitatprozess ass séier, d'Liwwerung ass wéi versprach an d'Qualitéit ass zweet bis näischt. Mir bestoe bleiwen ëmmer fir eis Ziler ze usprochsen an eis Häerzer zréck op d'Gesellschaft ze ginn.