RBSiC (SiSiC) Rollen a Träger
1. Sintertheorie
Reaktiounsgebonnent SiC (sisic) gëtt aus α-SiC-Pulver, Graphitpulver, Mëschadditiven an organeschem Klebstoff hiergestallt. De Mëschungskierper gëtt extrudéiert an dann mat Siliziumpulver an eng Form gefëllt.
2. Produktmerkmale
Mat de Charakteristike vun héijer Festigkeit, héijer Temperaturbeständegkeet, héijer Häert, héijer Verschleißbeständegkeet, Korrosiounsbeständegkeet, Oxidatiounsbeständegkeet, Wärmeschockbeständegkeet, gudder Wärmeleitfäegkeet an thermescher Effizienz. D'Liewensdauer ass méi wéi 10 Mol sou wéi déi vun Edelstahlleitungen.
Siliziumkarbidträger a -rollen ginn als Laderahmen a Porzellanofen benotzt a kënnen normal oxidgebonnen Siliziumplacken a Mullitpfosten ersetzen, well se gutt Virdeeler hunn, wéi Plazspueren, Brennstoff an Energie spueren an och d'Brennzäit verkierzt hunn. D'Liewensdauer vun dëse Materialien ass vill méi héich wéi déi vun aneren, sou datt se e ganz idealen Ofenmiwwel sinn.
Träger mat héijer Temperaturdrokapazitéit fir grouss, laangfristeg Notzung ouni Biegeverformung, besonnesch gëeegent fir Tunnellefen, Shuttleuewen, an zweeschichtegen Rolluewen an aner industriell Uewenlaaschtstrukture vum Frame.
D'Veräiner gëllen fir alldeeglech benotzt Keramik, Sanitärporzellan, Baukeramik, Magnéitmaterial an Héichtemperaturbrennzonen vun engem Rolluewen.
Shandong Zhongpeng Special Ceramics Co., Ltd ass eng vun de gréisste Léisunge fir nei Materialien am Beräich Siliziumkarbidkeramik a China. Technesch SiC Keramik: D'Moh-Häert ass 9 (Nei Moh-Häert ass 13), mat exzellenter Erosiouns- a Korrosiounsbeständegkeet, exzellenter Abriebsbeständegkeet an Antioxidatiounsbeständegkeet. D'Liewensdauer vum SiC Produkt ass 4 bis 5 Mol méi laang wéi déi vun 92% Aluminiumoxid. De MOR vun RBSiC ass 5 bis 7 Mol sou héich wéi dee vun SNBSC, et kann fir méi komplex Formen benotzt ginn. Den Offerprozess ass séier, d'Liwwerung ass wéi versprach an d'Qualitéit ass oniwwertraff. Mir setzen eis ëmmer fir eis Ziler ze setzen a ginn der Gesellschaft eis Häerzer zréck.