Aarte vu Reaktiounsgebonnenem Silikonkarbid (RBSiC/SiSiC)

Aarte vu ReaktiounenGebonnen Silikonkarbid (RBSiC/SiSiC)

Am Moment gëtt et eng grouss Zuel vu Produzenten, déi Reaktiounsgebonnen SIC-Produkter fir verschidden Industrien ubidden. Shandong Zhongpeng Special Ceramics Co., Ltd. sollt ee vun de beschte Fournisseuren mat diversifizéierte Reaktiounsgebonnen SIC-Produkter sinn, wéi z. B. Düsen an anerer an den elektresche Stroum-, Keramik-, Uewen-, Eisen- a Stolindustrien, Biergbauindustrien, Kuelindustrie, Aluminiumindustrie, Pëtrolindustrie, Chimieindustrie, Naassentschwefelindustrie, Maschinnebauindustrie an aner speziell Industrien op der Welt.

De Reaktiounsgebonnenen SIC kann opgedeelt ginn anReaktiounsgebonnen SiliziumkarbidanReaktiounsgeformte Siliziumkarbid, jee nodeem ob den Ausgangsblat Siliziumcarbidpartikelen enthält.

Reaktiounsgebonnen Siliziumkarbid

Reaktiounsgebonnent Siliziumkarbid bezitt sech op de Prozess fir e Siliziumkarbid-Komposit ze bilden. Et ass an der Situatioun wou den Ausgangsblat Siliziumkarbidpulver enthält. Am Reaktiounsprozess reagéiere Kuelestoff a Silizium fir eng nei Siliziumkarbidphas ze bilden a sech mam urspréngleche Siliziumkarbid ze verbannen. De Virbereedungsprozess ass wéi follegt, wat eng allgemeng benotzt Method ass:

Vermëschung vu Siliziumcarbidpulver, Kuelestoffpulver an organeschem Bindemittel;

D'Mëschung dréchen an entbonde maachen;

Schlussendlech gëtt dat reaktiounsgebonnent Siliziumcarbid duerch Siliziuminfiltratioun gewonnen.

De reaktiounsgebonnene Siliziumcarbid, deen duerch dës Method produzéiert gëtt, enthält am Allgemengen grob Siliziumcarbid-Kristallkären an en héijen Undeel u fräiem Silizium. Dës Method huet awer e einfache Prozess a niddreg Käschten. Am Moment,

Reaktiounsgeformte Siliziumkarbid

De Startblat aus reaktiounsgeformtem Siliziumcarbid enthält nëmme Carbid. De Startblat aus porösem Kuelestoff gëtt mat Silizium oder enger Siliziumlegierung reagéiert fir e Siliziumcarbid-Kompositmaterial ze preparéieren. Dëse Prozess gouf fir d'éischt vum Hucke erfonnt. D'Hucke-Method huet och seng Nodeeler. Säi Virbereedungsprozess ass méi komplizéiert. D'Käschte vun dëser Method si méi héich. Gläichzäiteg gëtt eng grouss Quantitéit u Gas beim thermesche Rëssbildung entwéckelt. Dëst féiert zu engem einfache Rëssbildung vum Porzellan. Dofir ass dës Method méi schwéier fir grouss Produkter ze produzéieren.

Zousätzlech gëtt Pëtrolskoks als Rohmaterial benotzt fir all Kuelestoffplacken ze preparéieren, an duerno gëtt Siliziumkarbid geformt. D'Eegeschafte vun de preparéierte Materialien sinn awer relativ niddreg. Seng Stäerkt ass am Allgemengen manner wéi 400 mpa. D'Uniformitéit vum krittene Siliziumkarbid ass net gutt. Wéinst de niddrege Käschte vum Pëtrolskoks sinn d'Käschte vun dëser Method relativ niddreg.

SSummary

Am Verglach mat anere Virbereedungsmethoden vu Siliziumcarbidkeramik huet d'Reaktiounsgebonnen Method seng eenzegaarteg Virdeeler. Am Moment konzentréiert sech d'Fuerschung an dësem Beräich haaptsächlech op d'Studie vum Sinterprozess an d'Charakteriséierung vun der Struktur an den Eegeschafte vun de Produkter. Wéi och ëmmer, ass d'Fuerschung iwwer d'Formung vu Blanken relativ wéineg. Obwuel et vill Studien iwwer de Reaktiounsmechanismus tëscht hinnen gëtt, gëtt et wéineg Studien iwwer d'Permeabilitéitskinetik, de Reaktiounsmechanismus an d'Zesummesetzung vun der Materialphase vum Legierungsprozess. Et gëtt wéineg Studien iwwer d'Virbereedung vu Materialien mat kontrolléierbaren Eegeschaften a Strukturen duerch d'Kombinatioun vu Siliziuminfiltratioun an anere Materialien. Dës Aspekter mussen nach ënnersicht ginn.