Rekristalliséiert Siliziumkarbid (RXSIC, ReSIC, RSIC, R-SIC). D'Ausgangsrohmaterial ass Siliziumkarbid. Et gi keng Verdichtungshëllefsmëttel benotzt. Déi gréng Kompakter gi fir d'Finale Konsolidéierung op iwwer 2200ºC erhëtzt. Dat resultéierend Material huet eng Porositéit vu ronn 25%, wat seng mechanesch Eegeschafte limitéiert; d'Material kann awer ganz reng sinn. De Prozess ass ganz wirtschaftlech.
Reaktiounsgebonnent Siliziumkarbid (RBSIC). D'Ausgangsrohmaterialien sinn Siliziumkarbid plus Kuelestoff. Déi gréng Komponent gëtt dann mat geschmolltem Silizium iwwer 1450ºC infiltréiert mat der Reaktioun: SiC + C + Si -> SiC. D'Mikrostruktur huet normalerweis eng gewëssen Iwwerschoss u Silizium, wat seng Héichtemperatureigenschaften a Korrosiounsbeständegkeet limitéiert. Wärend dem Prozess geschitt wéineg Dimensiounsännerung; awer eng Schicht Silizium ass dacks op der Uewerfläch vum fäerdegen Deel präsent. ZPC RBSiC baséiert op der fortgeschratt Technologie a produzéiert verschleißbeständeg Beschichtung, Placken, Plättercher, Zyklonbeschichtung, Blöcke, onregelméisseg Deeler, a verschleiß- a korrosiounsbeständeg FGD-Düsen, Wärmetauscher, Päifen, Réier asw.
Nitridgebonnent Siliziumkarbid (NBSIC, NSIC). D'Ausgangsrohmaterialien sinn Siliziumkarbid plus Siliziumpulver. De grénge Kompakt gëtt an enger Stéckstoffatmosphär gebrannt, wou d'Reaktioun SiC + 3Si + 2N2 -> SiC + Si3N4 stattfënnt. Dat fäerdegt Material weist wéineg Dimensiounsännerung während der Veraarbechtung op. D'Material weist e gewësse Grad u Porositéit op (typesch ongeféier 20%).
Direkt gesintert Siliziumkarbid (SSIC). Siliziumkarbid ass den Ausgangsrohmaterial. Verdichtungshëllefsmëttel si Bor plus Kuelestoff, an d'Verdichtung geschitt duerch e Festkierperreaktiounsprozess iwwer 2200ºC. Seng Héichtemperatureegeschafte a Korrosiounsbeständegkeet si besser wéinst dem Manktem un enger glasarteger zweeter Phas un de Kärengrenzen.
Flëssegphas-Sintersiliziumcarbid (LSSIC). Siliziumcarbid ass den Ausgangsrohmaterial. Verdichtungshëllefsmëttel sinn Yttriumoxid plus Aluminiumoxid. D'Verdichtung geschitt iwwer 2100ºC duerch eng Flëssegphasreaktioun a resultéiert an enger glasartiger zweeter Phas. Déi mechanesch Eegeschafte si generell besser wéi SSIC, awer d'Héichtemperatureigenschaften an d'Korrosiounsbeständegkeet si net sou gutt.
Waarmgepressten Siliziumcarbid (HPSIC). Siliziumcarbidpulver gëtt als Ausgangsrohmaterial benotzt. Verdichtungshëllefsmëttel si meeschtens Bor plus Kuelestoff oder Yttriumoxid plus Aluminiumoxid. D'Verdichtung geschitt duerch déi gläichzäiteg Uwendung vu mechaneschem Drock an Temperatur an enger Graphitformkavitéit. D'Formen si einfach Placken. Gering Quantitéiten u Sinterhëllefsmëttel kënne benotzt ginn. Déi mechanesch Eegeschafte vu waarmgepresste Materialien ginn als Basis benotzt, mat där aner Prozesser verglach ginn. D'Elektresch Eegeschafte kënnen duerch Ännerungen an den Verdichtungshëllefsmëttel geännert ginn.
CVD Siliziumkarbid (CVDSIC). Dëst Material gëtt duerch e chemesche Gasoflagerungsprozess (CVD) geformt, deen d'Reaktioun enthält: CH3SiCl3 -> SiC + 3HCl. D'Reaktioun gëtt ënner enger H2-Atmosphär duerchgefouert, wouduerch de SiC op engem Graphitsubstrat ofgesat gëtt. De Prozess resultéiert an engem Material mat ganz héijer Rengheet; awer nëmme einfach Placke kënnen hiergestallt ginn. De Prozess ass ganz deier wéinst de luesen Reaktiounszäiten.
Chemesch Dampfkomposit-Siliziumkarbid (CVCSiC). Dëse Prozess fänkt mat engem proprietäre Graphitvirleefer un, deen a bal endgültege Formen am Graphitzoustand veraarbecht gëtt. De Konversiounsprozess ënnerworf dem Graphitdeel enger in-situ Dampf-Festkierperreaktioun fir e polykristallint, stöchiometresch korrekt SiC ze produzéieren. Dëse streng kontrolléierte Prozess erlaabt et, komplizéiert Designen an engem komplett konvertéierte SiC-Deel ze produzéieren, deen eng enk Toleranz an eng héich Rengheet huet. De Konversiounsprozess verkierzt déi normal Produktiounszäit a reduzéiert d'Käschten am Verglach mat anere Methoden.* Quell (ausser wou uginn): Ceradyne Inc., Costa Mesa, Kalifornien.
Zäitpunkt vun der Verëffentlechung: 16. Juni 2018