Representéiert Silicon Carbide (Rxstik, Fehler, RSIC, R-sic). D'Startrefiderhëllef ass Silicon Kuerf. Keng Demande Aids gi benotzt. Déi gréng Kompatt, ginn op iwwer 2200ºC fir final Konsolidéierung gehëtzt. Déi resultéierend Material huet ongeféier 25% Porositéit, déi hir mechanesch Eegeschaften limitéiert; Wéi och ëmmer, d'Material ka ganz reng sinn. De Prozess ass ganz ökonomesch.
Reaktioun klasséiert Silizonkobide (RBSIC). Den Ufanksremmaterialien si Silicon Carbide plus Kuelestoff. De Gréng Komponent ass dann infiltréiert mat molten Silicon iwwer 1450ºC mat der Reaktioun: Sic + C + SIC. D'Mikrostrukturaréur huet allgemeng e bësse Quantitéit iwwerschësseg Silichon, déi vun de héijer Temiers Eegeschafte Sales an der Korrosonettbewäertung limitéieren. LESCHT DENVIONIONAL REVERATIOUN TVURS GESCHAFT GEMAACHT; Wéi och ëmmer, eng Layer vu Silik ass dacks op der Uewerfläch vum leschte Deel präsent. ZPC RBS huet déi virstänneg Texik anekter invitéiert, wëll sechstestëllung an den Pripleen, Luichteri viischte oder Dreckskëscht, a Pripe, Dollipe Fgroes, Türen, Brauerec a Freed Deelercher, a Moud, ech hu Fgquerek, an esou weider.
Nitrid bekloert Silicon Carbide (NBSIC, NSIC). Der Startkraaft si Silicon Carbide plus Silicon Pudder. De grénge Compapp ass an enger Nitrosatmosphär ze verglach wou d'Reaktioun sic + 3,42 -> Sic + Sic + Sic i-2,30 gräifen. D'Finale Material Ausstellungen weist kleng dimensional Ännerung wärend der Veraarbechtung. D'Material Ausstellungen eng Niveau vu Porositéit (typesch ongeféier 20%).
Direkte gesi ginn Silicon Carbide (SSIC). Silicon Carbide ass de Startkéimaterial. Onräisifikatiounsdovéiere si de Boun plus Kuel, an Utensiouns Reaktiounsprozess ongeféier 8200ºCT. Seng energescher Properties an der Korrosion Resistenz si superieur wéinst dem Mangel un eng glaenz zweeter zweeter Grenzen.
Flësseg Phase sënnegt Silicon Carbide (Lssik). Silicon Carbide ass de Startkéimaterial. DISTIFIKATION AIDS SINN YTTRIBUM OXIDE PLUS ALUMUMUM OXAUT. De Manktifikatioun geschitt iwwer 21 Mars Walfka an d'Resultater op eng gilme zweete Phaseter. Déi mechanesch Eegeschaften si meeschtens Superior Tsik, awer déi héich Handelspräisser an der koldrescher Resistenz sinn net sou gutt.
Waarm gepresst Silikon Kabbit (HPSIC). Silicon Carbide Pulver gëtt als Startreform benotzt. Demonsifikatioun AIDS sinn allgemeng Boron plus Kuelestoff oder YTTrium Oxide plus plus Aluminium Oxide. Dichtung geschitt duerch eng gläichzäiteg Uwendung vu mechanesche Drock an Temperatur an enger Grafik stierwen Kavitéit. D'Formen sinn einfach Platen. Niddereg Zomme vu Sintering AIDS kënne benotzt ginn. Mechanesch Eegeschafte vu waarme presséierte Materialien ginn als Basisiness benotzt fir déi aner Prozesser verglach ginn. EDCHLIalal Eegeschafte kënnen duerch Ännerunge vun Ännerunge vun Ännerunge verännert ginn.
CVD Silicon Carbide (CVDSIC). Dëst Material gëtt duerch eng chemesch Damplagerung geformt (CVD) Prozess mat der Reaktioun: CH3SICL3 -> Sic + 3hcl. D'Reaktioun gëtt ënner enger H2-Atmosphär mat der SIC ofgedroen, deen op eng Grafiting Substrat deposéiert gëtt. De Prozess resultéiert an engem ganz héije Rengheetsmaterial; Wéi och ëmmer einfach Platen kënne gemaach ginn. De Prozess ass ganz deier wéinst der lueser Reaktiounszäiten.
Chemesch Damp Compositionite Silicon Carbide (CVCSIC). Dëse Prozess fänkt un mat engem proprietäre Grafite Präfortor, deen an no Nettelformen am Grafitstaat gëtt. De Konversiounsprozess Sujeten de Grafitdeel fir eng an der sitativer Volor-Staat Reaktioun fir e polycrystallin, stiartiometresch korrekt ze produzéieren. Dëst uerdentlech kontrolléiert Prozess erlaabt komplizéiert Designen ze produzéieren fir an engem komplett ëmgebautenen Deel ze produzéieren déi enk Toleranzfigle-Featuren an héich Rengheet huet. De Konkurrenzprozess ze verkierzen déi normal Produktiounszäit a reduzéiert d'Käschten iwwer aner Methoden. * Quell (ausser wou et bemierkt), calva, Cala
Postzäit: Jun-16-2018