Rekristalliséiert Siliziumkarbid (RXSIC, ReSIC, RSIC, R-SIC). D'Startmaterial ass Siliziumkarbid. Keng Verdichtungshëllef gi benotzt. Déi gréng Kompakten ginn op iwwer 2200ºC erhëtzt fir endgülteg Konsolidatioun. Dat resultéierend Material huet ongeféier 25% Porositéit, wat seng mechanesch Eegeschafte limitéiert; awer, d'Material kann ganz reng ginn. De Prozess ass ganz wirtschaftlech.
Reaktioun gebonnen Silicon Carbide (RBSIC). D'Startmaterialien si Siliziumkarbid plus Kuelestoff. De grénge Bestanddeel gëtt dann mat geschmoltenem Silizium iwwer 1450ºC mat der Reaktioun infiltréiert: SiC + C + Si -> SiC. D'Mikrostruktur huet allgemeng e bëssen iwwerschësseg Silizium, wat seng Héichtemperatureigenschaften a Korrosiounsbeständegkeet limitéiert. Kleng Dimensiounsverännerung geschitt während dem Prozess; allerdéngs ass eng Schicht Silizium dacks op der Uewerfläch vum leschten Deel präsent. ZPC RBSiC ginn déi fortgeschratt Technologie ugeholl, déi d'Verschleißbeständegkeet, Placke, Plättercher, Zyklonfassung, Blöcke, onregelméisseg Deeler, a Verschleiß- & Korrosiounsbeständegkeet FGD-Düsen, Wärmetauscher, Päifen, Réier, asw.
Nitrid gebonnen Siliziumkarbid (NBSIC, NSIC). D'Startmaterialien si Siliziumkarbid plus Siliziumpulver. De grénge Kompakt gëtt an enger Stickstoffatmosphär gebrannt, wou d'Reaktioun SiC + 3Si + 2N2 -> SiC + Si3N4 geschitt. D'Finale Material weist wéineg Dimensiounsverännerung wärend der Veraarbechtung. D'Material weist e puer Niveau vu Porositéit (typesch ongeféier 20%).
Direkt Sinter Silicon Carbide (SSIC). Siliziumkarbid ass de Startmaterial. Densifikatiounshëllefe si Bor plus Kuelestoff, a Verdichtung geschitt duerch e Feststoffreaktiounsprozess iwwer 2200ºC. Seng Héichtemperatureigenschaften a Korrosiounsbeständegkeet si superieur wéinst dem Manktem vun enger glänzender zweeter Phase bei de Kärgrenzen.
Liquid Phase Sintered Silicon Carbide (LSSIC). Siliziumkarbid ass de Startmaterial. Densifikatiounshëllef sinn Yttriumoxid plus Aluminiumoxid. D'Verdichtung geschitt iwwer 2100ºC duerch eng flësseg-Phasreaktioun a resultéiert an enger glänzender zweeter Phas. Déi mechanesch Eegeschafte sinn allgemeng iwwer SSIC superior, awer d'Héichtemperatureigenschaften an d'Korrosiounsbeständegkeet sinn net sou gutt.
Hot Press Silicon Carbide (HPSIC). Siliziumkarbidpulver gëtt als Startmaterial benotzt. Densifikatiounshëllef si meeschtens Bor plus Kuelestoff oder Yttriumoxid plus Aluminiumoxid. D'Verdichtung geschitt duerch eng simultan Uwendung vu mechanesche Drock an Temperatur an engem Grafit Stierfhuelraum. D'Formen sinn einfach Placke. Niddereg Quantitéite vu Sinterhëllef kënne benotzt ginn. Mechanesch Eegeschafte vu waarm gepresste Materialien ginn als Basis benotzt, géint déi aner Prozesser verglach ginn. Elektresch Eegeschafte kënne geännert ginn duerch Ännerungen an den Verdichtungshëllefen.
CVD Silicon Carbide (CVDSIC). Dëst Material gëtt duerch e chemesche Dampdepositiounsprozess (CVD) geformt, deen d'Reaktioun involvéiert: CH3SiCl3 -> SiC + 3HCl. D'Reaktioun gëtt ënner enger H2-Atmosphär duerchgefouert mat der SiC op e Grafit-Substrat deposéiert. De Prozess resultéiert an engem ganz héich-Rengheet Material; awer, nëmmen einfach Placke kënnen gemaach ginn. De Prozess ass ganz deier wéinst de luesen Reaktiounszäiten.
Chemeschen Damp Composite Silicon Carbide (CVCSiC). Dëse Prozess fänkt mat engem propriétaire Graphit Virleefer un, deen a bal Netzformen am Grafitzoustand machinéiert ass. De Konversiounsprozess ënnerleet de Graphit-Deel un eng in situ Dampfer Feststoffreaktioun fir e polykristallin, stoichiometresch korrekt SiC ze produzéieren. Dëst enk kontrolléiert Prozess erlaabt komplizéiert Design an engem komplett ëmgerechent SiC Deel produzéiert ginn, datt knapper Toleranz Fonctiounen an héich Rengheet huet. De Konversiounsprozess verkürzt déi normal Produktiounszäit a reduzéiert d'Käschte iwwer aner Methoden.* Source (ausser wou notéiert): Ceradyne Inc., Costa Mesa, Calif.
Post Zäit: Jun-16-2018