Siliziumkarbid gouf am Joer 1893 als industriellt Schleifmëttel fir Schleifrieder an Autosbrems entdeckt. Ongeféier Mëtt vum 20. Zënterhier ass et a villen Hallefleitapplikatiounen ausgebaut wéinst senge avantagéisen physikaleschen Eegeschaften. Dës Eegeschafte sinn offensichtlech a senger breet Palette vu Gebrauch an an ausserhalb vun der Hallefleitindustrie. Mat dem Moore säi Gesetz erschéngt seng Limit z'erreechen, sichen vill Firmen an der Hallefleitindustrie no Siliziumkarbid als dat Hallefleitmaterial vun der Zukunft. SiC ka mat multiple Polytypen vu SiC produzéiert ginn, obwuel an der Hallefleitindustrie déi meescht Substrater entweder 4H-SiC sinn, mat 6H- manner heefeg ginn wéi de SiC Maart gewuess ass. Wann Dir op 4H- a 6H- Siliziumkarbid referéiert, representéiert den H d'Struktur vum Kristallgitter. D'Zuel stellt d'Stacksequenz vun den Atomer an der Kristallstruktur duer, dëst gëtt an der SVM Fäegkeeten Diagramm ënnen beschriwwen. Virdeeler vun der Silicon Carbide Hardness Et gi vill Virdeeler fir Silizium Carbide ze benotzen iwwer méi traditionell Siliziumsubstrater. Ee vun de wichtegste Virdeeler vun dësem Material ass seng Härtheet. Dëst gëtt dem Material vill Virdeeler, an Héichgeschwindegkeet, Héichtemperatur an / oder Héichspannungsapplikatiounen. Siliciumcarbid Wafers hunn eng héich thermesch Konduktivitéit, dat heescht datt se Hëtzt vun engem Punkt op eng aner Well transferéiere kënnen. Dëst verbessert seng elektresch Konduktivitéit a schlussendlech Miniaturiséierung, ee vun de gemeinsame Ziler vum Wiessel op SiC Wafers. Thermesch Fäegkeeten SiC Substrater hunn och e nidderegen Koeffizient fir thermesch Expansioun. Thermesch Expansioun ass de Betrag an d'Richtung e Material erweidert oder kontraktéiert wéi et ophëtzt oder ofkillt. Déi heefegst Erklärung ass Äis, obwuel et sech am Géigesaz zu de meeschte Metaller behält, sech ausdehnt wéi et ofkillt a schrumpft wéi et ophëtzt. Den nidderegen Koeffizient vum Siliziumkarbid fir thermesch Expansioun bedeit datt et net wesentlech a Gréisst oder Form ännert wéi et erhëtzt oder ofgekillt gëtt, wat et perfekt mécht fir an kleng Apparater ze passen a méi Transistoren op engem eenzegen Chip ze packen. En anere grousse Virdeel vun dëse Substrate ass hir héich Resistenz géint thermesch Schock. Dëst bedeit datt se d'Fäegkeet hunn Temperaturen séier z'änneren ouni ze briechen oder ze knacken. Dëst schaaft e klore Virdeel wann Dir Geräter fabrizéiert, well et eng aner Zähegkeetseigenschaften ass, déi d'Liewensdauer an d'Performance vum Siliziumkarbid verbessert am Verglach zum traditionelle Bulk Silizium. Zousätzlech zu senge thermesche Fäegkeeten ass et e ganz haltbaren Substrat a reagéiert net mat Säuren, Alkalien oder geschmollte Salze bei Temperaturen bis 800 ° C. Dëst gëtt dëse Substrate Villsäitegkeet an hiren Uwendungen an hëlleft weider hir Fäegkeet fir Bulk Silizium a ville Uwendungen auszeféieren. Seng Kraaft bei héijen Temperaturen erlaabt et och sécher bei Temperaturen iwwer 1600 ° C ze bedreiwen. Dëst mécht et e gëeegent Substrat fir praktesch all Héichtemperaturapplikatioun.
Post Zäit: Jul-09-2019