REAKTION BONDED SILICON CARBIDE OVERVIEW
Reaktioun gebonnen Siliziumkarbid, heiansdo als silikoniséiertem Siliziumcarbid bezeechent.
D'Infiltratioun gëtt dem Material eng eenzegaarteg Kombinatioun vu mechanesche, thermeschen an elektresche Properties, déi op d'Applikatioun ofgestëmmt kënne ginn.
Silicon Carbide ass zu den haardsten Keramik, a behält d'Häert an d'Kraaft bei héijen Temperaturen, wat och zu de beschten Verschleißresistenz iwwersetzt. Zousätzlech huet SiC eng héich thermesch Konduktivitéit, besonnesch am CVD (chemesche Vapor Deposition) Grad, wat hëlleft bei der thermescher Schockbeständegkeet. Et ass och d'Halschent vum Gewiicht vum Stol.
Baséierend op dëser Kombinatioun vun hardness, Resistenz zu zouzedrécken, Hëtzt a corrosion, SiC ass dacks fir Sigel Gesiichter an héich performant Pompel Deeler uginn.
Reaktioun Bonded SiC huet déi niddregsten Käschten Produktioun Technik mat enger Course Kär. Et bitt e bësse méi niddereg Härtheet a Gebrauchstemperatur, awer méi héich thermesch Konduktivitéit.
Direct Sintered SiC ass besser Grad wéi Reaction Bonded a gëtt allgemeng fir Héichtemperaturaarbecht spezifizéiert.
Post Zäit: Dez-03-2019