GénéralErklärung vun derReaktiounGebonne SiC
Reaktioun Bonded SiC huet mechanesch Eegeschaften an Oxidatioun Resistenz. Seng Käschten ass relativ niddereg. An der haiteger Gesellschaft huet et ëmmer méi Opmierksamkeet a verschiddenen Industrien ugezunn.
SiC ass eng ganz staark kovalent Bindung. Beim Sinteren ass d'Diffusiounsquote ganz niddereg. Zur selwechter Zäit iwwerdeckt d'Uewerfläch vun de Partikelen dacks eng zimlech dënn Oxidschicht, déi d'Roll vun der Diffusiounsbarriär spillt. Pure SiC ass kaum gesintert a kompakt ouni Sinteringadditive. Och wann de waarmpressende Prozess benotzt gëtt, muss et och gëeegent Zousatzstoffer auswielen. Nëmme bei ganz héijen Temperaturen kënnen Materialien gëeegent fir d'Ingenieursdichte no bei der theoretescher Dicht kritt ginn, déi am Beräich vun 1950 ℃ bis 2200 ℃ solle sinn. Och wann SIC Composites duerch Dampdepositioun kritt kënne ginn, ass et limitéiert op d'Virbereedung vun niddereg Dicht oder dënn Schichtmaterialien. Wéinst senger laanger roueger Zäit wäert d'Produktiounskäschte eropgoen.
Reaction Bonded SiC gouf am 1950er vum Popper erfonnt. De Grondprinzip ass:
Ënnert der Handlung vun der Kapillarkraaft ass flësseg Silizium oder Siliziumlegierung mat reaktiver Aktivitéit an poröse Keramik, déi Kuelestoff enthält, a geformt Kuelesilizium an der Reaktioun. Déi nei geformt Siliziumkarbid ass mat den ursprénglechen Siliziumkarbidpartikelen in situ gebonnen, an d'Reschtporen am Filler gi mam Imprägnatiounsmëttel gefëllt fir den Verdichtungsprozess ofzeschléissen.
Am Verglach mat anere Prozesser vu Siliziumkarbidkeramik huet de Sinterprozess déi folgend Charakteristiken:
Niddereg Veraarbechtungstemperatur, kuerz Veraarbechtungszäit, kee Besoin vu speziellen oder deier Ausrüstung;
Reaktioun Bonded Deeler ouni Schrumpft oder Ännerung vun Gréisst;
Diversifizéiert Formmethoden (Extrusioun, Injektioun, Pressen a Gießen).
Et gi méi Methoden fir ze formen. Wärend der Sintering kënne grouss Gréisst a komplex Produkter ouni Drock produzéiert ginn. D'Reaction Bonded Technologie vu Siliziumkarbid gouf fir en halleft Joerhonnert studéiert. Dës Technologie ass ee vun de Fokus vu verschiddenen Industrien ginn wéinst senge eenzegaartege Virdeeler.
Post Zäit: Mee-04-2018