AllgemengErklärung vun derReaktiounGebonnen SiC
Reaktiounsgebonnent SiC huet mechanesch Eegeschaften an Oxidatiounsbeständegkeet. Säi Präis ass relativ niddreg. An der haiteger Gesellschaft huet et ëmmer méi Opmierksamkeet a verschiddenen Industrien op sech gezunn.
SiC ass eng ganz staark kovalent Bindung. Beim Sinteren ass d'Diffusiounsquote ganz niddreg. Gläichzäiteg bedeckt d'Uewerfläch vun de Partikelen dacks eng zimlech dënn Oxidschicht, déi d'Roll vun der Diffusiounsbarriär spillt. Pure SiC ass kaum gesintert a kompakt ouni Sinterzousätz. Och wann de Warmpressprozess benotzt gëtt, mussen och gëeegent Zousätz ausgewielt ginn. Nëmme bei ganz héijen Temperaturen kënne Materialien, déi fir eng technesch Dicht no bei der theoretescher Dicht gëeegent sinn, kritt ginn, déi am Beräich vun 1950 ℃ bis 2200 ℃ soll leien. Gläichzäiteg sinn seng Form a Gréisst limitéiert. Och wann SIC-Kompositen duerch Dampfabsetzung kritt kënne ginn, ass se limitéiert op d'Virbereedung vu Materialien mat gerénger Dicht oder Dënnschichtmaterialien. Wéinst senger laanger Rouzäit wäerten d'Produktiounskäschte klammen.
Reaktiounsgebonnent SiC gouf an den 1950er Jore vum Popper erfonnt. De Grondprinzip ass:
Ënnert der Wierkung vun der Kapillarkraaft ass flëssegt Silizium oder eng Siliziumlegierung mat reaktiver Aktivitéit an d'poréis Keramik mat Kuelestoff andréngen an huet an der Reaktioun Kuelestoffsilizium geformt. Dat nei geformt Siliziumcarbid gëtt in situ un déi ursprénglech Siliziumcarbidpartikelen gebonnen, an déi reschtlech Poren am Fëllstoff ginn mam Imprägnatiounsmëttel gefëllt, fir de Verdichtungsprozess ofzeschléissen.
Am Verglach mat anere Prozesser vu Siliziumcarbidkeramik huet de Sinterprozess déi folgend Charakteristiken:
Niddreg Veraarbechtungstemperatur, kuerz Veraarbechtungszäit, kee Besoin fir speziell oder deier Ausrüstung;
Reaktiounsgebonnen Deeler ouni Schrumpfung oder Gréisstännerung;
Diversifizéiert Formmethoden (Extrusioun, Injektioun, Pressen a Goss).
Et gëtt méi Methode fir ze formen. Beim Sinteren kënne grouss a komplex Produkter ouni Drock produzéiert ginn. D'Reaktiounsgebonnen Technologie vu Siliziumcarbid gëtt zënter engem hallwe Joerhonnert studéiert. Dës Technologie ass wéinst hiren eenzegaartege Virdeeler zu engem vun de Schwéierpunkte vu verschiddenen Industrien ginn.
Zäitpunkt vun der Verëffentlechung: 04. Mee 2018