Technologie

1. Virdeeler VUN REAKTION BONDED SILICON Carbide

Reaction Bonded Silicon Carbide (RBSC, oder SiSiC) Produkter bidden extremer Hardness / Abrasiounsbeständegkeet an aussergewéinlech chemesch Stabilitéit an aggressiven Ëmfeld. Silicon Carbide ass e synthetescht Material dat héich performant Charakteristiken weist, dorënner:

lExzellent chemesch Resistenz.

D'Kraaft vum RBSC ass bal 50% méi grouss wéi déi vun de meeschte Nitrid gebonnen Siliziumkarbiden. RBSC ass déi exzellent Korrosiounsbeständegkeet an Antioxidatioun Keramik.

lExcellent zouzedrécken an Impakt Resistenz.

Et ass Héichpunkt vu grousser Skala abrasion-resistent Keramik Technologie. RBSiC hunn eng héich Hardness, déi un déi vum Diamant kënnt. Entworf fir Applikatiounen fir grouss Formen ze benotzen, wou refractaire Qualitéite vu Siliziumkarbid abrasiv Verschleiung oder Schued duerch Auswierkunge vu grousse Partikelen ausstellen. Resistent géint direkten Impingement vu liichte Partikelen wéi och Impakt a rutschen Abrasioun vu schwéiere Feststoffer déi Schlëmmer enthalen. Et kann a verschiddene Formen geformt ginn, dorënner Kegel- an Hülseformen, souwéi méi komplex konstruéiert Stécker entworf fir Ausrüstung, déi an der Veraarbechtung vu Matière première involvéiert ass.

lExcellent thermesch Schock Resistenz.

Reaktioun gebonnen Siliziumkarbidkomponenten bidden aussergewéinlech thermesch Schockbeständegkeet awer am Géigesaz zu traditioneller Keramik kombinéiere se och eng niddreg Dicht mat héijer mechanescher Kraaft.

lHéich Kraaft (gewinnt Kraaft bei Temperatur).

Reaktioun gebonnen Siliziumkarbid behält déi meescht vu senger mechanescher Kraaft bei erhiewten Temperaturen a weist ganz niddereg Kreepniveauen, sou datt et déi éischt Wiel fir Laaschträger Uwendungen am Beräich 1300ºC bis 1650ºC (2400ºC bis 3000ºF) mécht.

1. Technesch Informatiounsblat

Technesch Informatiounsblat	Eenheet	SiSiC (RBSiC)	NbSiC	ReSiC	Sinter SiC
		Reaktioun gebonnen Silicon Carbide	Nitrid gebonnen Siliziumkarbid	Rekristalliséiert Siliziumkarbid	Sinter Silicon Carbide
Bulk Dicht	(g.cm3)	≧ 3.02	2,75-2,85	2,65 ~ 2,75	2.8
SiC	(%)	83,66	≧ 75	≧ 99	90
Si3N4	(%)	0	≧ 23	0	0
Si	(%)	15.65	0	0	9
Open Porositéit	(%)	<0,5	10 ~ 12	15-18	7~8
Béie Kraaft	Mpa / 20 ℃	250	160-180	80-100	500
	Mpa / 1200 ℃	280	170-180	90-110	550
Elastizitéitsmodul	Gpa / 20 ℃	330	580	300	200
	Gpa / 1200 ℃	300	~	~	~
Wärmeleitung	W/(m*k)	45 (1200 ℃)	19,6 (1200 ℃)	36,6 (1200 ℃)	13,5 ~ 14,5 (1000 ℃)
Konfizient vun thermesch Expansioun	Kˉ1 * 10ˉ6	4.5	4.7	4,69	3
Mons Hardness Skala (Steifheet)		9.5	~	~	~
Max-Aarbechtstemperatur	℃	1380	1450	1620 (Oxid)	1300

1. Industrie FallFir Reaktioun gebonnen Silicon Carbide:

Power Generation, Mining, Chemical, Petrochemical, Kiln, Machinery Fabrikatioun Industrie, Minerals & Metallurgy a sou weider.