sic calefactio elementum
Sic calefactio elementa fiunt ex viridi SiCpowder qualitate, quae adduntur aliquibus additiviis secundum materiae proportionem.Silicon carbide calefactio elementa sunt producta non metallica. Cum elementis calefactionibus cummetallicis comparati, notarum seriem habent, ut altiorem temperiem, antioxidationem, anticorrosionem, caliditatem celeritatis augendam, humilem expansionis scelerisque coefficientem et cetera. Ideo late adhibentur in materia electronica et magnetica, ceramica, industria metallurgia et cetera.
Sic elementa calefaciendi Specificationes et Resistentia Range
| (d) Diameter | (L) Longitudo Zonae Hot | (L1) Longitudo Zonae Frigidi | (L.) Super Longitudo | (D) Resistentia |
| 8 | 100-300 | 60-200 | 240-700 | 2.1-8.6 |
| 12 | 100-400 | 100-300 | 300-1100 | 0.8-5.8 |
| 14 | 100-500 | 150-350 | 400-1200 | 0.7-5.6 |
| 16 | 200-600 | 200-350 | 600-1300 | 0.7-4.4 |
| 18 | 200-800 | 200-400 | 600-1600 | 0.7-5.8 |
| 20 | 200-800 | 250-600 | 700-2000 | 0.6-6.0 |
| 25 | 200-1200 | 250-700 | 700-2600 | 0.4-5.0 |
| 30 | 300-2000 | 250-800 | 800-3600 | 0.4-4.0 |
| 35 | 400-2000 | 250-800 | 900-3600 | 0.5-3.6 |
| 40 | 500-2700 | 250-800 | 1000-4300 | 0.5-3.4 |
| 45 | 500-3000 | 250-750 | 1000-4500 | 0.3-3.0 |
| 50 | 600-250 | 300-750 | 1200-4000 | 0.3-2.5 |
| 54 | 600-250 | 300-250 | 1200-4000 | 0.3-3.0 |
influxus temperatus operandi et onus superficiei super superficiem calefacientis in alia atmosphaera
| atmosphaera | (℃) Fornax Temperature | .w/cm2. Superficiem Load | auctoritas calefacientis |
| Ammonia | 1290 | 3.8 | actio in SiC tutela film of SiO2 producit et destruit |
| Carbondioxide | 1450 | 3.1 | corrodere SiC' |
| Carbo Monoxide | 1370 | 3.8 | trahant carbonis pulveris et movendi tutelam pellicularum SiO2 |
| Haloaen | 704 | 3.8 | exedunt sic et tutela pellicularum SiO2 . destruit |
| Hydrogenium | 1290 | 3.4 | actio in SiC tutela film of SiO2 producit et destruit |
| Nitrogen | 1370 | 3.1 | SiC facit actionem insulating iacuit Pii nitride |
| Sodium | 1310 | 3.8 | corrodere SiC' |
| Sulphur Dioxide | 1310 | 3.8 | corrodere SiC' |
| Oxygen | 1310 | 3.8 | SiC oxidized |
| Aqua Vapor | 1090-1370 | 3.1-3.6 | sic facit actionem hydrate Pii |
| Hydrocarbon | 1370 | 3.1 | trahant carbonis pulveris res in calidum pollutio
|
Shandong Zhongpeng Ceramics Co. Specialis, Ltd est una e maximis carbide siliconis ceramicae novarum solutionum materialium in Sinis. SiC technica ceramica: durities Moh est 9 (duratio Novae Moh 13 est), cum excellenti resistentia ad exesum et corrosionem, optimam abrasionem - resistentiam et anti-oxidationem. Ministerium productum SiC vita 4 ad 5 tempora longior est quam 92% materia alumina. MOR RBSiC est 5 ad 7 tempora SNBSC, figurae magis implicatae adhiberi potest. Citatur processus, pronuntiatio promittitur et qualitas nulli secunda est. Semper perseveramus in provocatione nostra proposita et corda nostra ad societatem remittimus.
