elementum calefaciens sic
Elementa calefacientia SiC ex pulvere SiC viridi qualitate praestanti fiunt, cui additivis quibusdam secundum proportionem materiae additis. Elementa calefacientia e carburo silicii non sunt producta metallica. Comparata cum elementis calefacientibus metallicis, seriem proprietatum habent, ut temperaturam altiorem, resistentiam oxidationis, resistentiam corrosionis, celerem augmentum temperaturae, coefficiens expansionis thermalis humilem, et cetera. Ideo late in materiis electronicis et magneticis, ceramicis, industria metallurgica, et cetera adhibentur.
Specificationes et Ambitus Resistentiae Elementorum Calefactionis Sic
| (d) Diameter | (L) Longitudo Zonae Calidae | (L1) Longitudo Zonae Frigidae | (L) Longitudo Totalis | (d) Resistentia |
| 8 | 100-300 | LX-CC | 240-700 | 2.1-8.6 |
| 12 | 100-400 | 100-300 | 300-1100 | 0.8-5.8 |
| 14 | 100-500 | CL-CCCL | 400-1200 | 0.7-5.6 |
| 16 | 200-600 | 200-350 | 600-1300 | 0.7-4.4 |
| 18 | 200-800 | 200-400 | 600-1600 | 0.7-5.8 |
| 20 | 200-800 | 250-600 | 700-2000 | 0.6-6.0 |
| 25 | 200-1200 | 250-700 | 700-2600 | 0.4-5.0 |
| 30 | 300-2000 | 250-800 | 800-3600 | 0.4-4.0 |
| 35 | 400-2000 | 250-800 | 900-3600 | 0.5-3.6 |
| 40 | 500-2700 | 250-800 | 1000-4300 | 0.5-3.4 |
| 45 | 500-3000 | 250-750 | 1000-4500 | 0.3-3.0 |
| 50 | 600-2500 | 300-750 | 1200-4000 | 0.3-2.5 |
| 54 | 600-2500 | 300-250 | 1200-4000 | 0.3-3.0 |
Influentia temperaturae operationis et oneris superficialis in superficiem calefactoris in atmosphaera diversa
| Atmosphaera | (℃) Temperatura Fornacis | ()w/cm²() Onus Superficiale | effectus in calefactorem |
| Ammonia | 1290 | 3.8 | Actio in SiC pelliculam protectivam SiO₂ producit et destruit. |
| Dioxidum carbonis | 1450 | 3.1 | corrodere SiC |
| Monoxidum Carbonicum | 1370 | 3.8 | pulverem carbonis absorbere et pelliculam tutelarem SiO2 afficere |
| Haloaen | DCCIV | 3.8 | corrodunt sic et destruunt pelliculam protectivam SiO2 |
| Hydrogenium | 1290 | 3.4 | Actio in SiC pelliculam protectivam SiO₂ producit et destruit. |
| Nitrogenium | 1370 | 3.1 | Actio in SiC stratum insulans nitridi silicii producit. |
| Natrium | 1310 | 3.8 | corrodere SiC |
| Dioxidum Sulphuris | 1310 | 3.8 | corrodere SiC |
| Oxygenium | 1310 | 3.8 | SiC oxidatum |
| Vapor Aquae | 1090-1370 | 3.1-3.6 | actio in sic hydratum silicii producit |
| Hydrocarburum | 1370 | 3.1 | Pulverem carbonis absorbere pollutionem calidam effecit
|
Shandong Zhongpeng Special Ceramics Co., Ltd. est una ex maximis solutionibus novorum materiarum ceramicarum e carburo silicii in Sinis. Ceramica technica SiC: duritia Moh est 9 (nova duritia Moh est 13), cum excellenti resistentia erosioni et corrosioni, excellenti resistentia abrasionis et anti-oxidationis. Vita utilis producti SiC 4 ad 5 vicibus longior est quam materiae 92% aluminae. MOR RBSiC 5 ad 7 vicibus est maior quam SNBSC, ita ut ad formas complexiores adhiberi possit. Processus pretii celer est, traditio promissa est, et qualitas nulli secunda. Semper perseveramus in propositis nostris provocandis et corda nostra societati reddimus.
