Silicon Carbide is available in two forms, reaction bonded and sintered. For more information on these two processes please email us at caroline@rbsic-sisic.com
Et materiae sunt ultra-durum et in excelsum scelerisque conductivity. Hoc est duxit ad Silicon carbide esse in afferentem et gyratorius sigillum applications ubi auctus duritiem et condectivivity improves sigillum et afferentem perficientur.
Reactionem Bonded Silicon Carbide (RBSC) habet bonum proprietatibus ad elevatum temperaturis et potest esse in refractórium applications.
Silicon carbide materiae exhibere bonum exesa et abrasive resistentia, haec proprietatibus potest adhiberi in variis applications ut imbre nozzles, iecit inspiratione nozzles et cyclone components.
Key beneficia et proprietatibus Silicon Carbide Ceramics:
high scelerisque conductivity
low scelerisque expansion coefficiens
UTTURSTanding scelerisque concursu resistentia
Extreme duritia
semiconductor
refractive index maius quam adamas
For more information on Silicon Carbide Ceramics please email us at caroline@rbsic-sisic.com
Silicon carbide productio
Silicon carbide est ex pulveris aut frumenti, produci ex carbon reductionem silica. Producitur vel denique pulveris vel magna religata massa, quae tunc oppressi. Purificare (Remove Silica) est laverunt cum hydrofluoric acidum.
Sunt tres principalis via ad fabricate commercial uber. Primum modum est ad misce Silicon carbide pulveris cum alia materiales sicut vitrum vel metallum, hoc est ergo tractata ad patitur secundum tempus ad vinculum.
Alius modum est miscere pulveris cum ipsum vel Silicon metallum pulveris, quae est tunc reactionem vinculum.
Tandem Silicon carbide pulveris potest esse densified et peccata per additionem boron carbide vel alterning auxilium ad formare valde durum LATERAMEN. Notandum quod quisque modum convenit diversis applications.
For more information on Reaction Bonded Silicon Carbide Ceramics please email us at caroline@rbsic-sisic.com
Post tempus: Jul, 20-2018