Pii carbide prope adamantem gerit. Non solum levissima, sed etiam durissima materia ceramica et conductivity scelerisque optimas, humilium expansionum scelerisque ac acida et mendaciis valde repugnant.
Cum ceramicis carbide pii, proprietates materiales constantes manent usque ad temperaturas supra 1,400°C. Princeps modulus Young > 400 GPa praestantem firmitatem dimensionalem efficit. Hae proprietates materiales faciunt carbidam pii praedestinatam ad usum materiae constructionem. Silicon carbide dominorum corrosio, abrasio et exesio tam sollerter quam surgit ad togam frictionalem. Components adhibentur in plantis chemicis, molendinis, expansoribus et extruderibus vel nozzulis, exempli gratia.
"Variantes SSiC (sinerantur carbide pii) et SiSiC (silicon infiltratum carbide pii) se constituerunt. Haec aptissima est ad productionem complexorum magnae-voluminis compositorum ».
Carbide Pii toxicologice tuta est et in industria cibi adhiberi potest. Alia applicatio typica pro componentibus carbide Pii est dynamica signatio technologiae utens frictiones gestus et sigilla mechanica, exempli gratia in soleatus et systemata abigere. Cum metallis comparata, carbida siliconis solutiones oeconomicas valde efficit solutiones longioris instrumenti vitae in usu instrumentorum pugnax, summus temperatus. Silicon ceramici carbidi quoque specimen pro usu sunt in condicionibus in ballistics, chemicis productionibus, technicis energiae, in charta fabricandis et quasi organis organis componentibus.
Reactio carbide siliconis religata, etiam carbide siliconisata vel SiSiC nota, genus est carbidi siliconis quod fabricatur per reactionem chemicae inter carbonem porosum vel graphitum cum silicon liquefacto. Ob vestigia siliconis supersunt, reactio carbide pii religata saepe refertur ad carbidam siliconisatam pii, vel eius abbreviationem SiSiC.
Si pura carbida siliconis producitur a sintering pulveris carbidi pii, vestigia chimicis quae vocantur subsidia sintering plerumque continet, quae adduntur ad processum sinteringum adiuvandum permittens temperaturas inferiores sintering. Hoc genus carbide siliconis saepe refertur ad carbide pii sin- ricatum, vel abbreviatum ad SSiC.
De carbide pii pollinis proficitur ex carbide pii producto de quo in carbide pii articuli.
Vu e: CERAMTEC）[inscriptio protected]
Post tempus: Nov-12-2018