Silicon Carbide duabus formis praesto est, reactio religata et sinterata. Plura de his duobus processibus electronicas electronicas ad[inscriptio protected]
Ambae materias ultra-durum sunt et altam conductionem scelerisque habent. Hoc factum est ad carbidam Pii adhibitam in applicationibus sigilli ferendi et gyratorii, ubi aucta duritia et conductivity sigillum meliorem efficiendique afferendi.
Reactio religata carbidi pii (RBSC) bonas proprietates temperaturis elevatis habet et in applicationibus refractariis adhiberi potest.
Materiae carbidae Silicon bonam exesam et abrasivam exhibent resistentiam, hae proprietates adhiberi possunt in variis applicationibus sicut nozzles imbres, nozzles et cyclones flatus emissarii.
Clavis Beneficiorum et Proprietatum Siliconis Carbide Ceramics:
l Maximum scelerisque conductivity
l Minimum scelerisque expansion coefficiens
l Egregios scelerisque resistentia inpulsa
l extrema duritia
l Semiconductor
l Refractivus index major adamantino
Pro magis informationes de Silicon Carbide Ceramica nobis electronicas quaeso at[inscriptio protected]
Pii Carbide Productio
Carbide Pii oritur ex pulvere vel grano, quod fit ex reductione carbonis silica. Producitur autem vel tenuissima vel magna conglobata massa, quae deinde contrita est. Ad purgandum (silicam removendum) lavatur cum acido hydrofluorico.
Sunt tres modi praecipuae ad fabricandum opus commerciale. Primus modus est admisce carbide pulveris cum alia materia pii ut vitreo vel metallo, haec deinde tractatur, ut secunda periodus vinculo permittat.
Alius modus est pulveris cum carbonis vel siliconis metallico pulvere miscere, qui tunc reactionem religatur.
Pii carbide denique potest densari et sinteri per carbidam boron addito vel alia sintering subsidia ad ceramicam durissimam formandam. Notandum est quod unicuique methodus diversis applicationibus aptus est.
Pro magis notitia de Reactione Bonded Silicon Carbide Ceramics placere nobis email at[inscriptio protected]
Post tempus: Iul-16-2018