GeneralexplicandumReactionemreligata Sic
Reactio Bonded SiC habet proprietates mechanicas et resistentiam oxidationis. Sumptus relative humilis. In hac societate magis magisque in variis industriis attentionem attraxit.
SiC firmissimum vinculum covalens est. In sintering, rate diffusio est nimis. Eodem tempore superficies particularum saepe stratum oxydatum tenuiore obtegit quo obice diffusionis partes agit. Munda SIC vix sine adiectivis sinterata et compacta. Etiamsi processus urgendi calidus adhibeatur, debet etiam opportuna adiectiva deligere. Solum in altissimis temperaturis materias densitatis proximae theoreticae densitati aptas obtineri possunt quae in extensione ab anno 1950 — usque ad 2200 . Eodem tempore limitabitur forma et magnitudo. Etsi composita SIC obtineri possunt per depositionem vaporum, limitatur ad materiam densitatem vel tenuem stratum. Propter longam quietem temporis sumptus productionis augebitur.
Reactio Bonded SiC inventa in annis 1950 ab Popper. Principium principale est;
Sub actione vi capillaris, liquidum silicon vel silicon stannum cum actione reactiva penetravit in ceramicos porosos, in quibus carbo carbonis et siliconis carbonis formatur in reactione. Carbida pii nuper formata cum particulis carbide siliconis originalis in situ copulatur, et poros residuales in fille implentur agente impregnato ad processum densificationem perficiendum.
Cum aliis processibus ceramicis carbidi Pii collatis, processus sinteringis has notas habet:
Minimum processus temperatus, brevi processui temporis, non eget apparatu speciali vel sumptuoso;
Reactio Bonedorum partium cum nulla recusatione vel mutatione magnitudinis;
Modi fingendi variati (extrusio, iniectio, impressio et fundens) 。
Plures sunt modi formandi. Per synteringes, magnae magnitudinis et multiplices fructus sine pressurizatione gigni possunt. Reactio Bonded technologiae carbidi pii per dimidium saeculum investigata est. Haec technica una e focus variis industriarum ob singulares utilitates facta est.
Post tempus: May-04-2018