Generativusexplicandum estReactionemBonded SIC
Reactionem religata sic habet mechanica proprietatibus et oxidatio resistentia. Et sumptus est relative humilis. In praesenti societatis, quod plus et magis attenditur in variis industries.
SIC valde fortis covalent vinculum. In segregatione, diffusio rate valde humilis. Simul in superficies particulis saepe tegit potius tenuis cadmiae iacuit quod ludit partes diffusio obice. Pura sic vix sinum et pacto sine peccantes additives. Etiamsi calidum-urgeat processus adhibetur, oportet etiam eligere idoneam additives. Tantum altum temperaturis potest materiae idoneam ad ipsum densitatem prope adeptus est adeptus est in range ex MCML ℃ ad MMC ℃ .at simul et figura et magnitudine finitur. Licet sic compositos potest adeptus vapor depositione, est limited ad parat humilis density vel tenui iacuit materiae. Propter eius longum quietam tempus, sumptus productio et crescat.
Reactionem Bonded SIC invented in 1950s by Popper. Et Basic principium est:
Sub actioni capillaribus vis, liquor Silicon et Silicon mixture cum reactive actio penetravit in Pallicon Ceramics quibus ipsum et formatae Carbon Silicon in reactionem. Et nuper formatae Silicon carbide est religata ad originale Silicon carbide particulas in situ, et RELICTUM poros in filler repleti sunt impregnating agente ad perficere densificationem processus.
Ceramics de aliis processibus de Silicon Carbide Ceramics, De Sincering processus habet sequentes:
Minimum processus temperatus, brevi processus tempus, non opus est specialis vel pretiosa apparatu;
Reactionem religata partes nihil DECREMENTUM aut mutationem magnitudine;
Diversified CUMATIUM modi (Extrusionem, Iniectio, urgere et urguet).
Sunt plures modi ad effingens. Per mortificandi, magnam magnitudinem et complexu products potest produci sine pressurization. Et reactionem religata technology de Silicon carbide est studied pro dimidium saeculum. Hoc technology factus est unum de focuses de variis industries ex suum unicum commoda.
Post tempus: May-04-2018