BİXWÎNE BİXWÎNE BİXWÎNE BİXWÎNE BİXWÎNE SILICON CARBIDE
Karbîda siliconê ya bi reaksiyonê ve girêdayî ye, carinan wekî karbîd siliconized siliconized tê binav kirin.
Infiltration hevokek bêhempa ya taybetmendiyên mekanîkî, termal û elektrîkê dide materyalê ku dikare li ser sepanê were guheztin.
Silicon Carbide di nav seramîkên herî dijwar de ye, û di germahiyên bilind de serhişkî û hêzê digire, ku ev jî di nav baştirîn berxwedana cilê de tê wergerandin. Digel vê yekê, SiC xwedan guheztinek germî ya bilind e, nemaze di pola CVD (depokirina buhara kîmyewî) de, ku di berxwedana şoka termal de dibe alîkar. Ew jî nîvê giraniya pola ye.
Li ser bingeha vê kombînasyona serhişkî, berxwedana li hember kincan, germahî û korozyonê, SiC bi gelemperî ji bo rûyên morkirinê û parçeyên pompeya performansa bilind tê destnîşan kirin.
Reaction Bonded SiC xwedan teknîka hilberîna lêçûnek herî kêm bi genimek qursê ye. Ew hinekî kêmtir serhişkî û germahiya bikar tîne, lê gihandina germahiyê bilindtir peyda dike.
Direct Sintered SiC ji Reaction Bonded pola çêtir e û bi gelemperî ji bo xebata germahiya bilind tête diyar kirin.
Dema şandinê: Dec-03-2019